電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>DRAM為何略顯疲態(tài)? - 誰在引領(lǐng)存儲(chǔ)器需求?NOR和DRAM困擾何在?

DRAM為何略顯疲態(tài)? - 誰在引領(lǐng)存儲(chǔ)器需求?NOR和DRAM困擾何在?

上一頁(yè)12全文

本文導(dǎo)航

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

NOR Flash產(chǎn)能吃緊,逆市上揚(yáng)

同樣是存儲(chǔ)器芯片,DRAM產(chǎn)品的價(jià)格在持續(xù)下行,市場(chǎng)一片冰天雪地;而NOR Flash產(chǎn)品則在需求持續(xù)上漲的推動(dòng)下,價(jià)格企穩(wěn),且多家企業(yè)都由于供貨吃緊,醞釀漲價(jià)中......
2019-09-18 17:19:2912489

存儲(chǔ)器廠商發(fā)力,10納米DRAM技術(shù)待攻克

報(bào)導(dǎo),存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后,三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340

3倍薪水猛挖角 大陸存儲(chǔ)器廠瞄準(zhǔn)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)和DRAM

大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆,近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角,目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:151561

傳三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲(chǔ)器好景恐難延續(xù)

之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616

詳細(xì)講解重用外設(shè)驅(qū)動(dòng)代碼_SPI_NOR_Flash存儲(chǔ)器

第六章為重用外設(shè)驅(qū)動(dòng)代碼,本文內(nèi)容為6.2 SPI NOR Flash 存儲(chǔ)器。
2017-12-21 07:59:0013840

BY25QXXX系列NOR FLASH存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在有一些應(yīng)用中,我們可能需要大一些容量的存儲(chǔ)單元,而實(shí)現(xiàn)的形式多種多樣,在這一篇中我們將來討論怎么使用BY25QXXX系列NOR FLASH存儲(chǔ)器的問題。
2022-12-07 10:07:171367

DRAM存儲(chǔ)器為什么要刷新

DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267

DRAM持續(xù)下跌 存儲(chǔ)器封測(cè)廠本季展望

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌,存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià),近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%,將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152

DRAM,SRAM,SDRAM的關(guān)系與區(qū)別

(Dynamic RAM,DRAM)。SRAMSRAM(Static RAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),不需要刷新電路,數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,而且,一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低,不適合做容量大的內(nèi)存,一般是用在處理
2012-08-15 17:11:45

DRAM存儲(chǔ)原理和特點(diǎn)

  DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11

DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享

DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46

存儲(chǔ)器 IC 分類的糾結(jié)

以分成SRAM(Static RAM:靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM:動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫,翻譯過來就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43

存儲(chǔ)器的價(jià)格何時(shí)穩(wěn)定

技術(shù)的日趨成熟,存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)回穩(wěn).然而就DRAM市場(chǎng)來說,誰也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會(huì)穩(wěn)定下來.再來看市場(chǎng)需求狀況,雖然有些存儲(chǔ)器市場(chǎng)分段的市場(chǎng)需求正在增長(zhǎng),但是這些分段的增長(zhǎng)幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19

存儲(chǔ)器的分類介紹 各種存儲(chǔ)器功能分類大全

SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?! ?、動(dòng)態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變?! 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49

存儲(chǔ)器的分類介紹 各種存儲(chǔ)器功能分類大全

SRAM:其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?! ?、動(dòng)態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間,因此,每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變?! 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53

存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)及其分類

目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理:結(jié)構(gòu):芯片參數(shù)與引腳解讀:CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理:結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀:【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48

存儲(chǔ)器的相關(guān)資料推薦

存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息,例如R-S鎖存和門控D鎖存,進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-12-10 06:54:11

存儲(chǔ)器重新映射(Remap)的原因

的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中,初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開始的,但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng),造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高,故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去,然后重新映射存儲(chǔ)器空間,將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0,重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17

ARM存儲(chǔ)器有哪幾種呢

從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM(五)各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND???mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19

DDR存儲(chǔ)器芯片W9825G6KH-6介紹

商品參數(shù)存儲(chǔ)器容量256Mb (16M x 16)存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)DRAM存儲(chǔ)器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲(chǔ)器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57

F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大?

問題一:位圖都存儲(chǔ)在哪了?都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二:能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中?問題三:F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大?
2020-05-20 04:37:13

FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器的代碼

各位大神好,我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器,求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32

Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?

Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類?Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45

Flash存儲(chǔ)器的故障特征

Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15

MCU存儲(chǔ)器的資料大合集

SRAM(StaticRandom-AccessMemory):靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM(Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12

MRAM如何實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器,其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器,45nm
2023-04-07 16:41:05

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別

供電,它的資料就會(huì)一直存在,不需要?jiǎng)討B(tài)刷新,所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。以上主要用于系統(tǒng)內(nèi)存儲(chǔ)器,容量大,不需要斷電后仍保存數(shù)據(jù)的。PSRAMPSRAM ,假靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。具有一個(gè)單晶體管的DRAM儲(chǔ)存格
2015-11-04 10:09:56

SRAM存儲(chǔ)器何在網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)系統(tǒng)的應(yīng)用

采取包緩沖來提高處理能力,除了上面提及到的以外,隨著系統(tǒng)中存儲(chǔ)器資源的增加,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)分配也是必需的,路由或者交換機(jī)的這些附加功能正在重新定義這網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 具有更多新功能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng) 并隨著
2017-06-02 10:45:40

SRAM與DRAM及其SDRAM有哪些區(qū)別呢

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么?有何優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-12-24 07:04:20

STM32訪問外部存儲(chǔ)器-NOR-Flash

說明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來自AN2784應(yīng)用筆記:2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器,需要FSMC提供下述功能:●選擇合適的存儲(chǔ)塊映射NOR
2015-01-22 15:56:51

STM32訪問外部存儲(chǔ)器-NOR-Flash

說明的中文翻譯版中并沒有這部分的說明,因此需要參考庫(kù)函數(shù)的相關(guān)說明和庫(kù)中自帶的例程。以下內(nèi)容來自AN2784應(yīng)用筆記:2 與非總線復(fù)用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個(gè)NOR閃存存儲(chǔ)器,需要
2015-01-22 15:56:51

【單片機(jī)開發(fā)300問】動(dòng)態(tài)儲(chǔ)和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別?

問:動(dòng)態(tài)儲(chǔ)和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別?答:當(dāng)然動(dòng)態(tài)儲(chǔ)(DRAM)與靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)除了速度外,它們的價(jià)格也是一個(gè)天一個(gè)地,依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì),以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價(jià)紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57

為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新

存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的?分為哪幾類?為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新?如何進(jìn)行刷新?
2021-09-28 08:50:24

動(dòng)力電池管理系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器有什么需求

隨著電動(dòng)汽車技術(shù)的發(fā)展,以及***的政策鼓勵(lì)與扶持,電動(dòng)汽車(混動(dòng)+純電動(dòng))以每年超過50%的速度高速增長(zhǎng),電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動(dòng)汽車的核心組件,其市場(chǎng)需求也獲得相應(yīng)的快速增長(zhǎng)。本文將就電池管理系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器需求進(jìn)行分析。
2019-07-30 06:46:09

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類

Erasable PROM)。 ?。?) 混合型?! 《?、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類  1、按功能分為 ?。?)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。 1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹 RAM有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static
2023-05-19 15:59:37

單片機(jī)存儲(chǔ)器的相關(guān)資料下載

Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11

外部存儲(chǔ)器的相關(guān)資料下載

1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址,頁(yè)(Page),塊(Block)??梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49

多功能存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39

何在存儲(chǔ)器中寫入和讀取矩陣?

/383681#M3607我要將數(shù)據(jù)矩陣存儲(chǔ)在fpga而不是LUT的塊存儲(chǔ)器中作為內(nèi)存!因?yàn)榛谖揖帉懙拇a中的上述鏈接,它使用LUT作為內(nèi)存而不是fpga的塊內(nèi)存。所以它的容量很低.....我需要更多的空間來存儲(chǔ)像素?cái)?shù)據(jù)。能否指導(dǎo)我如何在存儲(chǔ)器中寫入和讀取矩陣?謝謝
2019-11-07 07:30:54

何在裸機(jī)和不使用外部存儲(chǔ)器的情況下在定制板上配置TOUCHGFX?

?我可以只使用內(nèi)部存儲(chǔ)器存儲(chǔ)幀緩沖區(qū),而不是外部存儲(chǔ)器,如 QSPI 、帶 FMC 的 SDRAM 嗎?如果有人對(duì)此有任何想法,請(qǐng)幫助我解決這個(gè)問題。
2022-12-06 07:24:53

嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)方法是什么?

隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng),其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17

怎么縮短高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)?

如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口?怎么縮短高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)?
2021-04-29 07:00:08

怎樣使移動(dòng)電話存儲(chǔ)子系統(tǒng)的功耗降至最低

NOR閃存小。管理NAND和MobileRAM之間代碼的關(guān)鍵軟件特性是需求頁(yè)面調(diào)度,它可以根據(jù)處理的預(yù)期在存儲(chǔ)器之間交換代碼/數(shù)據(jù)頁(yè)。 圖4:通過降低工作電流而不是待機(jī)電流可以最顯著地降低總的存儲(chǔ)器
2009-10-08 15:53:49

怎樣去降低H.264 INTRA幀編碼的運(yùn)算復(fù)雜性和存儲(chǔ)器需求

怎樣去降低H.264 INTRA幀編碼的運(yùn)算復(fù)雜性和存儲(chǔ)器需求?
2021-04-21 07:17:16

新技術(shù)世代即將來臨,存儲(chǔ)器依然炙手可熱

程轉(zhuǎn)換不易,服務(wù)需求依然暢旺,Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴(kuò)大,都給2018年DRAM的商機(jī)帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化,既是進(jìn)入障礙也是商機(jī)的來源,但非存儲(chǔ)器的商機(jī)仍然占了半導(dǎo)體市場(chǎng)
2018-12-24 14:28:00

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

汽車系統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的選擇

切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù),以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器,如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10

淺析DRAM和Nand flash

包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM),“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次,不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比,被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35

詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),電路結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單(采用單管單電容1T-1C的電路形式),因此集成度很高,但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏,為了能
2022-11-17 16:58:07

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57

閃速存儲(chǔ)器的分類及特征

閃速存儲(chǔ)器根據(jù)單元的連接方式,如表所示,可分成NAND、NOR、DINOR(Divided bit Line NOR)及AND幾類。NAND閃速存儲(chǔ)器單元的連接方式如圖 1 所示,NOR閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07

閃速存儲(chǔ)器的概要

與釋放來進(jìn)行的。例如,一般的NOR閃速存儲(chǔ)器在寫人時(shí)提高控制柵的電壓,向浮置柵注人電荷(圖 2)。而數(shù)據(jù)的擦除可以通過兩種方法進(jìn)行。一種方法是通過給源極加上+12V左右的高電壓,釋放浮置柵中的電荷
2018-04-10 10:52:59

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的相關(guān)資料推薦

。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失,因而只能在開機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種,一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器,只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59

GD25Q64CSIGR GD存儲(chǔ)器 貼片SOP8 NOR FLASH代燒錄 原裝現(xiàn)貨價(jià)優(yōu)

型號(hào):GD25Q64CSIGR 制造商:GigaDevice(兆易創(chuàng)新) 存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式):FLASH 存儲(chǔ)器接口類型:SPI 存儲(chǔ)器容量:64Mb存儲(chǔ)器類型:Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41

市場(chǎng)需求決定創(chuàng)新技術(shù)的選擇

市場(chǎng)需求決定創(chuàng)新技術(shù)的選擇 恒憶(Numonyx)一直引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新潮流,近日推出全新嵌入式NOR閃存芯片Axcell M29EW,和相變存儲(chǔ)器(PCM)等,將為移動(dòng)設(shè)備、家用電
2009-12-21 09:44:00642

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì) 1、引言 當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長(zhǎng),存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo) 存儲(chǔ)器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬,使其半
2010-01-18 16:07:21499

旺宏電子引領(lǐng)NOR閃存器進(jìn)入串行時(shí)代

旺宏電子引領(lǐng)NOR閃存器進(jìn)入串行時(shí)代 旺宏電子是全球最大的只讀存儲(chǔ)器(ROM)生產(chǎn)制造商和嵌入式市場(chǎng)全球第三大NOR閃存供應(yīng)商,提供跨越廣泛規(guī)格及
2010-04-12 09:08:371183

全球最薄動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)

日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993

flash存儲(chǔ)器的類型

FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295

存儲(chǔ)器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

在NI FlexRIO中使用DRAM

許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器,DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊, 您便可自由地將此類本地存儲(chǔ)納入
2017-11-17 17:28:15996

大陸存儲(chǔ)器競(jìng)賽邁向新局,兆易、紫光和聯(lián)電爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座

將與合肥睿力12吋廠資源整合,全面對(duì)決紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)及聯(lián)電的晉華集成,借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術(shù),爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座。
2017-11-24 12:51:38431

旺宏NOR快閃存儲(chǔ)器 形塑超高省電應(yīng)用與發(fā)展

隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷演進(jìn),芯片的晶體管的密集度屢創(chuàng)新高之際,同步也朝向更省電的發(fā)展推進(jìn),旺宏電子(Macronix)自推出業(yè)界最快的SPI NOR Flash系列存儲(chǔ)器產(chǎn)品,以500MB/s傳輸
2018-01-02 10:06:391443

2017年旺宏以在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%成為全球霸主

旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示,2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%,旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來
2018-02-01 05:34:011107

存儲(chǔ)器市況目前呈現(xiàn)兩類,DRAM歡喜NAND憂

目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733

全球存儲(chǔ)發(fā)展簡(jiǎn)史(DRAM、NAND Flash和Nor Flash)

NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域(另外還有DRAM),目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972

DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)將保持量?jī)r(jià)齊增態(tài)勢(shì)

存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā),DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%,首次超越邏輯電路,成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074

新型的存儲(chǔ)器技術(shù)有哪些 新型存儲(chǔ)器能解決哪些問題

盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來,但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng),只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而,無論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM,或是,離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)亮相閃存技術(shù)峰會(huì) 引領(lǐng)中國(guó)DRAM技術(shù)突破

作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463

5G與物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展促進(jìn)著存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)

隨著5G時(shí)代的逐漸逼近,物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展促進(jìn)著存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)表明,中國(guó)消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長(zhǎng)了39.56%。
2019-09-17 10:47:24790

中國(guó)將自主研發(fā)DRAM存儲(chǔ)器

業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653

隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的加大 國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)也將迎來加速發(fā)展

目前在全球的消費(fèi)電子市場(chǎng)上,存儲(chǔ)器是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。如果再將存儲(chǔ)器細(xì)分,又可分為 DRAM、NAND Flash 與 Nor Flash 三種。
2019-11-19 10:53:081122

汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)存儲(chǔ)器需求與日俱增

多款GigaDevice存儲(chǔ)器解決方案中,NOR Flash產(chǎn)品主要針對(duì)容量、封裝、安全等方面,滿足各個(gè)領(lǐng)域?qū)τ布O(shè)計(jì)的要求。GD25 SPI NOR Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品線可提供四種電壓規(guī)格、20年數(shù)據(jù)保持時(shí)間和10萬次擦寫次數(shù),具有高可靠性
2020-04-28 09:23:494489

存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化,但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn),并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器(SRAM,DRAMNOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847

如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH)

相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:3810522

一文分析2020年存儲(chǔ)器的行業(yè)現(xiàn)狀

獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要,包括NAND,DRAM,持久性存儲(chǔ)器,NOR,(NV)SRAM,新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025

關(guān)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器和新興存儲(chǔ)器應(yīng)用的簡(jiǎn)單分析

。 過去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng),因?yàn)樗鼈冃枰?b class="flag-6" style="color: red">DRAM控制器。SRAM進(jìn)入了內(nèi)存需求小的系統(tǒng)。DRAM進(jìn)入更大的存儲(chǔ)器,并伴隨著用于更大存儲(chǔ)器的控制器。 傳統(tǒng)存儲(chǔ)器供應(yīng)商提供可預(yù)測(cè)的價(jià)格和長(zhǎng)期客戶支持很重要,因?yàn)樾略O(shè)計(jì)仍然使用較舊的
2020-11-24 16:29:11599

非易失性存儲(chǔ)器-Nor Flash的特點(diǎn)都有哪些

Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器,其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046

存儲(chǔ)廠商證實(shí)利基型DRAMNOR Flash均已漲價(jià)

存儲(chǔ)器 IC 設(shè)計(jì)廠晶豪科技 (ESMT)昨日公開表示,利基型 DRAMNOR Flash 均已漲價(jià)。 晶豪科技指出,利基型 DRAM 部分價(jià)格已開始調(diào)高,合約價(jià)方面則將從明年第一季起開
2020-12-08 13:43:471630

存儲(chǔ)器將在年底面臨產(chǎn)能過剩危機(jī)

存儲(chǔ)器領(lǐng)域中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)是應(yīng)用最高的品類,產(chǎn)品市占率約60%;其次是NAND約占36%,NOR Flash 的份額非常小,約3%。
2022-06-17 11:02:371489

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575003

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547

SRAM存儲(chǔ)器的工作原理

SRAM也是易失性存儲(chǔ)器,但是,與DRAM相比,只要設(shè)備連接到電源,信息就被存儲(chǔ),一旦設(shè)備斷開電源,就會(huì)失去信息。 這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多,它一般由6個(gè)晶體管組成,因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207

DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021028

NAND Flash和NOR Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

摘要:本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲(chǔ)器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282

已全部加載完成