國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL

SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此SRAM具有較高的性能，SRAM也有許多種，如Async SRAM （A異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。

隨著5G 網(wǎng)絡(luò)科技的普及，越來越多的產(chǎn)品應(yīng)用中對(duì)內(nèi)存需求越來越大，當(dāng)STM32系列內(nèi)置SRAM出現(xiàn)不足的情況，設(shè)計(jì)者開始考慮是否可以采用利用STM32系列豐富的外設(shè)資源來外擴(kuò)SRAM芯片。下面介紹一款可替換于IS61WV12816FALL的EMI國(guó)產(chǎn)外擴(kuò)SRAM芯片EMI502NL16LM。

英尚微電子EMI代理推薦一款EMI502NL16LM產(chǎn)品，該系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬為128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片，電源電壓范圍為2.3V?3.6V，具備三態(tài)輸出和TTL兼容，低數(shù)據(jù)保持電壓：1.5V（最小值），這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片規(guī)模封裝，以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該系列還支持低數(shù)據(jù)保持電壓，以低數(shù)據(jù)保持電流實(shí)現(xiàn)電池備份操作。封裝采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2，48BGA。

關(guān)于EMI

EMI公司是一家專注存儲(chǔ)SRAM/PSRAM芯片、顯示驅(qū)動(dòng)，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售的塢無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。公司擁有國(guó)際知名設(shè) 計(jì)專家及工作經(jīng)驗(yàn)豐富工程師研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與國(guó)內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。
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芯片(407685) 芯片(407685)
存儲(chǔ)器(161611) 存儲(chǔ)器(161611)
sram(113777) sram(113777)

評(píng)論

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2024-01-12 18:48:02

MDMF502L1C7-MINAS A6NL系列 (RTEX) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書松下

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2024-01-12 18:47:09

MDMF502L1C6M-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料－基本功能規(guī)格篇－松下

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2024-01-11 19:31:54

MDMF502L1C6M-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料－RTEX通信規(guī)格篇－松下

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2024-01-11 19:31:30

MDMF502L1C6M-MINAS A6NL系列 (RTEX) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書松下

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2024-01-11 19:31:16

MDMF502L1C6-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料－基本功能規(guī)格篇－松下

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2024-01-11 19:12:05

MDMF502L1C5-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料－基本功能規(guī)格篇－松下

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2024-01-11 18:53:51

MDMF502L1C5-MINAS A6NL系列 (RTEX) 技術(shù)資料－RTEX通信規(guī)格篇－松下

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2024-01-11 18:53:11

MDMF502L1C5-MINAS A6NL系列 (RTEX) 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格書松下

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2024-01-11 18:52:37

尋求溫濕度變送器可替代方案

這是一個(gè)溫濕度變送器，對(duì)接電腦端相應(yīng)軟件能讀取到溫濕度信息，壞了就不好維修，請(qǐng)問各位大能有沒有可替代的模塊，或者有可替代模塊的生產(chǎn)商可以私信聯(lián)系我。

2023-12-28 14:36:02

國(guó)產(chǎn)高精度振蕩器在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，替代SiTime

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-12-16 10:22:06

179

國(guó)產(chǎn)ADC可替換ADS1230芯片在稱重系統(tǒng)的應(yīng)用

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-12-07 09:46:25

298

FMD輝芒微控制器FT61F133A-RB原裝國(guó)產(chǎn)芯片8位單片機(jī)MCU

FMD輝芒微控制器FT61F133A-RB原裝國(guó)產(chǎn)芯片8位單片機(jī)MCU一、簡(jiǎn)介FMD輝芒微控制器FT61F133A-RB是一款8位單片機(jī)MCU，采用原裝國(guó)產(chǎn)芯片制造。這款芯片具有高性能、低功耗

2023-11-28 16:42:48

國(guó)產(chǎn)MEMS振蕩器可替代SiTime用于光纖激光切割機(jī)方案

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-11-24 10:18:47

175

溫濕度傳感器可使用國(guó)產(chǎn)16/24位ADC替換AD7792解決方案

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-11-23 09:42:40

208

便攜式高精度溫度檢測(cè)儀可使用國(guó)產(chǎn)ADC，可替代AD7192

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-11-10 09:52:59

317

國(guó)產(chǎn)純硅振蕩器替代石英晶振在電動(dòng)車充電器中的應(yīng)用

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-10-25 10:15:48

740

液晶驅(qū)動(dòng)芯片CN90C4S40可替代PCF85176AU用于智能玩具

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-10-18 10:21:02

441

中微愛芯攜手國(guó)芯思辰亮相慕尼黑華南電子展，助力芯片國(guó)產(chǎn)化替代

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-10-13 10:17:07

425

BCR16LM-16LH 數(shù)據(jù)表

2023-10-10 18:30:53

馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片CN8001可替代DRV8837用于智能燃?xì)獗?/a>

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-09-27 09:44:10

443

射頻前端芯片GC1101替代RFX2401C用于2.4G無(wú)線壁掛音響

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-09-21 09:56:06

911

TMS320F280049C，TI 專門為數(shù)字電源定制的DSP，C2000系列最火款，看國(guó)產(chǎn)IC如何替代

CPU，每個(gè)核主頻高達(dá)400MHz 2、3個(gè)12位ADC，采樣率高達(dá)3.45MSPS 3、7個(gè)DAC比較器，數(shù)字干擾濾波器 4、100%國(guó)產(chǎn)芯片，符合政策國(guó)產(chǎn)替代需求 5、價(jià)格便宜，技術(shù)支持到位

2023-09-19 10:08:53

BCR16LM-16LB 數(shù)據(jù)表

2023-09-05 18:31:17

替代AD7893，國(guó)產(chǎn)12位ADC SC1421可用于分布式控制系統(tǒng)

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-08-17 09:55:31

650

英偉達(dá)a100有國(guó)產(chǎn)替代嗎？

英偉達(dá)a100有國(guó)產(chǎn)替代嗎？目前尚未出現(xiàn)明確可替代英偉達(dá)A100的國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品，但中國(guó)國(guó)內(nèi)的企業(yè)正在積極推進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)。例如，中國(guó)科技巨頭華為正在開發(fā)自主研發(fā)的AI芯片，其已發(fā)布的昇騰910

2023-08-08 15:37:12

3468

替代AD7683，國(guó)產(chǎn)ADC GAD7683在雷達(dá)自動(dòng)檢測(cè)中的應(yīng)用

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-08-07 11:45:21

700

用IS62WV51216擴(kuò)充SRAM，內(nèi)存初始化一段時(shí)間后mymalloc分配地址失敗是什么原因

2023-08-07 08:28:34

國(guó)芯思辰| 國(guó)產(chǎn)鐵電PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于工業(yè)生產(chǎn)記錄儀

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-07-31 10:35:28

494

國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于柴油機(jī)

國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

2023-07-25 10:31:33

590

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡(jiǎn)析

本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。

2023-07-22 14:58:56

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