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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>測量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?

測量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?/h1>
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導通狀態(tài)下,柵極的行為基本上類似于二極管。與MOS晶體管不同,通過穿過AlGaN勢壘的電子將小的(大約10mA)電流從柵極注入到導電層。由于GaN材料中的空穴速度低,AlGaN-GaN界面處的電流傳導
2023-02-27 15:53:50

汽車傳導EMI優(yōu)化6.6W電源設(shè)計

描述此 PMP9398 參考設(shè)計是針對汽車應(yīng)用的傳導 EMI 優(yōu)化 6.6W 電源設(shè)計。該設(shè)計采用 SIMPLE SWITCHER? LM46002 同步降壓穩(wěn)壓器,提供 3.3V(最大 2A)輸出
2018-11-07 14:32:54

直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性

的偏壓電源。較低的電源電壓可提供相同的GaN柵極至漏端電荷(Qgs),從而可降低功耗。這些功率效率差異在更高的開關(guān)頻率下會進一步放大。反向恢復Qrr損失對于共源共柵配置有效。這是因為在第三象限導通
2023-02-14 15:06:51

第三代半導體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

穩(wěn)定的化合物,具有強的原子鍵、高的熱導率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物電離度是最高的、化學穩(wěn)定性好,使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強抗輻照能力,同時GaN又是高熔點材料,熱傳導率高,GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48

解決傳導干擾的八大對策分享

來源:搜狐網(wǎng)在電磁干擾EMI電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號是通過導線或公共電源線進行傳輸,互相產(chǎn)生干擾稱為傳導干擾。傳導干擾給不少電子工程師帶來困惑,如何解決傳導干擾?找對方法,你會發(fā)現(xiàn),傳導干擾其實很
2020-10-22 14:23:26

資深工程師電源設(shè)計策略:如何避免傳導EMI問題

`資深工程師電源設(shè)計策略:如何避免傳導EMI問題大部分傳導 EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問題都是由電源的寄生電容導致的。  我們著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線
2014-07-30 11:06:54

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導體技術(shù)

30 GHz由GaN PA和其他GaAs功能器件塑封形成的2W集成前端模塊。  通過使用包括陷阱和熱效應(yīng)以及測量結(jié)果的精確非線性FET模型,保證了電路設(shè)計的成功。將負載牽引測量與仿真結(jié)果進行比較驗證了
2020-12-21 07:09:34

傳導式EMI的測量技術(shù)

傳導式EMI 的測量技術(shù)「傳導式(conducted)EMI」是指部分的電磁(射頻)能量透過外部纜線(cable)、電源線、I/O 互連界面,形成「傳導波(propagation wave)」被傳送出去。本
2009-05-15 14:46:250

光纖光柵傳感測量中的交叉敏感研究

依據(jù)Bragg 光柵方程,從理論上分析了光纖光柵應(yīng)變和溫度雙參量同時測量中引起交叉敏感的物理機理,對有交叉敏感和無交叉敏感兩種情況下的誤差進行了分析討論,并給出了數(shù)學表達
2009-07-17 08:55:1229

GaN的極性特征測量及應(yīng)用

GaN的極性特征測量及應(yīng)用: GaN 在(0001) 方向是一種極性極強的半導體材料,它具有極強的表面特征,是目前發(fā)現(xiàn)的最好的壓電材料,而GaN 的極性呈現(xiàn)出體材料的特征,它的測量要用一些特
2010-01-02 14:15:2610

EMI/EMC設(shè)計講座(三)傳導式EMI的測量技術(shù)

傳導式(conducted)EMI」是指部分的電磁(射頻)能量透過外部纜線(cable)、電源線、I/O互連界面,形成「傳導波(propagationwave)」被傳送出去。本文將說明射頻能量經(jīng)由電源線傳
2010-06-06 11:42:430

弧焊逆變電源傳導騷擾測試和分析

本文分析了弧焊電源傳導騷擾的產(chǎn)生機理,介紹了傳導騷擾測試標準及測試方法,通過對幾種樣機的傳導騷擾測試表明,雖然添加合適的濾波器可以使傳導騷擾低于標準的限值,
2010-08-04 11:45:238

GaN電源管理芯片市場將增長快速

GaN電源管理芯片市場將增長快速 據(jù)iSuppli公司,由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機和有線通訊領(lǐng)域的快速增長,氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年
2010-03-25 10:12:471143

電磁兼容 試驗和測量技術(shù) 射頻場感應(yīng)的傳導騷擾抗擾度

電磁兼容 試驗和測量技術(shù) 射頻場感應(yīng)的傳導騷擾抗擾度測量標準
2016-12-09 15:01:016

準確測量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間

當測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間時,即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您的測量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進行準確測量的最佳實踐方法。
2017-04-18 12:34:042857

開關(guān)電源傳導差模EMI的抑制方法

開關(guān)電源傳導差模EMI的抑制方法
2017-09-11 15:35:5917

傳導式EMI對PCB有什么影響?如何測量傳導式EMI限制規(guī)定?

經(jīng)由電源線傳送時,所產(chǎn)生的「傳導式噪聲」對 PCB 的影響,以及如何測量傳導式 EMI」和 FCC、CISPR 的 EMI 限制規(guī)定。
2018-09-10 08:00:0012

基于EUT設(shè)備的傳導騷擾測試設(shè)計方案

傳導發(fā)射測試是測量受試設(shè)備(EUT)通過電源線或信號線向外發(fā)射的騷擾。根據(jù)騷擾的性質(zhì),傳導騷擾測試可分為連續(xù)騷擾電壓測量、騷擾功率測量、斷續(xù)騷擾喀嚦聲測量、諧波電流測量、電壓波動和閃爍測量。
2019-12-19 16:15:455239

氮化鎵(GaN)接替硅,支持高能效、高頻電源設(shè)計

此外,與硅不同,GaN沒有體二極管,其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導電流(稱為“第三象限”操作)。因此,GaN沒有反向恢復電荷(QRR),使其非常適合硬開關(guān)應(yīng)用。
2020-04-29 16:07:463490

如何實現(xiàn)高效GaN電源設(shè)計

由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低,寬禁帶半導體(SiC 和GaN)現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴苛應(yīng)用中。隨著效率的提高,對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確的測試
2020-11-18 10:38:0027

反激式開關(guān)電源EMI傳導騷擾的抑制

反激式開關(guān)電源EMI傳導騷擾的抑制(通信電源技術(shù)怎么投稿)-反激式開關(guān)電源EMI傳導騷擾的抑制………………………………………………
2021-09-29 13:28:00103

半橋GaN應(yīng)用中的交叉傳導解決方案

為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制,在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補驅(qū)動信號。為避免交叉傳導,有目的地將死區(qū)時間放置在驅(qū)動信號的高側(cè)和低側(cè)。對于快速開關(guān),與死區(qū)時間相關(guān)的損耗實際上是不可
2022-08-04 11:21:261322

電源設(shè)計中的模擬GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中,我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:54580

在高頻電源轉(zhuǎn)換器中演示基于GaN-HEMT的動態(tài)Rds電阻

R DSon(動態(tài)導通狀態(tài)電阻),這使得 GaN 半導體中的傳導損耗不可預測。捕獲的電荷通過偏置電壓 V off、偏置時間 T off以及開關(guān)狀態(tài)下電壓和電流之間的重疊來測量
2022-08-05 08:04:551291

電源設(shè)計中嘗試使用GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中,我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:55881

測試、測量試驗,確認 GaN 技術(shù)的價值

通過測試和測量持久力來評估電子設(shè)備的質(zhì)量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行,因為它自誕生以來就具有巨大的潛力,可以實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換,作為電力電子應(yīng)用中的關(guān)鍵顛覆者?;?GaN
2022-08-05 10:56:30940

電源小貼士#78:同步整流可改善反激式電源交叉調(diào)整率

電源小貼士#78:同步整流可改善反激式電源交叉調(diào)整率
2022-11-01 08:26:562

BOSHIDA電源模塊 電磁噪聲的處理 傳導EMI

BOSHIDA電源模塊 電磁噪聲的處理 傳導EMI 因為EMI的兩個主要類別(傳導和輻射噪聲)差異很大,所以分開討論首先,需要關(guān)注量化傳導噪聲測量的細節(jié),即如何測量在導體中作為電流傳輸?shù)母哳l噪聲
2023-06-07 09:11:30420

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