? ? ??IGBT的四個(gè)主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個(gè)
2024-03-22 08:37:29
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=-1V；封裝: SOT23詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：G3401-VB 是一款 P-Channel 溝道 MOSFET，采用 SOT23 封裝。其主要參數(shù)包括最大耐
2024-03-19 17:30:30
智能存儲(chǔ)柜 物料存儲(chǔ)柜 存包柜 寄存柜 快遞柜 抽屜式物料柜 智能存儲(chǔ)柜系統(tǒng) 自動(dòng)寄存柜 物聯(lián)網(wǎng)智能存儲(chǔ)柜 儲(chǔ)物柜
2024-03-13 08:54:58
ACE3413BM+H-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：- **封裝：** SOT23- **絲?。?* VB2290- **品牌：** VBsemi**主要參數(shù)：**- **溝道類型
2024-03-11 11:54:50
玻璃管保險(xiǎn)絲的工作原理及主要參數(shù)? 玻璃管保險(xiǎn)絲是一種常見的過載保護(hù)元件，通常由玻璃管和內(nèi)部金屬絲構(gòu)成。當(dāng)電流大于設(shè)定值時(shí)，保險(xiǎn)絲會(huì)斷開電路，以保護(hù)電路和電器設(shè)備不受過載損壞。 玻璃管
2024-03-05 17:29:07166 三極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子電路中起著至關(guān)重要的作用。
2024-02-26 18:26:27742 在溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的實(shí)際應(yīng)用中，除了標(biāo)稱頻率、PPM精度和溫度穩(wěn)定性等主要參數(shù)外，還有一些其他重要參數(shù)需要注意。在標(biāo)準(zhǔn)電源電壓、標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容阻抗、參考溫度等條件不變的情況下，溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的頻率精度可以達(dá)到0.5PPM以上。
2024-02-26 18:05:31624 
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件，它的性能參數(shù)直接影響著設(shè)備的工作效率和穩(wěn)定性。晶體管的主要參數(shù)有最大漏極電壓、最大集電極電流、最大功耗、最大封裝溫度、最大峰值電流等。
2024-02-23 10:04:37207 TTL與非門（TTL NOT Gate）是一種常用的邏輯門電路，在數(shù)字電子電路中發(fā)揮著很重要的作用。本文將詳細(xì)介紹TTL與非門的主要性能參數(shù)以及工作原理。 TTL與非門的主要性能參數(shù) 邏輯電平參數(shù)
2024-02-22 11:25:25238 晶振的作用、原理以及主要參數(shù)。 一、晶振的作用： 晶振的主要作用是產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，用于同步電子設(shè)備中的各個(gè)模塊的工作。因?yàn)榫д癞a(chǎn)生的振蕩頻率非常穩(wěn)定，能夠提供高精度的定時(shí)信號(hào)，因此晶振在數(shù)字電路和通信系統(tǒng)中具有重要的作用。穩(wěn)定的時(shí)鐘
2024-02-04 10:08:51392 ，不僅能夠穩(wěn)定電力系統(tǒng)的電壓，還能夠提高電力系統(tǒng)的功率因數(shù)，提高電力系統(tǒng)的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹光伏無功補(bǔ)償控制器的主要技術(shù)參數(shù)及功能要求。 二、光伏無功補(bǔ)償控制器的主要技術(shù)參數(shù) 1. 額定電壓：光伏無功補(bǔ)
2024-01-26 16:47:08238 變?nèi)荻O管（也稱為可變電容二極管或變?nèi)萜鳎┦且环N電子元器件，其容值可以通過外部電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。在電路中，變?nèi)荻O管可以用于各種應(yīng)用，包括調(diào)諧、濾波、振蕩和頻率選擇等。下面將詳細(xì)介紹變?nèi)荻O管的參數(shù)
2024-01-24 16:00:56334 電容器是電子電路中不可或缺的元件之一，它主要用于儲(chǔ)存和釋放電能，在電路中起到耦合、旁路、濾波、調(diào)諧等多種作用。了解和識(shí)別電容的參數(shù)對(duì)于正確選擇和使用電容器至關(guān)重要。本文將詳細(xì)介紹電容的主要參數(shù)及其
2024-01-23 11:42:18609 二極管是電子器件中常見的一種元件，廣泛應(yīng)用于電路中。二極管具有許多主要參數(shù)，這些參數(shù)在選擇和使用二極管時(shí)至關(guān)重要。在本文中，我將詳細(xì)介紹二極管的主要參數(shù)以及使用中需要特別注意的參數(shù)。 額定電流
2024-01-23 11:37:35503 TVS反向工作時(shí)，在規(guī)定的IR條件下，TVS兩極的電壓值稱為額定反向工作電壓VWM.一般情況，VWM=（0.8~0.9）VBR，離散度為5%的TVS，VWM=0.85VBR（5%）;離散度為10%的TVS，VWM=0.81VBR（10%）。
2024-01-19 15:38:47427 
射頻功率放大器是一種將射頻信號(hào)放大到更高功率級(jí)別的電子設(shè)備。根據(jù)其工作原理和應(yīng)用要求，射頻功率放大器可以分為不同的類型。下面西安安泰將介紹一些常見的射頻功率放大器類型和相關(guān)的主要參數(shù)
2024-01-17 16:55:31152 
于微型機(jī)器人、車輛模型、航模及其他小型機(jī)械裝置。其主要參數(shù)如下： 工作電壓：4.8-6V 工作角度：0-180度 扭力：1.8kg/cm 速度：0.1秒/60度 MG996R舵機(jī) MG996R是一種較大型的舵機(jī)，具有較高的扭力和速度，適用于大型機(jī)器人和裝置。以下是其主要參數(shù)
2024-01-16 10:35:531408 箱式變壓器是一種將輸入電壓通過磁場(chǎng)變換輸出不同電壓的電力變壓器。其結(jié)構(gòu)緊湊，外殼為箱式設(shè)計(jì)，具有良好的防護(hù)性能和運(yùn)輸便捷性。本文將詳細(xì)介紹箱式變壓器的常見型號(hào)及其參數(shù)。 S11-M型箱式變壓器
2024-01-14 14:11:262511 ACp65是一種常用的探針，被廣泛用于研究細(xì)胞衰老、疾病發(fā)展和治療等領(lǐng)域。在本文中，我們將詳細(xì)介紹ACp65探針的參數(shù)、應(yīng)用以及未來的發(fā)展。 ACp65探針的基本參數(shù) ACp65探針是一種標(biāo)記于抗原
2024-01-10 14:39:01205 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于太陽能光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。在選擇合適的逆變器時(shí)，需要關(guān)注其主要參數(shù)，以確保逆變器的性能和可靠性。那么逆變器的主要參數(shù)要求
2024-01-09 17:31:23366 瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的主要參數(shù)？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2023-12-27 10:36:18205 
霍爾元件的主要參數(shù)及其用途 引起霍爾元件誤差的因素? 霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的電子元件，廣泛應(yīng)用于測(cè)量、檢測(cè)、繼電器、電子開關(guān)、電子計(jì)算機(jī)、儀表、傳感器等領(lǐng)域。 一、霍爾元件的主要參數(shù)及其用途
2023-12-18 15:02:42744 ，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。晶振的主要參數(shù)包括頻率、頻率穩(wěn)定性和工作溫度范圍等。下面將對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)的介紹。 首先是晶振的頻率。晶振的頻率是指晶體的振蕩頻率，通常以赫茲（Hz）為單位。晶體的振蕩頻率取決于晶體的
2023-12-18 14:16:34495 Mbit/s。 超快速模式是一種單向模式，數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá) 5 Mbit/s。以下內(nèi)容主要討論在標(biāo)準(zhǔn)模式和快速模式下I2C硬件設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
2023-12-04 14:02:16721 
額定阻值（Resistance value）：電阻器的阻值是指在標(biāo)準(zhǔn)工作條件下的電阻值，通常以歐姆（Ω）為單位。
2023-12-01 09:16:48592 PCIE-5565型反射內(nèi)存卡是一款高性能、高可靠性的內(nèi)存卡，廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。下面將詳細(xì)介紹PCIE-5565型反射內(nèi)存卡的主要參數(shù)。
2023-11-29 16:09:48224 功率信號(hào)源是在電力系統(tǒng)測(cè)試、通信設(shè)備校準(zhǔn)和電子器件性能評(píng)估等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的設(shè)備。主要性能指標(biāo)參數(shù)對(duì)于評(píng)估信號(hào)源的質(zhì)量和適用性非常重要。下面我將為你詳細(xì)介紹功率信號(hào)源的主要性能指標(biāo)參數(shù)。
2023-11-28 16:31:07248 
智能快遞柜、智能生鮮柜、電子存儲(chǔ)柜、超市寄存柜、智能送餐柜、電子更衣柜、檔案柜等物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備，都是采用電磁鎖控制，這種電磁鎖控制板俗稱鎖控板。鎖控板可以遠(yuǎn)程控制儲(chǔ)物柜的開關(guān)以及遠(yuǎn)程監(jiān)控并提供鎖的反饋信號(hào)。沐渥開發(fā)的24路電磁鎖控板可以控制24路電磁鎖和24路指示燈，直流供電，接收儲(chǔ)物柜控制主板發(fā)出指令后控制儲(chǔ)物柜門開關(guān)。一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1）支持24路帶鎖狀態(tài)
2023-11-23 16:35:28215 
磁珠的工作原理、主要參數(shù)及選型 磁珠是目前廣泛應(yīng)用于生物分子分離和純化的一種高效分離材料。它的工作原理基于磁珠本身含有磁性材料，可以通過外加磁場(chǎng)來實(shí)現(xiàn)快速分離。本文將詳細(xì)介紹磁珠的工作原理、主要參數(shù)
2023-11-22 18:18:201142 SSC英文全稱：Spread Spectrum Clocking，中文名擴(kuò)頻時(shí)鐘。
2023-11-22 16:35:021820 
“ 電容是電子學(xué)三大基本無源器件之一。電容種類繁多，知識(shí)體系更為龐雜，常有因?yàn)閷?duì)電容認(rèn)識(shí)不深，存在一些不正確的使用，造成失效問題。本文系統(tǒng)講解電容的知識(shí)，第一部分介紹電容的原理和主要參數(shù)；第二部
2023-11-03 16:56:55626 
二極管作為半導(dǎo)體器件，在電子電路應(yīng)用中非常廣泛，可以用于電源輸入防反接，整流，多路信號(hào)選擇，DCDC續(xù)流等等。
2023-10-28 11:41:431113 
供應(yīng)APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG095N01 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-10-27 17:14:45
晶體管的主要參數(shù)包括以下幾個(gè)方面。
2023-10-25 09:35:39672 MT8195安卓核心板,MT8195核心板主要參數(shù),安卓智能模組?；谂_(tái)積電6納米工藝制造的芯片。它采用了4個(gè)Cortex-A78大核和4個(gè)Cortex-A55小核，搭配Mali-G57MC5 GPU和APU 3.0，算力高達(dá)4 TOPs。
2023-10-19 18:26:19652 
假如你開發(fā)了一個(gè)網(wǎng)站或者一個(gè)app把他放到服務(wù)器上，之后你把它發(fā)布到了網(wǎng)上，運(yùn)行良好，每天有幾百人的訪問量，用戶量不大，能快速地響應(yīng)用戶的請(qǐng)求。
2023-10-15 09:55:27337 
。 一、電力變壓器的主要技術(shù)參數(shù) 1、額定容量SN 變壓器的額定容量是指分接開關(guān)位于主分接，銘牌所規(guī)定的額定工作狀態(tài)（額定電壓、額定頻率、額定使用條件）下變壓器的視在功率。單位為KVA。 單相變壓器 SN=UN2*IN2 三相變壓器 SN=√3UN2
2023-10-12 11:10:301998 了解TTL邏輯門電路的主要參數(shù)及測(cè)試方法。
2023-10-10 16:33:10822 
無刷電機(jī)的換向速度主要和什么參數(shù)有關(guān)系
2023-10-10 07:59:24
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
STM32的ADC采樣頻率主要和什么參數(shù)有關(guān)系
2023-10-09 06:52:31
開環(huán)差分放大倍數(shù)（Aod）。一般對(duì)應(yīng)的運(yùn)放datasheet里面有這個(gè)參數(shù)。
2023-10-08 16:36:23492 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是電子管的代換資料詳細(xì)說明。
2023-09-26 07:24:46
一、觸頭的主要參數(shù) 觸頭有四個(gè)主要參數(shù)：開距、超程、初壓力和終壓力。 1、開距 開距即觸頭行程，也稱觸頭斷開距離。 2、超程 超程即觸頭在閉合位置時(shí)，動(dòng)靜觸頭移開時(shí)的距離。 3、初壓力 初壓力
2023-09-24 15:33:581656 下面從，晶振參數(shù)，MCU規(guī)格書與晶振下關(guān)的內(nèi)容，逐步說明晶振如何選型，原廠如何測(cè)試哪些參數(shù)，特殊情況如何處理，大家一起共同進(jìn)步!
2023-09-14 16:03:132593 
以上是TDK品牌SPM4010系列繞線功率貼片電感參數(shù)表，功率貼片電感一般使用在DCDC上。
2023-09-11 17:26:131288 
和一個(gè)NTC測(cè)溫元件，并與一個(gè)高性能 8 位單片機(jī)相連接。 二.DHT11主要參數(shù) （1）濕度分辨率為8bit，測(cè)量精度為±4%RH（25℃），最大的測(cè)量范圍為20~90%RH，響應(yīng)時(shí)間為6-16秒； （2）溫度分辨率為8bit，測(cè)量精度為±1℃，測(cè)量范圍為0 50℃，響應(yīng)時(shí)間為6 30秒。 （3）傳感器
2023-09-11 11:17:043486 
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開啟狀態(tài)時(shí)的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
接地電阻柜系統(tǒng)說明
隨著柴油機(jī)組發(fā)電在國內(nèi)上的應(yīng)用廣泛，防止系統(tǒng)接地后損害機(jī)組，
采用接地電阻柜可以降低接地電流，降低健全相的電壓。
在系統(tǒng)接地后，健全相的電壓升高，會(huì)造成過電壓保護(hù)設(shè)備誤動(dòng)作
2023-08-29 09:58:29
功率二極管主要參數(shù)有哪些？ 功率二極管是一種電子元器件，通常用于控制高電壓和高電流的開關(guān)電路和放大電路中。功率二極管的主要參數(shù)與其使用環(huán)境和應(yīng)用目的有關(guān)。在本文中，我們將詳細(xì)討論功率二極管的主要參數(shù)
2023-08-28 17:22:411713 風(fēng)華固體鉭電解電容器（Vishay Solid Tantalum Electrolytic Capacitor）是一種電子元器件，它采用鉭金屬作為正極材料，電解液和導(dǎo)電涂層作為介質(zhì)，常用于各種電子和電氣設(shè)備中。
2023-08-28 15:50:35484 
主要技術(shù)參數(shù)是決定它性能的關(guān)鍵因素，下面我們將對(duì)繼電器的主要技術(shù)參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)介紹。 1.觸點(diǎn)額定電流 觸點(diǎn)額定電流是繼電器最關(guān)鍵的性能指標(biāo)之一，它表示繼電器在正常運(yùn)行狀態(tài)下所能承受的最大電流值。觸點(diǎn)額定電流通常
2023-08-27 16:56:354622 固體鉭電容和非固體鉭電容區(qū)別? 鉭電容是一種電子電路中常用的電子元器件。作為一種極具特色的電容器，它不同于其他種類電容器，有兩種主要的類型：固體鉭電容和非固體鉭電容。本文將詳細(xì)介紹這兩種電容器的區(qū)別
2023-08-25 14:33:041009 各位好友，關(guān)于UART0的DrvUART_Open （）函數(shù)參數(shù)的問題？？DrvUART_Open (UART_PORT0,sParam);中sParam中有一個(gè)u8cRxTriggerLevel
2023-08-25 06:17:08
如題，想知道關(guān)于m052的UID的介紹，但是在手冊(cè)上沒有找到，誰知道在哪呀？
2023-08-24 07:59:51
關(guān)于農(nóng)林氣象站的基本介紹
2023-08-23 16:58:56220 在IOT設(shè)備中，基于全宅聯(lián)控的需求，萬能紅外遙控器也涌現(xiàn)出各種不同的產(chǎn)品形態(tài)。一個(gè)好的萬能遙控器要求覆蓋距離遠(yuǎn)、范圍廣，而且操作成功率也要高！
2023-08-23 09:18:031254 
鏡頭的主要參數(shù)有焦距、分辨率、工作距離、景深、視野范圍、畸變量等。
2023-08-19 14:28:27941 目前來說說晶振的標(biāo)稱頻率在1 ~ 200 MHz之間，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，這些都是晶振的參數(shù)。對(duì)于更高的輸出頻率，通常使用PLL將低頻倍頻至1GHz以上，這些都是常見的晶振參數(shù)的
2023-08-10 13:55:252631 
英偉達(dá)h800的參數(shù)介紹 英偉達(dá)H800是一款特供版本，是英偉達(dá)為了符合美國出口標(biāo)準(zhǔn)，推出了A800和H800這兩款帶寬縮減版在我國大陸市場(chǎng)銷售。 美國GPU的出口禁令中規(guī)定主要限制了算力和帶寬
2023-08-08 15:38:5121903 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543287 
光電耦合器，簡(jiǎn)稱“光耦”，它是把發(fā)光器（紅外線發(fā)光二極管）與受光器（光敏半導(dǎo)體）封裝在同一管殼內(nèi)，以光為媒介來傳輸電信號(hào)的器件。
2023-07-24 15:51:037371 
I2C 寫 I2C spec 規(guī)定如下 詳細(xì)解析如下 對(duì)從機(jī)進(jìn)行寫操作時(shí)，主設(shè)備發(fā)出開始標(biāo)志 (S) 和寫地址 (從機(jī)地址加一個(gè) R/W 位，1 為讀，0 為寫)。從機(jī)產(chǎn)生應(yīng)答信號(hào)。然后主設(shè)備開始
2023-07-22 15:55:10534 
主要參數(shù)：
1、儀器采用四部分模塊設(shè)計(jì)：
1）±5000V電壓控制模塊；
2）高壓放電模塊；
3）衰減電壓隨機(jī)測(cè)試模塊；
4）靜電衰減時(shí)間測(cè)試模塊。
2023-07-15 15:04:15325 宇凡微2.4G射頻合封芯片是一款高性能的射頻集成電路，廣泛應(yīng)用于無線通信、遙控汽車、遙控玩具、遙控?zé)舻阮I(lǐng)域。該芯片具備高度集成、低功耗、高靈敏度和強(qiáng)抗干擾能力等特點(diǎn)，下面將為您詳細(xì)介紹宇凡微2.4G射頻芯片合封芯片的主要參數(shù)和技術(shù)數(shù)據(jù)。
2023-07-11 15:18:27449 高壓放大器是一種電子器件，其主要作用是將輸入信號(hào)的電壓放大到輸出端。由于高壓放大器的輸入和輸出端的電平差很大，因此需要使用特殊的材料和技術(shù)來保證電路的可靠性和穩(wěn)定性。下面我們就來詳細(xì)介紹一下高壓放大器的工作原理和參數(shù)介紹。
2023-07-05 17:15:34618 
差分晶振（Differential Crystal Oscillator）是一種基于晶體諧振器的振蕩器，具有獨(dú)特的工作原理和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。本文將詳細(xì)解釋差分晶振的工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域和參數(shù)。
2023-06-28 16:13:422153 
磁敏電阻是一種對(duì)磁敏感且有磁阻效應(yīng)的電阻元件。磁場(chǎng)中物 質(zhì)電阻變化的現(xiàn)象稱為磁阻效應(yīng)。磁阻通常由對(duì)磁敏感的半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體材料制成。半導(dǎo)體材料的磁阻效應(yīng)包括物理磁阻效應(yīng)和幾何磁阻效應(yīng)，也稱為磁阻效應(yīng)。當(dāng)添加磁場(chǎng)的方向或強(qiáng)度發(fā)生變化時(shí)，磁敏電阻的電阻值會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化2。通過這種變化，磁場(chǎng)的相對(duì)位移可以準(zhǔn)確測(cè)試。舉例來說，當(dāng)長(zhǎng)方形半導(dǎo)體InSb片沿長(zhǎng)度方向有電流通過時(shí)，如果在與電流片垂直的寬度方向上施 加磁場(chǎng)，電阻率就會(huì)增加。
2023-06-25 17:23:401866 在EDA仿真結(jié)果中，S參數(shù)是一個(gè)經(jīng)常被提及的結(jié)果，關(guān)于S參數(shù)詳細(xì)內(nèi)容，其實(shí)不管是網(wǎng)上還是教科書都有較規(guī)范的介紹，但是大多數(shù)并不適用沒有EDA背景的讀者。
2023-06-21 11:33:321070 
晶振，在板子上看上去一個(gè)不起眼的小器件，但是在數(shù)字電路里，就像是整個(gè)電路的心臟。
2023-06-18 11:53:39527 
接地電阻柜是如何生產(chǎn)制造的？
接地電阻柜是為了保障電氣設(shè)備及人身安全而設(shè)計(jì)制造的電氣設(shè)備。
那么接地電阻柜是如何生產(chǎn)制造的呢？下面就來簡(jiǎn)單介紹接地電阻柜的生產(chǎn)過程。
一、設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)
首先，接地電阻柜
2023-06-08 11:04:41
TSS，有人叫它固體放電管、也有人叫它半導(dǎo)體放電管，它主要的應(yīng)用場(chǎng)景就是在一些通訊接口、安防系列、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，用作于通訊信號(hào)端口的防雷保護(hù)，這里需要提到的是TSS放電管是不能直接用于有源電路端口！
2023-06-07 10:40:27424 逆變器效率是衡量逆變器性能的重要技術(shù)參數(shù)。逆變器效率是指在規(guī)定條件下，輸出功率與輸入功率之比，以百分?jǐn)?shù)表示。逆變器效率數(shù)值可反映逆變器自身損耗功率值。一般情況下，光伏逆變器的標(biāo)稱效率是指純阻負(fù)載，80%（個(gè)人理解：此處80%指實(shí)際輸出容量與額定輸出容量的比值）負(fù)載情況下的效率。
2023-06-07 10:07:443761 碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關(guān)速度會(huì)變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032009 固體負(fù)離子檢測(cè)儀在我們生活中起到的作用與其它儀器是不同的，它主要是應(yīng)用在礦石研究等行業(yè)中，并且在使用時(shí)還可以表現(xiàn)出非常多的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，目前可能有一部分用戶對(duì)固體負(fù)離子檢測(cè)儀是不太了解的，下面就跟大家
2023-05-31 16:19:55316 
問題，下面就跟大家介紹一下。 固體負(fù)離子檢測(cè)儀是干嘛的 固體負(fù)離子檢測(cè)儀是一種檢測(cè)儀器，在我們生活應(yīng)用中主要是檢測(cè)固體物質(zhì)中的負(fù)離子濃度，它的檢測(cè)精準(zhǔn)度是非常高的，檢測(cè)結(jié)果基本與實(shí)際情況符合。并且固體負(fù)離子檢測(cè)儀在
2023-05-30 16:16:48291 
**筋膜槍方案框圖**
深圳市其利天下技術(shù)開發(fā)有限公司 28通用版PCBA主要參數(shù)
① 電機(jī)額定電壓：7.4V
② 電機(jī)轉(zhuǎn)速：四檔位可調(diào)、RGB燈光顯示，恒轉(zhuǎn)速PID算法
③ 控制方式：無感方波
2023-05-22 21:55:05
5G單站驗(yàn)證詳細(xì)介紹
2023-05-22 12:38:38309 
整流橋作為一種功率元器件，廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
2023-05-16 09:20:2519903 
通常，當(dāng)我們選擇r型變壓器時(shí)，我們不一定對(duì)所有參數(shù)都有如此全面的了解。R型變壓器的主要參數(shù)是什么？他的相應(yīng)功能是什么？有了這些問題，讓我們跟隨小r來學(xué)習(xí)變壓器最常用和最重要的參數(shù)，這樣我們?cè)趯磉x擇變壓器時(shí)就不會(huì)感到困惑。
2023-05-12 14:44:491185 
浪涌保護(hù)器，是一種為儀器儀表等提供安全防護(hù)的電子裝置。當(dāng)電氣回路或者通信線路中因?yàn)橥饨绲母蓴_，比如發(fā)生短路、電源切換突然產(chǎn)生尖峰電流或者電壓時(shí)，浪涌保護(hù)器能在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通分流，從而避免浪涌對(duì)回路中其他設(shè)備的損害。
2023-05-09 11:28:364925 
在電路進(jìn)行EMI設(shè)計(jì)時(shí)，磁珠是用到的最常見的器件。那么磁珠的特性是什么，它在電路起到什么作用，以及如何選型，下面便是我整理的關(guān)于磁珠的知識(shí)，僅作為知識(shí)記錄和分享。
2023-05-09 11:07:467678 
關(guān)鍵指標(biāo)
1)標(biāo)稱壓敏電壓(V1mA)：指通過規(guī)定持續(xù)時(shí)間的脈沖電流（一般為1mA 持續(xù)時(shí)間一般小于400mS）時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓值；
2)最大限制電壓(VCLAM)：即殘壓，指在壓敏能承受
2023-05-05 17:06:42
>和< buttons >參數(shù)具體可以包含哪些值，是否有文檔詳細(xì)解釋這些參數(shù)以及如何使用它們嗎？
2023-04-24 09:08:43
詳細(xì)介紹安科瑞產(chǎn)品中關(guān)于絕緣監(jiān)測(cè)和絕緣故障定位的相關(guān)產(chǎn)品，從含義，解決方法，產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)等 詳細(xì)介紹。
2023-04-23 15:29:14495 
電位器是具有三個(gè)引出端、阻值可按某種變化規(guī)律調(diào)節(jié)的電阻元件。通常由電阻體和可移動(dòng)的電刷組成。當(dāng)電刷沿電阻體移動(dòng)時(shí)，在輸出端即獲得與位移量成一定關(guān)系的電阻值或電壓。既可作三端元件使用也可作二端元件使用。后者可視作一可變電阻器，由于它在電路中的作用是獲得與輸入電壓(外加電壓)成一定關(guān)系得輸出電壓，因此稱之為電位器。
2023-04-23 10:35:188600 
BNC線材可以通過線材測(cè)試機(jī)來進(jìn)行測(cè)試它的電阻、電壓、漏電流、斷/短路等參數(shù)。
2023-04-11 10:54:391818 溫度穩(wěn)定度指晶振在溫度變化時(shí)輸出頻率的變化范圍，是影響晶振穩(wěn)定性的重要因素。一般情況下，晶振的溫度穩(wěn)定度越高，晶振的性能越好，但成本也越高。在選擇晶振時(shí)，需要考慮系統(tǒng)的工作溫度范圍，選擇具有合適溫度穩(wěn)定度的晶振。
2023-04-06 09:44:143490 [*附件：MOS管的ID與極限參數(shù)介紹.pdf]()歡迎咨詢，謝謝。
2023-04-03 13:36:59
又恢復(fù)到高阻抗?fàn)顟B(tài)。 TVS可以吸收侵入性的ESD，保護(hù)電子設(shè)備，防止電路故障，TVS的主要參數(shù)如下： ?。?）最小擊穿電壓VBR：器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi)，在規(guī)定的試驗(yàn)電流IBR（一般情況IBR
2023-03-29 11:11:24
PWM控制器是一種基于脈沖寬度調(diào)制技術(shù)的電子設(shè)備，用于控制電能的輸出或輸出電壓和電流的波形。PWM控制器主要參數(shù)、特點(diǎn)和應(yīng)用如下。
2023-03-23 16:42:226329
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