LED的發(fā)光過(guò)程主要包括載流子注入和復(fù)合兩個(gè)步驟。當(dāng)外加電壓施加在LED的正向偏置端時(shí)，電流通過(guò)LED的正向偏置結(jié)并注入到半導(dǎo)體材料中。
2024-03-22 15:34:36
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、襯底檢查、掃描電鏡檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、粗細(xì)撿漏、ESD 測(cè)試（2）常?失效模式分析：靜電損傷、過(guò)電損傷、鍵合
2024-03-15 17:34:29
服務(wù)范圍LED芯片、LED支架、LED封裝膠、銀漿、鍵合線(xiàn)、LED燈珠（COB、LAMP、TOP、CHIP）、LED燈具、燈具驅(qū)動(dòng)電源。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)● GB/T15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件
2024-03-15 09:23:03
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
網(wǎng)絡(luò)測(cè)試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/?溫)驗(yàn)證。（3）破壞性分析：塑料開(kāi)封、去層、板級(jí)切片、芯片級(jí)切片、推拉力測(cè)試。（4）微觀顯微分析：DB FIB
2024-03-14 16:12:31
開(kāi)封以及機(jī)械開(kāi)封等檢測(cè)方法。結(jié)合OM,X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。服務(wù)范圍IC芯片半導(dǎo)體檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 37045-2018 信息技
2024-03-14 10:03:35
基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測(cè)試無(wú)法評(píng)估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)
2024-03-13 16:26:07
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
在智能卡三輪測(cè)試中，失效表現(xiàn)為芯片受損，本文基于有限元模型來(lái)研究智能 IC 卡（Integrated circuit card）芯片受力分析與強(qiáng)度提升方法，
2024-02-25 09:49:29215 
是的，LED發(fā)光二極管是半導(dǎo)體器件。它是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為光能的設(shè)備，具有高效、長(zhǎng)壽命和環(huán)保的特點(diǎn)。在現(xiàn)代生活中，LED發(fā)光二極管已經(jīng)廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等領(lǐng)域。 為了測(cè)量LED發(fā)光
2024-02-02 16:55:05215 LED發(fā)光二極管亮度劃分的標(biāo)準(zhǔn)是什么 LED發(fā)光二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)LED）是一種采用固態(tài)發(fā)光技術(shù)的電子器件，具有高亮度、高色彩純度、低能耗和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用中，不同等級(jí)的LED亮度有所差異，因此有
2024-01-31 14:24:50625 ; QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求檢測(cè)項(xiàng)目試驗(yàn)類(lèi)型試驗(yàn)項(xiàng)??損分析X 射線(xiàn)透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡電特性/電性定位分析電參數(shù)測(cè)試、IV&a
2024-01-29 22:40:29
服務(wù)范圍LED芯片、LED支架、LED封裝膠、銀漿、鍵合線(xiàn)、LED燈珠（COB、LAMP、TOP、CHIP）、LED燈具、燈具驅(qū)動(dòng)電源。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)● GB/T15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件
2024-01-29 22:04:38
開(kāi)封以及機(jī)械開(kāi)封等檢測(cè)方法。結(jié)合OM,X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。服務(wù)范圍IC芯片半導(dǎo)體檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 37045-2018 信息技
2024-01-29 21:57:55
AEC-Q104認(rèn)證測(cè)試廣電計(jì)量AEC-Q104測(cè)試能力提供全套的測(cè)試認(rèn)證服務(wù)，通過(guò)使用各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)產(chǎn)品的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式或機(jī)理，確定其最終原因，提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝
2024-01-29 21:47:22
鐘組設(shè)備 頻率穩(wěn)定度測(cè)試分析儀多通道數(shù)字化頻穩(wěn)測(cè)試分析儀（簡(jiǎn)稱(chēng)頻穩(wěn)分析儀）是一款基于雙混頻時(shí)差測(cè)量原理，利用數(shù)字技術(shù)結(jié)合虛擬儀器技術(shù)實(shí)現(xiàn)頻率測(cè)量的儀器。能夠接收外部信號(hào)源作為參考，被測(cè)信號(hào)與參考信號(hào)
2024-01-23 13:40:17
隨著科技的不斷發(fā)展，LED（Light Emitting Diode，發(fā)光二極管）已經(jīng)成為現(xiàn)代照明和電子產(chǎn)品中最常用的光源之一。本文將詳細(xì)介紹LED的發(fā)光原理，以及如何判斷LED的正負(fù)極
2024-01-22 11:31:52320 目前，國(guó)內(nèi)不少?gòu)S家在生產(chǎn)燈具后僅僅對(duì)燈具進(jìn)行簡(jiǎn)單的老化測(cè)試后出貨，顯然這是無(wú)法檢驗(yàn)出LED的壽命期的失效情況，同時(shí)無(wú)法保證產(chǎn)品的質(zhì)量，因此后期可能會(huì)有不少的客戶(hù)退貨返修。也有部分廠家對(duì)燈具做高溫
2024-01-11 16:48:40143 
什么是鋰離子電池失效？鋰離子電池失效如何有效分析檢測(cè)？ 鋰離子電池失效是指電池容量的顯著下降或功能完全喪失，導(dǎo)致電池?zé)o法提供持久且穩(wěn)定的電能輸出。鋰離子電池失效是由多種因素引起的，包括電池化學(xué)反應(yīng)
2024-01-10 14:32:18216 去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無(wú)法觀察到失效點(diǎn)，這時(shí)候就需要對(duì)芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理，對(duì)于多層布線(xiàn)的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來(lái)逐一去除，直至最后一層金屬化和介質(zhì)層。
2024-01-09 15:17:27108 在了解了DIPIPM失效分析的流程后是不是會(huì)很容易地找到市場(chǎng)失效的原因了呢？答案是否定的。不管是對(duì)收集到的市場(chǎng)失效信息還是對(duì)故障解析報(bào)告的解讀、分析都需要相應(yīng)的專(zhuān)業(yè)技能作為背景，對(duì)整機(jī)進(jìn)行的測(cè)試也需要相應(yīng)的測(cè)試技能。
2023-12-27 15:41:37278 
BGA（Ball Grid Array）是一種高密度的表面貼裝封裝技術(shù)，它將芯片的引腳用焊球代替，并以網(wǎng)格狀排列在芯片的底部，通過(guò)回流焊與印刷電路板（PCB）上的焊盤(pán)連接。然而，BGA也存在一些可靠性問(wèn)題，其中最常見(jiàn)的就是焊點(diǎn)失效。本文主要介紹兩種典型的BGA焊點(diǎn)失效模式：冷焊和葡萄球效應(yīng)。
2023-12-27 09:10:47233 DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱(chēng)，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIPM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧，旨在幫助讀者全面了解并正確使用該產(chǎn)品。
2023-12-22 15:15:27241 
度發(fā)光。相比傳統(tǒng)的頂發(fā)光LED燈珠，側(cè)發(fā)光LED燈珠的發(fā)光效果更加均勻，能夠提供更加明亮的照明效果。 2. 顯色性好 側(cè)發(fā)光貼片LED燈珠具有顯色性好的特點(diǎn)，可以提供高質(zhì)量、高還原的光照。它能夠準(zhǔn)確還原物體原本的顏色，使照明效果更加真實(shí)、自然。 3. 高光效
2023-12-21 10:50:55560 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求,高低溫濕熱交變?cè)囼?yàn)箱對(duì)均勻度的要求是小于或等于2℃,如均勻度過(guò)大就表示試驗(yàn)箱不符合要求,這時(shí)就要和廠家聯(lián)系,了解是什么在影響高低溫濕熱交變?cè)囼?yàn)箱的均勻度?一般情況下原因有以下幾點(diǎn)
2023-12-21 10:32:07116 
LED沒(méi)有燈絲是靠什么發(fā)光的，你知道嗎？ LED是一種半導(dǎo)體材料制成的電子元件，它通過(guò)電流在半導(dǎo)體材料中的復(fù)合和重新結(jié)合而發(fā)光，而不像傳統(tǒng)的白熾燈泡需要依靠燈絲來(lái)發(fā)光。在這篇文章中，我將為您詳細(xì)介紹
2023-12-20 11:16:56450 ▼關(guān)注公眾號(hào)：工程師看海▼ 失效分析一直伴隨著整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈，復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)鏈中任意一環(huán)出現(xiàn)問(wèn)題都會(huì)帶來(lái)芯片的失效問(wèn)題。芯片從工藝到應(yīng)用都會(huì)面臨各種失效風(fēng)險(xiǎn)，筆者平時(shí)也會(huì)參與到失效分析中，這一期就對(duì)失效
2023-12-20 08:41:04530 
你知道色溫均勻性對(duì)LED前照燈的重要性嗎？ 當(dāng)談到LED前照燈時(shí)，色溫均勻性是一個(gè)非常重要的因素。色溫均勻性指的是LED前照燈中各個(gè)發(fā)光單元之間的色溫保持一致，沒(méi)有明顯的色差。具有良好的色溫均勻
2023-12-19 13:47:16408 IC的片內(nèi)和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？ IC的片內(nèi)和片間非均勻性是指在IC設(shè)計(jì)和制造的過(guò)程中，芯片內(nèi)部或芯片之間出現(xiàn)的性能或結(jié)構(gòu)的不均勻分布現(xiàn)象。這種非均勻性可以在多個(gè)層面上存在，例如晶體管
2023-12-19 11:48:24204 中是普遍存在的，對(duì)光束的傳播和成像質(zhì)量都會(huì)產(chǎn)生重要的影響。本文將對(duì)片內(nèi)和片間非均勻性進(jìn)行詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的解釋?zhuān)㈥U明其作用。 首先，我們來(lái)分析片內(nèi)非均勻性。片內(nèi)非均勻性主要包括以下幾個(gè)方面： 1. 波前偏差：波前偏差是
2023-12-19 11:48:19198 一、案例背景 PCBA組裝完成后，測(cè)試過(guò)程中插入U(xiǎn)SB時(shí)脫落。 #1-3為PCBA樣品，#4-5為USB單品。 二、分析過(guò)程 #1樣品PCB側(cè)剝離面特征分析 1）外觀分析 ? 測(cè)試結(jié)果：焊接面有較大
2023-12-18 09:56:12155 
成分發(fā)現(xiàn)，須莊狀質(zhì)是硫化銀晶體。原來(lái)電阻被來(lái)自空氣中的硫給腐蝕了。 失效分析發(fā)現(xiàn)，主因是電路板上含銀電子元件如貼片電阻、觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、繼電器和LED等被硫化腐蝕而失效。銀由于優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)電特性，會(huì)被使用作為電極、焊接材料
2023-12-12 15:18:171020 
1、案例背景 LED燈帶在使用一段時(shí)間后出現(xiàn)不良失效，初步判斷失效原因?yàn)殂~腐蝕。據(jù)此情況，對(duì)失效樣品進(jìn)行外觀觀察、X-RAY分析、切片分析等一系列檢測(cè)手段，明確失效原因。 2、分析過(guò)程 2.1 外觀
2023-12-11 10:09:07188 
從發(fā)光效果、光線(xiàn)均勻度、節(jié)能性、使用壽命和適用場(chǎng)景等方面，對(duì)其進(jìn)行詳盡、詳實(shí)、細(xì)致的比較。 首先，從發(fā)光效果來(lái)看，四面發(fā)光LED在四個(gè)方向上都能均勻散發(fā)光線(xiàn)，使得照明范圍更廣。然而，兩面發(fā)光LED只有兩個(gè)方向能發(fā)光，因此其照射范圍相對(duì)較小。如果需要更廣泛的照明
2023-12-09 16:09:261495 Correction，PFC）電路則用于提高電源功率因數(shù)，減少諧波污染。在一些高功率應(yīng)用中，圖騰柱PFC電路廣泛應(yīng)用。 然而，經(jīng)實(shí)踐證明，圖騰柱PFC在浪涌測(cè)試中容易出現(xiàn)慢管（slow turn-off）失效的問(wèn)題。在本文中，我們將詳細(xì)討論圖騰柱PFC浪涌測(cè)試慢管失效的原因和可能的解決方法。 第一部分
2023-12-07 13:37:52412 LED（發(fā)光二極管）燈珠發(fā)光的原理基于半導(dǎo)體的電學(xué)特性，具體來(lái)說(shuō)，是基于PN結(jié)的電致發(fā)光效應(yīng)。
2023-12-05 13:48:14854 led產(chǎn)品的分類(lèi)有很多，如led根據(jù)發(fā)光管發(fā)光顏色、發(fā)光管出光面特征、發(fā)光管結(jié)構(gòu)、發(fā)光強(qiáng)度、工作電流、芯片材料及功能等，有不用的分類(lèi)方法。深圳銀聯(lián)寶科技主攻方向是Led驅(qū)動(dòng)電源芯片。今天的主角
2023-12-04 16:03:18470 
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱(chēng)，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIPM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧，旨在幫助讀者全面了解并正確使用該產(chǎn)品。
2023-11-29 15:16:24414 
損壞的器件不要丟，要做失效分析！
2023-11-23 09:04:42181 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721 
FPC在后續(xù)組裝過(guò)程中，連接器發(fā)生脫落。在對(duì)同批次的樣品進(jìn)行推力測(cè)試后，發(fā)現(xiàn)連接器推力有偏小的現(xiàn)象。據(jù)此進(jìn)行失效分析，明確FPC連接器脫落原因。
2023-11-20 16:32:22312 
將詳細(xì)分析光耦失效的幾種常見(jiàn)原因。 首先，常見(jiàn)的光耦失效原因之一是LED失效。LED是光耦發(fā)光二極管的核心部件，它會(huì)發(fā)出光信號(hào)。常見(jiàn)的LED失效原因有兩種：老化和損壞。LED的使用壽命是有限的，長(zhǎng)時(shí)間使用后會(huì)逐漸老化。老化后的LE
2023-11-20 15:13:441445 如何使用電壓加速進(jìn)行器件的ELF(早期失效)測(cè)試？ 電壓加速法是一種常用于測(cè)試電子器件早期失效（Early Life Failure，ELF）的方法。該方法通過(guò)增加電壓施加在器件上，模擬器件在正常
2023-11-17 14:35:54240 那么就要用到一些常用的失效分析技術(shù)。介于PCB的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與失效的主要模式，其中金相切片分析是屬于破壞性的分析技術(shù)，一旦使用了這兩種技術(shù)，樣品就破壞了，且無(wú)法恢復(fù)；另外由于制樣的要求，可能掃描電鏡分析和X射線(xiàn)能譜分析有時(shí)也需要部分破壞樣品。
2023-11-16 17:33:05115 介紹LGA器件焊接失效分析及對(duì)策
2023-11-15 09:22:14349 
發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光原理是向化合物半導(dǎo)體的pn結(jié)施加正向電流。
2023-11-09 14:17:53663 
異常品暗電流值 正常品暗電流值 異常品阻值 正常品阻值 測(cè)試結(jié)果 異常品暗電流為4.9989mA，偏離要求范圍（1mA 以?xún)?nèi)），且針對(duì)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的分析未見(jiàn)異常。 2、外觀及X-RAY分析 X-RAY 外觀 測(cè)試結(jié)果 X-RAY 及外觀檢測(cè)，未見(jiàn)異常。 3、針對(duì)失效現(xiàn)象的初步
2023-11-03 11:24:22279 
等問(wèn)題，分析其失效原因，通過(guò)試驗(yàn)，確認(rèn)鍵合點(diǎn)間距是弧形狀態(tài)的重要影響因素。據(jù)此，基于鍵合設(shè)備的能力特點(diǎn)，在芯片設(shè)計(jì)符合鍵合工藝規(guī)則的前提下，提出鍵合工藝的優(yōu)化。深入探討在設(shè)計(jì)芯片和制定封裝工藝方案時(shí)，保證鍵合點(diǎn)與周?chē)饘倩瘏^(qū)域的合理間距以及考慮芯片PAD與管殼鍵合指的距離的重要性。
2023-11-02 09:34:05378 
導(dǎo)語(yǔ)：均勻性在芯片制程的每一個(gè)工序中都需要考慮到，包括薄膜沉積，刻蝕，光刻，cmp，離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均勻性是什么？如何計(jì)算？有什么作用呢？
2023-11-01 18:21:12503 
該專(zhuān)利同時(shí)提供rgb三色發(fā)光的Micro-LED芯片。通過(guò)將多個(gè)電極、絕緣層和極管疊層在一起進(jìn)行連接的方法，可以在有限的像素面積內(nèi)增加各子像素的面積，使各種顏色均勻發(fā)光，減少成為led單線(xiàn)的概率。保證優(yōu)秀的光學(xué)品質(zhì)效果。
2023-11-01 11:32:07357 因?yàn)镸icro LED尺寸很小，傳統(tǒng)顯示器量測(cè)設(shè)備鏡頭的相機(jī)像素?zé)o法滿(mǎn)足檢測(cè)需求，臺(tái)灣地區(qū)工研院研發(fā)團(tuán)隊(duì)利用“重復(fù)曝光色彩校正技術(shù)”，以重復(fù)曝光方式達(dá)到Micro LED面板色彩的平衡，并通過(guò)光學(xué)校正技術(shù)分析色彩均勻度，達(dá)到準(zhǔn)確量測(cè)目的。
2023-10-26 16:42:03243 
芯片粘接質(zhì)量是電路封裝質(zhì)量的一個(gè)關(guān)鍵方面，它直接影響電路的質(zhì)量和壽命。文章從芯片粘接強(qiáng)度的失效模式出發(fā)，分析了芯片粘接失效的幾種類(lèi)型，并從失效原因出發(fā)對(duì)如何在芯片粘接過(guò)程中提高其粘接強(qiáng)度提出了四種
2023-10-18 18:24:02395 
ACTBOX艾科特推出高精度高低溫試驗(yàn)箱，溫度均勻度≤1℃
2023-10-18 09:54:31213 
本文涵蓋HIP失效分析、HIP解決對(duì)策及實(shí)戰(zhàn)案例。希望您在閱讀本文后有所收獲，歡迎在評(píng)論區(qū)發(fā)表您的想法。
2023-10-16 15:06:08299 
新一代超薄AlGaInP外延技術(shù)和與之匹配的芯片鈍化技術(shù)是紅光Micro LED亮度提升的關(guān)鍵。據(jù)悉，JBD紅光的像素尺寸為4um，而發(fā)光的LED尺寸＜2um，這也對(duì)發(fā)光效率提出了更為苛刻的要求。
2023-10-10 14:42:43222 本文主要設(shè)計(jì)了用于封裝可靠性測(cè)試的菊花鏈結(jié)構(gòu)，研究了基于扇出型封裝結(jié)構(gòu)的芯片失效位置定位方法，針對(duì)芯片偏移、ＲDL 分層兩個(gè)主要失效問(wèn)題進(jìn)行了相應(yīng)的工藝改善。經(jīng)過(guò)可靠性試驗(yàn)對(duì)封裝的工藝進(jìn)行了驗(yàn)證，通過(guò)菊花鏈的通斷測(cè)試和阻值變化，對(duì)失效位置定位進(jìn)行了相應(yīng)的失效分析。
2023-10-07 11:29:02410 
NO.1 案例背景 某攝像頭模組，在生產(chǎn)測(cè)試過(guò)程中發(fā)生功能不良失效，經(jīng)過(guò)初步的分析，判斷可能是LGA封裝主芯片異常。 NO.2 分析過(guò)程 #1 X-ray分析 樣品#1 樣品#2 測(cè)試結(jié)果：兩個(gè)失效
2023-09-28 11:42:21399 
發(fā)光二極管的光子點(diǎn)陣技術(shù)使大面積LED整個(gè)LED芯片表面亮度均勻的芯片。光功率和亮度由這些大的單片芯片使解決方案取代了弧形和傳統(tǒng)高功率LED陣列的鹵素?zé)舨豢赡堋?
2023-09-22 16:52:12
0 發(fā)光二極管的光子點(diǎn)陣技術(shù)使大面積
LED整個(gè)
LED芯片表面亮度
均勻的
芯片。光功率和亮度由這些大的單片
芯片使解決方案取代了弧形和傳統(tǒng)高功率
LED陣列的鹵素?zé)舨豢赡堋?/div>
2023-09-22 16:44:070 失效分析是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開(kāi)始從軍工向普通企業(yè)普及，它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。
2023-09-12 09:51:47291 
失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。
2023-09-06 10:28:051331 
IC。然而，IC在使用過(guò)程中也可能出現(xiàn)失效的情況，從而影響到整個(gè)設(shè)備的使用效果。因此，對(duì)IC失效分析的研究變得越來(lái)越重要。 IC失效的原因有很多，例如因?yàn)楣に囘^(guò)程中的不良導(dǎo)致芯片內(nèi)部有缺陷，或者長(zhǎng)時(shí)間使用導(dǎo)致老化而出現(xiàn)失效等。為了找出IC失效的原因，在
2023-08-29 16:35:13627 芯片失效分析方法 芯片失效原因分析? 隨著電子制造技術(shù)的發(fā)展，各種芯片被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)生產(chǎn)和家庭電器中。然而，在使用過(guò)程中，芯片的失效是非常常見(jiàn)的問(wèn)題。芯片失效分析是解決這個(gè)問(wèn)題的關(guān)鍵。 芯片
2023-08-29 16:29:112800 半導(dǎo)體失效分析? 半導(dǎo)體失效分析——保障電子設(shè)備可靠性的重要一環(huán) 隨著電子科技的不斷發(fā)展，電子設(shè)備已成為人們生活和工作不可或缺的一部分，而半導(dǎo)體也是電子設(shè)備中最基本的組成部分之一。其作用是將電能轉(zhuǎn)化
2023-08-29 16:29:08736 鉭電容失效分析 鉭電容失效原因分析 鉭電容燒壞的幾種原因 鉭電容是一種電子元器件，通常用于將電場(chǎng)儲(chǔ)存為電荷的裝置。它們具有高電容和低ESR等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、模擬電路和電源等領(lǐng)域。然而
2023-08-25 14:27:562133 當(dāng)冷熱沖擊試驗(yàn)箱組裝完成后，就需要進(jìn)入調(diào)試階段，在調(diào)試的過(guò)程中，需要對(duì)很多參數(shù)進(jìn)行處理，比如冷熱沖擊試驗(yàn)箱的“均勻度”，那么冷熱沖擊試驗(yàn)箱的均勻度會(huì)有哪些影響因素呢?接下來(lái)ASLI小編就來(lái)詳細(xì)介紹
2023-08-23 11:58:12303 
本文通過(guò)對(duì)典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過(guò)對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對(duì)各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930 隨著市場(chǎng)需求的不斷增加，近年從事LED制造和研發(fā)的人員大大增加。LED企業(yè)亦如雨后春筍般成長(zhǎng)。由于從事LED驅(qū)動(dòng)研發(fā)的企業(yè)和人眾多，其技術(shù)水平參 差不齊，研發(fā)出來(lái)的LED驅(qū)動(dòng)電路質(zhì)量好壞不一。導(dǎo)致LED燈具的失效時(shí)常發(fā)生，阻礙了LED照明的市場(chǎng)推廣。
2023-07-25 09:12:046864 
季豐電子已成功為客戶(hù)完成了20多項(xiàng)SER測(cè)試，芯片種類(lèi)包括flash、SRAM、SOC等。輻射源包括 中子流、質(zhì)子流、X射線(xiàn)、α射線(xiàn)、β射線(xiàn)、γ射線(xiàn)等。
2023-07-15 09:52:533546 
金鑒方博士：車(chē)規(guī)AEC-Q102認(rèn)證需要一個(gè)強(qiáng)大的LED失效分析實(shí)驗(yàn)室作基礎(chǔ)支撐在當(dāng)今汽車(chē)市場(chǎng)上，LED比氙氣燈系列產(chǎn)品更受車(chē)友昔愛(ài)。但是，在實(shí)際工作中常碰到車(chē)友們抱怨買(mǎi)了LED燈泡后的結(jié)果卻不
2023-07-11 10:07:31551 
信號(hào)板HDMI連接器接地pin腳出現(xiàn)燒毀不良圖源:華南檢測(cè)中心本文案例，從信號(hào)板HDMI連接器接地pin腳出現(xiàn)燒毀不良現(xiàn)象展開(kāi)，通過(guò)第三方實(shí)驗(yàn)室提供失效分析報(bào)告，可以聚焦失效可能原因，比如，可能輸入
2023-07-05 10:04:23238 
與開(kāi)封前測(cè)試結(jié)果加以比較，是否有改變，管殼內(nèi)是否有水汽的影響。進(jìn)一步可將表面氧化層、鋁條去掉，用機(jī)械探針扎在有關(guān)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行靜態(tài)（動(dòng)態(tài)）測(cè)試、判斷被隔離部分是否性能正常，分析失效原因。
2023-07-05 09:43:04317 
與外界的連接。然而，在使用過(guò)程中，封裝也會(huì)出現(xiàn)失效的情況，給產(chǎn)品的可靠性帶來(lái)一定的影響。因此，對(duì)于封裝失效的分析和解決方法具有很重要的意義。
2023-06-28 17:32:001779 BGA失效分析與改善對(duì)策
2023-06-26 10:47:41438 
為了防止在失效分析過(guò)程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機(jī)理，封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進(jìn)行。
2023-06-25 09:02:30315 
集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效中封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式（失效模式），查找封裝失效原因，確定失效的物理化學(xué)過(guò)程（失效機(jī)理），為集成電路封裝糾正設(shè)計(jì)、工藝改進(jìn)等預(yù)防類(lèi)似封裝失效的再發(fā)生，提升
2023-06-21 08:53:40572 芯片測(cè)試設(shè)備是用于檢測(cè)芯片性能的工具和設(shè)備。這些設(shè)備可以幫助工程師、科學(xué)家和制造商檢測(cè)和分析芯片的特定屬性，以確保它們符合規(guī)格和標(biāo)準(zhǔn)。以下是一些常見(jiàn)的芯片測(cè)試設(shè)備：
邏輯分析儀（Logic
2023-06-17 15:01:52
SH79F9476系列芯片集成有恒流LED驅(qū)動(dòng)器，具有256級(jí)單點(diǎn)灰度可調(diào)、恒流驅(qū)動(dòng)亮度均勻等特性；以SH79F9476作為主控芯片制作LED DEMO如下。
2023-06-16 10:49:07378 本文介紹在研制LED前照燈時(shí)發(fā)現(xiàn)色溫不均勻的情況以及其變化規(guī)律、產(chǎn)生根源和幾點(diǎn)建議。LED汽車(chē)前照燈是LED在車(chē)燈領(lǐng)域最高端的應(yīng)用，目前還處在起步階段。一方面，前照燈新型光源——LED自身要克服
2023-06-06 10:17:41414 LED燈（LED lamp）是指利用發(fā)光二極管作為光源的燈具，一般使用銀膠或白膠將半導(dǎo)體LED固化到支架上，然后用銀線(xiàn)或金線(xiàn)連接芯片和電路板，四周用環(huán)氧樹(shù)脂密封，起到保護(hù)內(nèi)部芯線(xiàn)的作用，最后安裝外殼。
2023-06-06 09:16:151875 高低溫箱均勻度低至0.1℃；還有更好的嗎
2023-05-29 09:39:22202 
LED驅(qū)動(dòng)電源作為LED照明中不可或缺的一部分，對(duì)其電子封裝技術(shù)要求亦愈發(fā)嚴(yán)苛，不僅需要具備優(yōu)異的耐候性能、機(jī)械力學(xué)性能、電氣絕緣性能和導(dǎo)熱性能，同時(shí)也需要兼顧灌封材料和元器件的粘接性。那么在LED驅(qū)動(dòng)電源的使用中，導(dǎo)致LED驅(qū)動(dòng)電源失效的原因都有哪些呢?下面就跟隨名錦坊小編一起來(lái)看看吧!
2023-05-18 11:21:19851 目前針對(duì)CDM的測(cè)試規(guī)模主要有：ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 /IEC 60749-28/AEC-Q100-11。這三個(gè)詳規(guī)都是針對(duì)封裝后的芯片。
2023-05-16 15:53:184648 
48立方恒溫恒濕試驗(yàn)箱性能指標(biāo)說(shuō)明：均勻度≤0.6℃（國(guó)標(biāo)≤2℃）
2023-05-15 11:08:10527 
紅光LED芯片是單電極結(jié)構(gòu)，它兩個(gè)電極之間的材質(zhì)、厚度、襯底材料與雙電極的藍(lán)綠光LED不一樣，所承受的靜電能量要比雙電極的高很多。
2023-05-15 09:26:20423 
失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì)，使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。
2023-05-13 17:16:251365 。
通過(guò)對(duì)TVS篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征．結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時(shí)所受的應(yīng)力等。采用理論分析和試驗(yàn)證明等方法分析導(dǎo)致7rvS器件短路失效的原因。
2023-05-12 17:25:483678 
芯片對(duì)于電子設(shè)備來(lái)說(shuō)非常的重要，進(jìn)口芯片在設(shè)計(jì)、制造和使用的過(guò)程中難免會(huì)出現(xiàn)失效的情況。于是當(dāng)下，生產(chǎn)對(duì)進(jìn)口芯片的質(zhì)量和可靠性的要求越來(lái)越嚴(yán)格。因此進(jìn)口芯片失效分析的作用也日漸凸顯了出來(lái)，那么進(jìn)口芯片失效分析常用的方法有哪些呢？下面安瑪科技小編為大家介紹。
2023-05-10 17:46:31548 LED是一種直接將電能轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光和輻射能的發(fā)光器件，具有耗電量小、發(fā)光效率高、體積小等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)逐漸成為了一種新型高效節(jié)能產(chǎn)品，并且被廣泛應(yīng)用于顯示、照明、背光等諸多領(lǐng)域。近年來(lái)，隨著LED
2023-04-26 14:45:59544 為了將制程問(wèn)題降至最低，環(huán)旭電子利用高精度3D X-Ray定位異常元件的位置，利用激光去層和重植球技術(shù)提取SiP 模組中的主芯片。同時(shí)，利用X射線(xiàn)光電子能譜和傅立葉紅外光譜尋找元件表面有機(jī)污染物的源頭，持續(xù)強(qiáng)化SiP模組失效分析領(lǐng)域分析能力。
2023-04-24 11:31:411357 相比較傳統(tǒng)的鹵素?zé)艉碗瘹鉄簦?b class="flag-6" style="color: red">LED具有獨(dú)到的優(yōu)勢(shì)，如壽命長(zhǎng)，發(fā)光效率高，響應(yīng)速度快，體積小，設(shè)計(jì)可塑性強(qiáng)等。近幾年來(lái)，LED已逐漸被應(yīng)用在汽車(chē)前照燈中，尤其是在高端車(chē)型中。然而，與傳統(tǒng)光源相比
2023-04-19 10:08:03417 失效分析（FA）是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開(kāi)始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開(kāi)發(fā)
2023-04-18 09:11:211360 
【摘要】大功率LED應(yīng)用非常廣泛，其能耗小，照明強(qiáng)度高，當(dāng)大規(guī)模芯片整合后，提高了LED的散熱能量，若芯片發(fā)出的熱量得不到及時(shí)處理將會(huì)影響LED陣列使用壽命，本文通過(guò)分析LED陣列工作原理，討論
2023-04-14 10:21:51903 BGA失效分析與改善對(duì)策
2023-04-11 10:55:48577 程中出現(xiàn)了大量的失效問(wèn)題。 對(duì)于這種失效問(wèn)題，我們需要用到一些常用的失效分析技術(shù)，來(lái)使得PCB在制造的時(shí)候質(zhì)量和可靠性水平得到一定的保證，本文總結(jié)了十大失效分析技術(shù)，供參考借鑒。
2023-04-10 14:16:22749 SH79F9476系列芯片集成有恒流LED驅(qū)動(dòng)器，具有256級(jí)單點(diǎn)灰度可調(diào)、恒流驅(qū)動(dòng)亮度均勻等特性；以SH79F9476作為主控芯片制作LED DEMO如下。
2023-03-31 10:32:132561 已全部加載完成
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