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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>行業(yè)新聞>市場(chǎng)供需內(nèi)外交困 - 多晶硅歷史“冰點(diǎn)”再臨 光伏產(chǎn)業(yè)難言樂(lè)觀

市場(chǎng)供需內(nèi)外交困 - 多晶硅歷史“冰點(diǎn)”再臨 光伏產(chǎn)業(yè)難言樂(lè)觀

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2023-08-02 16:33:22

組件冷熱沖擊試驗(yàn)箱

艾思荔組件冷熱沖擊試驗(yàn)箱冷凍及風(fēng)路循環(huán)系統(tǒng)的制冷機(jī)采用法國(guó)原裝“泰康”全封閉壓縮機(jī)。冷凍系統(tǒng)采用單元或二元式低溫回路系統(tǒng)設(shè)計(jì)。采用多翼式送風(fēng)機(jī)強(qiáng)力送風(fēng)循環(huán),避免任何死角,可使測(cè)試區(qū)域內(nèi)溫度分布
2023-07-27 16:45:40

國(guó)芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飛凌、安森美助力儲(chǔ)能

儲(chǔ)能系統(tǒng)是利用太陽(yáng)能進(jìn)行儲(chǔ)能發(fā)電的系統(tǒng),其中設(shè)備會(huì)吸收太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化成電能,儲(chǔ)能設(shè)備會(huì)將設(shè)備產(chǎn)生的電能進(jìn)行存儲(chǔ),當(dāng)系統(tǒng)電力不足時(shí),儲(chǔ)能系統(tǒng)會(huì)通過(guò)轉(zhuǎn)換,將存儲(chǔ)的電能轉(zhuǎn)換為所需的交流電
2023-07-27 10:44:09

智能傳感器和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈觀察

 超凈高純電子級(jí)氫氟酸、電子級(jí)多晶硅都是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。記者從省工業(yè)和信息化廳了解到,半導(dǎo)體關(guān)鍵材料是我省的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè),在硅片、濕化學(xué)品、電子特氣、超純銅等方面有較好技術(shù)積淀并不斷有新突破,部分產(chǎn)品還打破了國(guó)外壟斷。
2023-07-14 16:54:30563

【周評(píng)】終端觀望情緒走弱,光伏上下游價(jià)格集體反彈?

多晶硅 本周多晶硅復(fù)投料價(jià)格61-70元/千克,致密料價(jià)格58-67元/千克,多晶硅價(jià)格大穩(wěn)小動(dòng)。 隨著6月底多筆萬(wàn)噸大單簽訂多晶硅生產(chǎn)企業(yè)庫(kù)存壓力顯著減少,市場(chǎng)價(jià)格觸底言論盛行,多家貿(mào)易商進(jìn)場(chǎng)囤貨
2023-07-14 16:15:57191

IGBT輸出IV溫度特性介紹

IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長(zhǎng)度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585

9.6 多晶硅薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317

氮化鎵: 歷史與未來(lái)

(86) ,因此在正常體溫下,它會(huì)在人的手中融化。 又過(guò)了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物,氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃,比
2023-06-15 15:50:54

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來(lái)了解下。
2023-06-12 16:44:423975

電池雙85恒溫恒濕試驗(yàn)箱

 電池雙85恒溫恒濕試驗(yàn)箱特點(diǎn):具有試驗(yàn)空間大、操作人員可以進(jìn)入試驗(yàn)室對(duì)試驗(yàn)品進(jìn)行操作的特點(diǎn),為工業(yè)生產(chǎn)廠(chǎng)家的批量或者大型零件、半成品、成品提供了溫(濕)度環(huán)境測(cè)試的條件。電池雙
2023-06-12 11:29:06

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)

當(dāng)晶體管尺寸縮小時(shí),多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會(huì)影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

多晶硅和單晶硅光伏板哪個(gè)好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽(yáng)能電池板的類(lèi)型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類(lèi)型的太陽(yáng)能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過(guò)程成本較高,價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評(píng)】組件大幅走跌,光伏市場(chǎng)價(jià)格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價(jià)!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價(jià)格110-123元/千克,多晶硅價(jià)格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價(jià)格再度走跌,多晶硅庫(kù)存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬(wàn)大關(guān),硅片價(jià)格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

5.5太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的物理冶金制備

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

VCSEL激光技術(shù)為光伏設(shè)備的可靠檢測(cè)降本增效

近年來(lái),隨著光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,技術(shù)迭代升級(jí)不斷加快,智能制造迅速推廣,中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛。中國(guó)在全球清潔能源產(chǎn)品供應(yīng)鏈中占據(jù)有重要地位,太陽(yáng)能光伏制造業(yè)中,中國(guó)擁有全球90%以上的晶圓產(chǎn)能、2/3的多晶硅產(chǎn)能和72%的組件產(chǎn)能。
2023-05-29 17:31:31716

組件可燃性測(cè)試儀

PY-1925D組件可燃性測(cè)試儀是冷板加高檔噴涂外箱,采用普通機(jī)電控制一體機(jī),可做到自動(dòng)點(diǎn)火方式,自動(dòng)計(jì)時(shí)及試樣位置X,Y軸電動(dòng)控制調(diào)節(jié)。 PY-1925D組件可燃性測(cè)試儀采用
2023-05-29 11:33:31

模擬器太陽(yáng)能電池陣列模擬PV源

模擬器
拓沃得TEWERD發(fā)布于 2023-05-16 16:37:57

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

飛凌嵌入式受邀參加能源電子產(chǎn)業(yè)政策華北片區(qū)宣貫會(huì)

的實(shí)施方案》,明確了太陽(yáng)能、新型儲(chǔ)能電池、關(guān)鍵能源電子器件等三大發(fā)展重點(diǎn),提出七項(xiàng)主要任務(wù),推動(dòng)河北能源電子產(chǎn)業(yè)邁向產(chǎn)業(yè)鏈、價(jià)值鏈高端,打造能源電子產(chǎn)業(yè)生態(tài)。計(jì)劃到2025年,形成石家莊、邢臺(tái)、唐山
2023-05-11 15:33:10

單相逆變器并網(wǎng)能接入三相電供負(fù)載嗎?

單相逆變器并網(wǎng)能接入三相電供負(fù)載嗎?
2023-05-06 17:37:49

三相組串式并網(wǎng)逆變器怎么連接組件的?

三相組串式并網(wǎng)逆變器怎么連接組件的?與單相的差別是什么?
2023-05-06 16:36:27

太陽(yáng)能儲(chǔ)能發(fā)電系統(tǒng)有哪些類(lèi)型?

  太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)分為并網(wǎng)發(fā)電和離網(wǎng)發(fā)電。并網(wǎng)發(fā)電是指太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)與市政電力并網(wǎng),由市政電力調(diào)節(jié)的一種用電方式。離網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)是一種獨(dú)立的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。它不需要與市政當(dāng)局連接。通過(guò)
2023-04-25 16:33:02

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因?yàn)樗艿蕉鄠€(gè)因素的影響。一般來(lái)說(shuō),標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽(yáng)能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

耦MOC3063驅(qū)動(dòng)可控

如圖所示:1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果耦在輸入電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通,是否可以認(rèn)為可控兩端的電壓為零,此時(shí)可控不導(dǎo)通,那如果是這樣請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路可控是何時(shí)導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

2023中國(guó)(青島)國(guó)際太陽(yáng)能及儲(chǔ)能展覽會(huì)

、華人電池網(wǎng)、桿塔網(wǎng)、鋰電網(wǎng)、光電巴巴、測(cè)試網(wǎng)、電力網(wǎng)、交易網(wǎng)、商貿(mào)網(wǎng)、系統(tǒng)網(wǎng)、英才網(wǎng)、業(yè)在線(xiàn)贏網(wǎng)、《東方照明》、《中國(guó)路燈》、《電源工業(yè)》雜志等國(guó)內(nèi)外上千家媒體報(bào)道。參展
2023-04-08 10:36:29

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線(xiàn)的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195

基于Simulink的單相并網(wǎng)控制仿真說(shuō)明

  簡(jiǎn)介  并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)就是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)與常規(guī)電網(wǎng)相連,共同承擔(dān)供電任務(wù)。當(dāng)有陽(yáng)光時(shí),逆變器將系統(tǒng)所發(fā)的直流電逆變成正弦交流電,產(chǎn)生的交流電可以直接供給交流負(fù)載,然后將剩余的電能輸入
2023-04-06 15:23:46

光伏發(fā)電小科普

硅料是光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心原材料。 光伏硅料,即太陽(yáng)能級(jí)多晶硅(SoG-Si),是光伏產(chǎn)業(yè)鏈中最上游的原材料,為帶有金屬光澤的灰黑色固體,具有熔點(diǎn)高(1410℃)、硬度大、有脆性、常溫下化學(xué)性質(zhì)不活潑等特性,且具有半導(dǎo)體性質(zhì),是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料,被稱(chēng)為光伏產(chǎn)業(yè)鏈中的“黑金”。
2023-04-04 10:30:4718884

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時(shí)間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖??梢钥闯?,SRAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

發(fā)電,電量不夠如何自動(dòng)切換

最低成本解決板同時(shí)給大小兩組電瓶同時(shí)充電,防止電流倒灌,防止小電瓶過(guò)充問(wèn)題, 同時(shí)解決電量不夠自動(dòng)切換市電。
2023-03-31 13:36:07

零售數(shù)據(jù)分析之操作篇9:用歷史聚合計(jì)算歷史銷(xiāo)售SKU數(shù)

BI銷(xiāo)售明細(xì)報(bào)表,單擊即可進(jìn)入。當(dāng)前這個(gè)操作的前提是已經(jīng)有了這么一張BI銷(xiāo)售明細(xì)報(bào)表。以上,便是本講的所有內(nèi)容。敲黑板,講重點(diǎn)歷史聚合與其他聚合方式的組合使用,一定要先正確選擇基本聚合方式,然后勾選
2023-03-28 11:05:00

單片機(jī)控制可控調(diào)壓簡(jiǎn)介

的過(guò)零點(diǎn),然后延時(shí)一定時(shí)間后,輸出一個(gè)脈沖,使可控導(dǎo)通?! ⊙訒r(shí)時(shí)間越長(zhǎng),導(dǎo)通時(shí)間越短,輸出電壓越低?! ?.電路設(shè)計(jì)  首先過(guò)零檢測(cè)電路如下。原理比較簡(jiǎn)單,由一個(gè)整流橋和耦組成?! ≥敵霾ㄐ?/div>
2023-03-23 15:19:30

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