晶振的主要參數(shù)有哪些？

目前來說說晶振的標(biāo)稱頻率在1 ~ 200 MHz之間，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，這些都是晶振的參數(shù)。對(duì)于更高的輸出頻率，通常使用PLL將低頻倍頻至1GHz以上，這些都是常見的晶振參數(shù)的，當(dāng)然對(duì)于詳細(xì)的參數(shù)，建議大家可以直接詢問我們客服，我們可以根據(jù)用戶的需求進(jìn)行推薦或定制適合您的參數(shù)，因?yàn)楝F(xiàn)在晶振的參數(shù)有很多種哦。

參數(shù)一：精度要求

SMD 晶振的最高精度通常是10PPM，這是相當(dāng)常見的。特殊精度要求需要訂單。其次依次分布15ppm、20ppm、25ppm、30ppm、50ppm的等級(jí)。插件晶振以氣缸晶振為例。5ppm是鋼瓶晶振的最高精度，其次是10ppm、20ppm和30ppm。

參數(shù)二：負(fù)載電容

負(fù)載電容有時(shí)候是一個(gè)很重要的參數(shù)。如果晶振的負(fù)載電容與晶振外接兩端連接的電容參數(shù)匹配不正確，容易造成頻率偏移、精度誤差等。

這將導(dǎo)致產(chǎn)品無法滿足最終精度要求。當(dāng)然也有廠家對(duì)負(fù)載電容的參數(shù)要求不是特別嚴(yán)格。那么我們來說一個(gè)音叉晶體。常見的負(fù)載電容有6PF、7PF、9PF、12.5PF；20PF和12PF是MHZ 晶振中最常見的負(fù)載電容，其次是8PF、9PF、15PF和18PF。

負(fù)載電容CL是電路中晶體兩端的總有效電容，不是晶振外部匹配電容，主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，并與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率。通過調(diào)整負(fù)載電容，振蕩器的工作頻率可以微調(diào)到標(biāo)稱值。

參數(shù)三：頻率單位

通常分為KHZ和MHZ。對(duì)于有源晶振和無源晶振，32.768既有KHZ單位，也有MHZ單位，所以頻率單位必須標(biāo)準(zhǔn)明確。標(biāo)稱頻率(正常頻率)標(biāo)準(zhǔn)頻率，如8MHz、26MHz、32.768KHz等。

參數(shù)四：溫度頻率差

表示特定溫度范圍內(nèi)工作頻率與參考溫度的允許偏差，單位為ppm。值越小，精確度越高。1MHz是晶振，1 PPM是1Hz的偏差。負(fù)載電容CL負(fù)載電容是指晶振正常振蕩所需的電容。為了使晶體正常工作，需要在晶體兩端連接外部電容，以匹配晶體的負(fù)載電容。對(duì)于晶振應(yīng)遠(yuǎn)離熱源放置，因?yàn)楦邷匾矔?huì)影響晶振的頻偏，這些都是需要注意的。

這些都是晶振的主要參數(shù)，在這些參數(shù)方面要做出自己的選擇，因?yàn)椴煌膮?shù)使用的場(chǎng)合和作用是不同的，這些大家要合理的清楚哦。