臺(tái)積電總裁魏哲家在報(bào)告會(huì)上稱，自去年下半年起，3納米制程便已開(kāi)始投入量產(chǎn)。受益于手機(jī)與HPC市場(chǎng)需求，今年3納米系列產(chǎn)品營(yíng)收將實(shí)現(xiàn)3倍以上的增長(zhǎng)，業(yè)總營(yíng)收比例也有望由去年的6%上升到14%-16%之間。
2024-03-13 15:21:27
61 據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開(kāi)工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3058 
2022年10月起，鎧俠已經(jīng)減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達(dá)30%。截至目前，鎧俠NAND生產(chǎn)已恢復(fù)至原廠產(chǎn)能的兩成左右。
2024-03-01 13:53:55159 我嘗試在藍(lán)牙模塊CYBT-343026-01（CYW20706）上下載應(yīng)用程序到串行閃存，但失敗了。
第一步是按照 AIROC? HCI UART 控制協(xié)議文檔（見(jiàn)下文）的指示向模塊發(fā)送
2024-03-01 11:59:18
該項(xiàng)合作進(jìn)一步強(qiáng)化了ADI的多元化制造體系結(jié)構(gòu)，提高了抵御外部風(fēng)險(xiǎn)的能力，有助于推動(dòng)產(chǎn)品產(chǎn)能的迅速提升和規(guī)?；a(chǎn)，以滿足消費(fèi)者日益增長(zhǎng)的需求。
2024-02-25 15:46:34256 臺(tái)積電預(yù)期，目前營(yíng)收總額約 70% 是來(lái)自 16 納米以下先進(jìn)制程技術(shù)，隨著 3 納米和 2 納米制程技術(shù)的貢獻(xiàn)在未來(lái)幾年漸增，比重將會(huì)繼續(xù)增加，預(yù)估未來(lái)成熟制程技術(shù)占營(yíng)收總額將不超過(guò) 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 據(jù)悉，臺(tái)積電的3 納米工藝將在2023年下半年以N3B為主，單月產(chǎn)能由之前的約6萬(wàn)片提高至8萬(wàn)片。2024年起N3E即將上場(chǎng)，月產(chǎn)能將逐步攀升至10萬(wàn)片，主要客戶涵蓋蘋果以及英特爾、聯(lián)發(fā)科、高通等多元客戶群。
2024-02-20 09:46:56168 臺(tái)積電仍將堅(jiān)守主打地位，為英偉達(dá)供應(yīng)高達(dá)90%的尖端封裝產(chǎn)能。但推測(cè)中提到，自2024年第二季度起，英偉達(dá)有意將英特爾的產(chǎn)能納入多款產(chǎn)品的制作周期內(nèi)。
2024-02-01 15:27:23209 ; 沒(méi)有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫(kù)尚未設(shè)置。在庫(kù)管理器1.0下，而我使用的是庫(kù)管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫(kù)。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
高比表面積。納米級(jí)材料具有較高的比表面積，這意味著相同質(zhì)量的納米材料相對(duì)于宏觀材料具有更多的表面積。高比表面積使得納米材料在吸附、催化和傳感等方面具有獨(dú)特的性能和應(yīng)用。例如，納米催化劑可以提高反應(yīng)效率，納米材
2024-01-19 14:06:424309 消息來(lái)源表示，TSMC 8英寸及12英寸晶圓工廠的利用率已分別回升至70-80%和80%。尤其值得注意的是，28納米制程的利用率已重返80%的常態(tài)范圍；而7/6納米與5/4納米制程的利用率更分別達(dá)到75%以及接近飽和狀態(tài)。
2024-01-17 13:56:19187 喜訊！
繼華秋榮獲2023中國(guó)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化百?gòu)?qiáng)榜企業(yè)
2023深圳行業(yè)領(lǐng)袖企業(yè)100強(qiáng)后
華秋再次榮獲億邦動(dòng)力2023產(chǎn)業(yè)互****聯(lián)網(wǎng)“千峰獎(jiǎng)·數(shù)字供應(yīng)鏈
12月1日晚，在2023億邦產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)
2023-12-15 09:57:04
喜訊！
繼華秋榮獲2023中國(guó)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化百?gòu)?qiáng)榜企業(yè)
2023深圳行業(yè)領(lǐng)袖企業(yè)100強(qiáng)后
華秋再次榮獲億邦動(dòng)力2023產(chǎn)業(yè)互****聯(lián)網(wǎng)“千峰獎(jiǎng)·數(shù)字供應(yīng)鏈
12月1日晚，在2023億邦產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)
2023-12-15 09:53:36
描述SST26VF064B串行四通道I/O (SQI)閃存器件利用4位多路復(fù)用I/O串行接口來(lái)提高性能，同時(shí)保持標(biāo)準(zhǔn)串行閃存器件的緊湊外形。SST26VF064B還支持與傳統(tǒng)串行外設(shè)接口(SPI
2023-12-14 10:37:13
PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁(yè)面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，消除了對(duì)額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需要。
2023-11-30 16:38:00267 
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁(yè)面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，消除了對(duì)額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需要。
2023-11-29 16:45:57390 
PY25Q32HB是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。
2023-11-28 17:43:07435 
的測(cè)量方法等手段來(lái)降低PDI值是提高納米材料質(zhì)量和穩(wěn)定性的重要途徑之一。七、總結(jié)
PDI作為衡量顆粒尺寸分布均勻程度的重要指標(biāo)，在納米材料制備和生物醫(yī)藥領(lǐng)域的應(yīng)用中具有重要意義。通過(guò)控制制備工藝、選擇
2023-11-28 13:38:39
天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片，年產(chǎn)能150萬(wàn)。
2023-11-24 15:59:231077 
中圖儀器SJ5730系列納米探針式輪廓儀采用超高精度納米衍射光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、超高直線度研磨級(jí)摩擦導(dǎo)軌、高性能直流伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、高性能計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)技術(shù)，分辨率高達(dá)0.1nm，系統(tǒng)殘差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
TrendForce統(tǒng)計(jì)，28納米以上的成熟制程及16納米以下的先進(jìn)制程，2023～2027年全球晶圓代工產(chǎn)能比重約維持7比3。其中，中國(guó)大陸因積極擴(kuò)增成熟制程產(chǎn)能，全球占比估自29％增至33％，臺(tái)灣則估自49％降至42％。
2023-11-02 16:04:0796 日前有媒體報(bào)道稱，受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國(guó)內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響，內(nèi)存和閃存元器件采購(gòu)成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452 納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-11 14:37:46
新華財(cái)經(jīng)法蘭克福9月13日電（記者何麗麗）ABB集團(tuán)首席執(zhí)行官比約恩·羅森格倫（Bj?rn Rosengren）13日表示，ABB集團(tuán)將投資2.8億美元在瑞典新建一個(gè)工廠，將其在歐洲的生產(chǎn)能力提高
2023-09-19 10:32:40190 ? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米
2023-09-05 15:10:18537 
內(nèi)，月產(chǎn)能為45,000片，自1992年起，擁有超過(guò)20年晶圓代工服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，于2008年自華邦電子分割后，完全專注于晶圓代工。新唐晶圓代工廠目前提供0.35微米以上工藝，包括一般邏輯(Generic
2023-08-11 14:20:51
臺(tái)積電公司的m3系列處理器和下一代iphone用a17 3納米工程制造生物處理器芯片，蘋果已經(jīng)為公司的3納米1年左右廢棄了生產(chǎn)能力，生產(chǎn)期間結(jié)束之前，其他芯片制造商供應(yīng)”。
2023-08-09 11:46:56319 描述 DS90UB947-Q1 是一款 OpenLDI 到 FPD-Link III 橋接器件，與 FPD-Link IIIDS90UB940-Q1/DS90UB948-Q1解串器配合
2023-08-08 14:22:50
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢，很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762 這些字段，不需要開(kāi)發(fā)者自行去填充。本文使用hpm6200evk開(kāi)發(fā)板，flash器件是華邦的W25Q64JV。使用hpm_sdk進(jìn)行開(kāi)發(fā)。
SPI四線模式，統(tǒng)稱也就QSPI。
本文是作者在使用先楫
2023-06-28 20:01:33
臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家近日在股東大會(huì)上表示：“臺(tái)積電先進(jìn)工程在南京批量生產(chǎn)3納米工程后，將致力于擴(kuò)充生產(chǎn)能力。目前正在建設(shè)2納米工廠，預(yù)計(jì)2025年批量生產(chǎn)?！彼状伪硎?，1.4納米工程的下一代也將在
2023-06-27 09:36:58400 臺(tái)積電的7納米工藝產(chǎn)能利用率不如5納米工藝。5納米工藝的產(chǎn)能利用率從原來(lái)的50%多增加到70%至80%左右，而7納米工藝的產(chǎn)能利用率也從30%至40%的水平逐步提高至50%左右。
2023-06-20 15:41:0817376 綠色封裝。
憑借內(nèi)部電路的獨(dú)特設(shè)計(jì)，LM431BQ 對(duì)輸出電容的大小幾乎沒(méi)有任何限制，可以使用大電容，抗干擾能力強(qiáng)。
廣大客戶現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買圣邦微系列產(chǎn)品！作為本土“元器件電商”的“探索者
2023-06-02 14:13:38
中芯國(guó)際是中國(guó)大陸最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)之一，主要業(yè)務(wù)是為其他半導(dǎo)體公司生產(chǎn)晶片。暫時(shí)中斷28納米芯片的生產(chǎn)擴(kuò)大，將致力于提高12納米節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)能力。smic的決定是出于經(jīng)濟(jì)上的原因。
2023-06-01 10:50:211485 你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
我需要為生產(chǎn)目的對(duì) ESP8285 IC 進(jìn)行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
嗨，我正在通過(guò) UART 建立連接，我使用
來(lái)更改 UART 的引腳以與另一個(gè)設(shè)備進(jìn)行通信。（我不能使用原始引腳，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">串行編程問(wèn)題導(dǎo)致第二個(gè)設(shè)備崩潰）
在我使用
之后，UART 的 2 個(gè)引腳
2023-05-31 08:53:23
和 26（U0TXD，U0RXD）。有與 SD_Data_2 和 3（引腳 18 和 19）的連接，所以我的問(wèn)題是 - 我可以使用 18 和 19 通過(guò)串行連接進(jìn)入閃存模式，還是我有一塊不是為訪問(wèn)通常的串行引腳而設(shè)計(jì)的板？在無(wú)法訪問(wèn) 25 和 26 的情況下，他們?nèi)绾卧谏a(chǎn)環(huán)境中閃現(xiàn)這個(gè)東西？
2023-05-26 10:02:03
HPM6750IVM1是否可以支持華邦的SDRAM W9825G2JB？
如果支持，是否需要修改軟件？
2023-05-26 06:00:44
為了避免在一些用于測(cè)試 ESP8266 固件的串行終端和一些閃存編程工具之間切換，我制作了自己的小 win 程序，它將這兩個(gè)任務(wù)合并到一個(gè) exe 中。
如果 USB2UART 橋的 RTS
2023-05-24 07:39:04
我對(duì)從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我有一個(gè)帶有兩個(gè) rt600 處理器的設(shè)置，其中只有一個(gè)連接了閃存。
我想從閃存啟動(dòng)一個(gè)處理器，然后該處理器通過(guò)串行連接將圖像發(fā)送到另一個(gè)處理器。
兩個(gè)圖像都需要經(jīng)過(guò)身份驗(yàn)證。我已經(jīng)成功地為第一個(gè)
2023-05-18 06:56:48
我想在 RT685 上測(cè)試主引導(dǎo)串行模式。我有 MIMXRT685-EVK。
最后，我想要兩臺(tái) RT685，一臺(tái)連接閃存，然后通過(guò)串行啟動(dòng)啟動(dòng)另一臺(tái)?，F(xiàn)在我只想測(cè)試串行啟動(dòng)。
我假設(shè)如果我將軟件鏈接
2023-05-12 06:30:39
500 毫秒在閃存上切換一次，所以有東西在運(yùn)行。我的理解是，對(duì)于未初始化的閃存，它最終應(yīng)該會(huì)故障轉(zhuǎn)移到串行下載器。使用 blhost 嘗試與其交談毫無(wú)進(jìn)展（無(wú)回復(fù)）。我已經(jīng)將 BOOTMODE 更改
2023-05-09 07:42:23
OCSiAl通過(guò)技術(shù)革新，提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能，同時(shí)推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品，相較現(xiàn)有產(chǎn)品，固含提升在2倍以上，進(jìn)一步降低單壁碳納米管的使用成本，提升性價(jià)比。
2023-04-20 09:34:461282 請(qǐng)給我指出 RT1176 支持的 QSPI 閃存設(shè)備列表？比如是否支持華邦#W25Q32JV器件？
2023-04-20 08:03:06
我正在嘗試使用 MCUXpresso 安全配置工具通過(guò) UART 閃存 MIMXRT1064。所有必要的配置都已完成。引導(dǎo)模式設(shè)置為串行下載器 (01)。處理器連接正確。我們反復(fù)遇到同樣的錯(cuò)誤。是否有任何其他配置或設(shè)置需要完成？請(qǐng)幫助
2023-04-14 06:39:09
帶多I/O SPI的3V四路串行閃存
2023-04-06 11:13:39
4 Mbit SPI串行閃存
2023-04-04 20:31:37
16位串行閃存 SOP8_150MIL
2023-03-31 12:05:19
512 Kbit SPI串行閃存
2023-03-28 18:25:33
16M位串行閃存
2023-03-28 16:48:13
帶雙、四SPI的3V 64M位串行閃存
2023-03-28 15:18:30
帶雙/四SPI的3V 256M位串行閃存
2023-03-28 15:18:04
512K位[x 1]CMOS串行閃存
2023-03-28 15:17:15
64GB 嵌入式納米SD NAND閃存
2023-03-28 13:04:38
128GB 嵌入式納米SD NAND閃存
2023-03-28 13:04:37
16M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:32
16M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
8M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
128M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:28
64M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:28
超低功耗64M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗128M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗16M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗32M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗32M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗64M位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
8M位串行NOR閃存，1024K字節(jié)
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行閃存
2023-03-28 00:21:26
128Mb，3V，多I/O串行閃存
2023-03-28 00:18:32
3V 4位串行NOR閃存，帶雙和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
3.3V均勻扇區(qū)雙和四路串行閃存
2023-03-28 00:18:17
3.3V均勻扇區(qū)雙和四路串行閃存
2023-03-27 13:53:23
32 Mbit數(shù)據(jù)閃存（帶額外1位）2.3V最小SPI串行閃存
2023-03-27 13:53:05
3.3V均勻扇區(qū)雙和四串行閃存
2023-03-27 13:40:15
3.3V均勻扇區(qū)雙和四路串行閃存
2023-03-27 13:26:46
串行閃存與雙/四spi
2023-03-27 11:56:46
3.3V均勻扇區(qū)雙和四串行閃存
2023-03-27 10:55:25
3.3V均勻扇區(qū)雙和四串行閃存
2023-03-25 02:16:54
3.3V均勻扇區(qū)雙和四串行閃存
2023-03-25 02:06:57
3.3V均勻扇區(qū)雙和四串行閃存
2023-03-25 02:06:56
1Gb、3V多I/O串行閃存功能
2023-03-24 15:00:26
串行閃存與4kb扇區(qū)和雙輸出spi
2023-03-24 14:01:43
我正在嘗試編寫代碼來(lái)測(cè)試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個(gè)扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測(cè)試的其他階段。（我不想一次擦除整個(gè)芯片，因?yàn)槲覀兊闹饕浖枰獜?b class="flag-6" style="color: red">閃存中
2023-03-23 06:06:43
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