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11月17日晚間，在毫無(wú)征兆的情況下高通突然公布了2017年的旗艦芯片驍龍835，驍龍835是驍龍820/821的繼任者，是高通明年春季開(kāi)始供貨的最高端手機(jī)芯片，筆者作為手機(jī)重度發(fā)燒友，對(duì)于旗艦手機(jī)芯片尤其關(guān)注，去年筆者印象深刻的驍龍820是在雙11期間也就是11月11日發(fā)布的，今年的繼任者驍龍835相比去年晚了一周時(shí)間，那么驍龍835有哪些值得期待的點(diǎn)呢？
值得期待的升級(jí)點(diǎn)：
?、俑冗M(jìn)的制程
高通官方宣稱驍龍835采用的是三星半導(dǎo)體最新的10nm制程工藝，三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%。而根據(jù)半導(dǎo)體制程工藝的規(guī)律來(lái)看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升級(jí)，10nm是半導(dǎo)體技術(shù)從14/16nm節(jié)點(diǎn)向7nm過(guò)渡的中間節(jié)點(diǎn)，7nm 工藝會(huì)采用非常先進(jìn)的EUV極紫外光刻技術(shù)，而10nm算是一個(gè)不太重要的節(jié)點(diǎn)，其實(shí)包括臺(tái)積電的10nm工藝也只面向移動(dòng)端，所以采用臺(tái)積電代工工藝的廠商英偉達(dá)明年的GTX系列顯卡依然會(huì)是16nm工藝。
②更強(qiáng)的CPU
據(jù)傳言此次驍龍835采用8核心設(shè)計(jì)，彌補(bǔ)了驍龍820CPU多線程弱的缺點(diǎn)，而如果是八核設(shè)計(jì)，那驍龍835的單核性能注定不會(huì)特別強(qiáng)悍，至少不會(huì)超過(guò)蘋(píng)果A10芯片的單核性能，要不然功耗問(wèn)題難以解決。
?、鄹鼜?qiáng)的GPU
伴隨著VR時(shí)代的到來(lái)，VR對(duì)手機(jī)圖形處理能力的要求要比以往高得多，驍龍820搭載的Adreno 530GPU即使發(fā)布一年了性能依然強(qiáng)悍，在手機(jī)端的性能僅次于目前蘋(píng)果A10的GPU，而驍龍835上的新一代Adreno GPU無(wú)疑會(huì)更加強(qiáng)悍，由于蘋(píng)果A10的GPU相比高通驍龍820/821上的Adreno 530領(lǐng)先幅度并不是太大，所以驍龍835的GPU性能超過(guò)蘋(píng)果A10基本是沒(méi)有問(wèn)題的，何況A10還是16nm工藝，但由于iOS與安卓平臺(tái)的優(yōu)化不同實(shí)際游戲表現(xiàn)就另說(shuō)了。
?、苋碌膱D形API：Vulkan
其實(shí)高通驍龍820/821就已經(jīng)支持Vulkan這一革命性的API，只不過(guò)Vulkan的生態(tài)還不夠完善，所以除了三星曾經(jīng)在S7 edge上演示過(guò)Vulkan游戲其他的筆者就沒(méi)啥印象了，真正讓Vulkan為大眾所知的是華為海思麒麟960芯片上的Mali G71GPU支持Vulkan；之所以說(shuō)Vulkan是革命性的，是因?yàn)樗鼘?duì)GPU性能的釋放起到至關(guān)重要的作用，改善CPU對(duì)GPU性能的限制，使多核 GPU真正發(fā)揮出應(yīng)有的性能。
⑤更快的充電速度
高通同步發(fā)布新一代 QC4.0 快速充電技術(shù)。相比 QC 3.0 充電速度提升 20%，并支持 Type-C。能夠?qū)崿F(xiàn)“充電 5 分鐘，通話五小時(shí)”。大約 15 分鐘內(nèi)，可沖入 50% 的電量。另外，QC4.0 有更好的電源管理系統(tǒng)，能夠有效降低充電造成的電池?fù)p耗。
?、?a target="_blank">深度學(xué)習(xí)的人工智能
驍龍820內(nèi)置Zeroth神經(jīng)處理引擎，能夠自動(dòng)根據(jù)用戶拍攝的照片進(jìn)行分類(lèi)，相信驍龍835會(huì)更進(jìn)一步，帶來(lái)更加實(shí)用的人工智能，畢竟如今包括谷歌在內(nèi)的企業(yè)都在重視人工智能，人工智能在未來(lái)會(huì)顛覆很多現(xiàn)有的東西。
?、吒鼜?qiáng)的ISP/DSP
隨著雙攝手機(jī)的普及，預(yù)計(jì)驍龍835會(huì)對(duì)雙攝有更好的ISP支持方案，但具體如何實(shí)現(xiàn)只有等驍龍835真正發(fā)布時(shí)才知道了，而新一代的Hexagon DSP預(yù)計(jì)會(huì)帶來(lái)更好的待機(jī)表現(xiàn)。
?、喔斓幕鶐?/p>
筆者今年去過(guò)幾次高通的沙龍會(huì)，高通高管透露其下一代基帶是下行速率高達(dá)1Gbps的X16基帶，無(wú)疑好馬配好鞍，驍龍835會(huì)首次采用X16基帶。但在這里筆者要潑一下冷水，因?yàn)楦咄ǖ目蛻舨⒉粌H僅是手機(jī)廠商，還包括電信運(yùn)營(yíng)商，所以1Gbps下載速率的帶寬顯然不是為主流人群準(zhǔn)備的，要想達(dá)到這么高的下載速率還需要運(yùn)營(yíng)商的支持，至少在中國(guó)，明年三大運(yùn)營(yíng)商肯定不會(huì)商用高達(dá)1Gbps下行速率的網(wǎng)絡(luò)，但不得不說(shuō)高通的技術(shù)實(shí)力很強(qiáng)，雖然普通消費(fèi)者用不到，但能夠做出這么牛的基帶就是一種能力，是技術(shù)實(shí)力的展現(xiàn)。
?、岣叩膬?nèi)存帶寬
據(jù)傳言驍龍835會(huì)率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運(yùn)存，帶寬提升明顯。
驍龍835可能依然仍存在的不足：
?、俜逯敌阅艿某掷m(xù)性問(wèn)題
CPU發(fā)熱降頻一直是老生常談，目前在CPU領(lǐng)域?qū)Πl(fā)熱降頻做得最好的是英特爾以及蘋(píng)果公司，英特爾的酷睿系列芯片以及蘋(píng)果的A系列芯片的峰值性能持續(xù)時(shí)間令人印象深刻，而反觀高通/海思/聯(lián)發(fā)科的芯片一發(fā)熱就降頻，導(dǎo)致性能下降，這一點(diǎn)在玩游戲時(shí)尤為明顯。功耗控制表現(xiàn)出色的驍龍820在峰值性能持續(xù)性上依然不如蘋(píng)果A9，所以驍龍835會(huì)有何改進(jìn)值得期待。
?、谌?a target="_blank">電子的產(chǎn)能是否能跟上
去年高通發(fā)布驍龍820之后在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)的供貨一直很緊張，最直接的原因是由于量產(chǎn)初期產(chǎn)能還沒(méi)跟上，高通把大部分的產(chǎn)能都供給三星S7/S7 edge這兩款機(jī)器，導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)廠商拿不到貨，而明年初這一問(wèn)題可能依然會(huì)持續(xù)，不過(guò)到了2018年這一問(wèn)題有望緩解，有傳言高通會(huì)在2018年的半導(dǎo)體 7nm制程節(jié)點(diǎn)回歸臺(tái)積電代工陣營(yíng)，而同期三星的全網(wǎng)通基帶也已成熟，所以高通與三星可能就此分道揚(yáng)鑣，筆者預(yù)計(jì)三星Galaxy S9會(huì)全部采用自家Exynos系列芯片。
?、垓旪?35是否會(huì)像驍龍810出現(xiàn)過(guò)熱問(wèn)題
至于驍龍835是否有一定幾率出現(xiàn)驍龍810過(guò)熱問(wèn)題，筆者認(rèn)為，10nm相較14/16nm的工藝進(jìn)步不算是非常大，技術(shù)難度相對(duì)較小，7nm才是重要的節(jié)點(diǎn)，另外再加上高通已經(jīng)對(duì)64位架構(gòu)芯片駕輕就熟，所以綜合評(píng)估來(lái)看驍龍835不大可能會(huì)出現(xiàn)過(guò)熱問(wèn)題。
另外值得關(guān)注的點(diǎn)：哪家手機(jī)廠商首發(fā)驍龍835其實(shí)并無(wú)意義
至于今年底或者明年初哪家手機(jī)廠商首發(fā)驍龍835，其實(shí)這更多的是象征意義，實(shí)際意義不大，因?yàn)槊髂牝旪?35真正首批開(kāi)始大規(guī)模供應(yīng)的手機(jī)可能依然會(huì)是三星的S8系列，一方面，高通驍龍835是三星半導(dǎo)體代工的，另一方面，高通拋棄臺(tái)積電選擇三星作為芯片代工廠商也是有條件的，在三星還沒(méi)搞定全網(wǎng)通基帶的情況下依然會(huì)在有全網(wǎng)通需求的國(guó)家比如中國(guó)、美國(guó)市場(chǎng)采用高通芯片，在驍龍835芯片量產(chǎn)初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他廠商未必能拿到很多貨。
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