IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)條件和柵極電阻Rg的作用 - 全文

　　igbt驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)igbt并對(duì)其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置，它不僅影響了igbt 的動(dòng)態(tài)性能，同時(shí)也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動(dòng)器損壞。

　　一、igbt驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)形式及特點(diǎn)

　　目前供igbt使用的驅(qū)動(dòng)電路形式多種多樣 ，各自的功能也不盡相同。從綜合的觀點(diǎn)看 ，還沒有一種十全十美的電路。 　從電路隔離方式看，igbt驅(qū)動(dòng)器可分成兩大類，一類采用光電耦合器，另一類采用脈沖變壓器，兩者均可實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸及電路的隔離。 　下面以日本富士公司的 exb841 驅(qū)動(dòng)器為例 ，簡單說明光電耦合驅(qū)動(dòng)器的工作原理（見圖）。圖中 + 20v驅(qū)動(dòng)電源通過r1 和v5 分為+15v及 + 5v兩部分。當(dāng)來自控制電路的控制脈沖進(jìn)入光電耦合器v1 后 ，放大器使v3 導(dǎo)通 ，gbt柵極即得到一個(gè) +15v 驅(qū)動(dòng)信號(hào)并導(dǎo)通。當(dāng)控制信號(hào)消失后 ，v4 導(dǎo)通 ，此時(shí)igbt即得到一個(gè) - 5v 的柵源電壓并截止。igbt在導(dǎo)通期間過流時(shí) ，會(huì)脫離飽和狀態(tài) ，此時(shí)uds升高。驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的保護(hù)電路通過 v6 檢測到這一狀態(tài)后 ，一方面在 10μs 內(nèi)逐步降低柵壓 ，使 igbt進(jìn)入軟關(guān)斷狀態(tài) ，另一方面通過光耦 v2 向控制電路發(fā)出過流信號(hào)。

　　光電耦合驅(qū)動(dòng)器的最大特點(diǎn)是雙側(cè)都是有源的 ，由它提供的正向脈沖及負(fù)向封鎖脈沖的寬度可以不受限制 ，而且可以較容易地通過檢測 igbt通態(tài)集電極電壓實(shí)現(xiàn)各種情況下的過流及短路保護(hù) ，并對(duì)外送出過流信號(hào)。目前國內(nèi)外都趨向于把這種驅(qū)動(dòng)器做成厚膜電路的形式 ，因此具有使用較方便 ，一致性及穩(wěn)定性較好的優(yōu)點(diǎn)。其不足之處是需要較多的工作電源。例如 ，全橋式開關(guān)電源一般需要四個(gè)工作電源 ，從而增加了電路的復(fù)雜性。驅(qū)動(dòng)器中的光電耦合器盡管速度較高 ，但對(duì)脈沖信號(hào)仍會(huì)有 1μs左右的滯后時(shí)間 ，不適應(yīng)某些要求較高的場合。光電耦合器的輸入輸出間耐壓一般為交流2500v ，這對(duì)某些場合是不夠的。例如 ，許多逆變焊機(jī)的輸出直接反饋到控制電路 ，而國家的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)卻規(guī)定焊機(jī)輸入輸出之間應(yīng)能承受交流 電壓 從而給電路的設(shè)計(jì)增加了困4000v ，難。另外 一旦 燒壞 驅(qū)動(dòng)器通常也隨之， igbt ，燒毀 從而增加了維修的復(fù)雜性及費(fèi)用。

　　二、驅(qū)動(dòng)電路的基本性能

　　IGBT器件的發(fā)射極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的靜態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和發(fā)射極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容CGs，因而在高頻率的交替導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)需要一定的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。小功率IGBT的CGs一般在10~l00pF之內(nèi)，對(duì)于大功率的絕緣柵功率器件，由于柵極電容CGs較大，在1~l00pF，甚至更大，因而需要較大的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。

　　IGBT柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生，柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣直接關(guān)系到由IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長期運(yùn)行可靠性。正向柵極電壓的值應(yīng)該足夠令I(lǐng)GBT產(chǎn)生完全飽和，并使通態(tài)損耗減至最小，同時(shí)也應(yīng)限制短路電流和它所帶來的功率應(yīng)力。

　　IGBT正柵壓VGE越大，導(dǎo)通電阻越低，損耗越小。但是，如果VGE過大，一旦IGBT過流，會(huì)造成內(nèi)部寄生晶閘管的靜態(tài)擎柱效應(yīng)，造成IGBT失效。相反如果VGE過小，可能會(huì)使IGBT的工作點(diǎn)落人線性放大區(qū)，最終導(dǎo)致器件的過熱損壞。在任何情況下，開通時(shí)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，應(yīng)該在12~20V之間。

　　當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，IGBT處于斷態(tài)。由于IGBT的關(guān)斷過程可能會(huì)承受很大的dv/dt，伴隨關(guān)斷浪涌電流，干擾柵極關(guān)斷電壓，可能造成器件的誤開通。為了保證IGBT在集電極-發(fā)射極電壓上出現(xiàn)dv/dt噪聲時(shí)仍保持關(guān)斷，必須在柵極上施加一個(gè)反向關(guān)斷偏壓，采用反向偏壓還可減少關(guān)斷損耗。反向偏壓應(yīng)該在—5~—15V之間。理想的心鄒驅(qū)動(dòng)再路應(yīng)具有以下基本性能：

　　1）要求驅(qū)動(dòng)電路為IGBT提供一定幅值的正反向柵極電壓VGE。理論上VGE≥VGE（th），IGBT即可導(dǎo)通；當(dāng)VGE太大時(shí)，可能引起柵極電壓振蕩，損壞柵極。正向VGE越高，IGBT器件的VGES越低，越有利于降低器件的通態(tài)損耗。但也會(huì)使IGBT承受短路電流的時(shí)間變短，并使續(xù)流二極管反向恢復(fù)過電壓增大。因此正偏壓要適當(dāng)，一般不允許VGE超過+20V。關(guān)斷IGBT時(shí)，必須為IGBT器件提供—5~—15V的反向VGE，以便盡快抽取IGBT器件內(nèi)部的存儲(chǔ)電荷，縮短關(guān)斷時(shí)間，提高IGBT的耐壓和抗干擾能力。采用反偏壓可減少關(guān)斷損耗，提高IGBT工作的可靠性。

　　2）要求驅(qū)動(dòng)電路具有隔離的輸入、輸出信號(hào)功能，同時(shí)要求在驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)部信號(hào)傳輸無延時(shí)或延時(shí)很小。

　　3）要求在柵極回路中必須串聯(lián)合適的柵極電阻RG，用以控制VGE的前后沿陡度，進(jìn)而控制IGBT器件的開關(guān)損耗。RG增大，VGE前后沿變緩，IGBT開關(guān)過程延長；開關(guān)損耗增加；RG減小，VGE前后沿變陡，IGBT器件開關(guān)損耗降低，同時(shí)集電極電流變化率增大。較小的柵極電阻使得IGBT的導(dǎo)通di/dt變大，會(huì)導(dǎo)致較高的dv/dt，增加了續(xù)流二極管恢復(fù)時(shí)的浪涌電壓。因此，在設(shè)計(jì)柵極電阻時(shí)要兼顧到這兩個(gè)方面的問題。因此，RG的選擇應(yīng)根據(jù)IGBT的電流容量、額定電壓及開關(guān)頻率，一般取幾歐姆到幾十歐姆。

　　4）驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有過壓保護(hù)和dv/dt保護(hù)能力。當(dāng)發(fā)生短路或過電流故障時(shí)，理想的驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)該具備完善的短路保護(hù)功能。

　　柵極驅(qū)動(dòng)功率

　　IGBT要消耗來自柵極電源的功率，其功率受柵極驅(qū)動(dòng)負(fù)、正偏置電壓的差值△VGE、柵極總電荷Qc和工作頻率Fs的影響。驅(qū)動(dòng)電路電源的最大峰值電流IGPK為

　　IGPK=±（△VGE/RG）

　　驅(qū)動(dòng)電路電源的平均功率PAV為

　　PAV=AVCE×Qc×Fs

　　驅(qū)動(dòng)電路電源應(yīng)穩(wěn)定，能提供足夠高的正負(fù)柵壓，電源應(yīng)有足夠的功率，以滿足柵極對(duì)驅(qū)動(dòng)功率的要求。在大電流應(yīng)用場合，每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路最好都采用獨(dú)立的分立的隔離電源。驅(qū)動(dòng)電路的電源和控制電路的電源應(yīng)獨(dú)立設(shè)置，以減小相互間的干擾，推薦使用帶多路輸出的開關(guān)電源作為驅(qū)動(dòng)電路電源。

　　三、IGBT的驅(qū)動(dòng)條件

　　嚴(yán)格地說，能否充分利用器件的性能，關(guān)鍵取決于驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。前面講過，理論上VGE≥VGE（th），IGBT即可導(dǎo)通；一般情況下VGE（th）=5~6V，當(dāng)VGE增加時(shí)，通態(tài)壓降減小，通態(tài)損耗減小；但I(xiàn)GBT承受短路電流能力減?。划?dāng)VGE太大時(shí)，可能引起柵極電壓振蕩，損壞柵極。當(dāng)VGE減小時(shí)，通態(tài)壓降增加，通態(tài)損耗增加。

　　為使通態(tài)壓降最小，同時(shí)IGBT又具有較好的承受短路電流能力，通常選取VGE≥D×VGE（th），當(dāng)VGE（th）為6V，系數(shù)D分別為1.5、2、2.5、3時(shí)，VGE則分別為9V、12V、15V、18V；通常柵極驅(qū)動(dòng)電壓VGE取12~15V為宜，12V最佳。IGBT關(guān)斷時(shí)，柵極加負(fù)偏壓，提高抗干擾能力，提高承受dv/dt能力，柵極負(fù)偏壓一般為-10V。

　　在IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)特別注意導(dǎo)通特性、負(fù)載短路能力和dv GE/dt引起的誤觸發(fā)等問題。正偏置電壓VGE增加，通態(tài)電壓下降，導(dǎo)通能耗EON也下降，分別如圖2a和圖4-2b所示。若使VGE固定不變時(shí)，導(dǎo)通電壓將隨集電極的電流增大而增高；導(dǎo)通損耗將隨結(jié)溫升高而升高。

　　圖2 正偏置電壓VGE（ON）與VCE和EON的關(guān)系

　　a）VGE（ON）與VCE的關(guān)系b）VGE（ON）與EON的關(guān)系

　　IGBT柵極負(fù)偏電壓-VGE直接影響IGBT的可靠運(yùn)行，負(fù)偏電壓增高時(shí)集電極的浪涌電流明顯下降，對(duì)關(guān)斷能耗無顯著影響，-VGE與集電極浪涌電流和關(guān)斷能耗EOFF的關(guān)系分別如圖3a和圖3b所示。柵極電阻RG增加，將使IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間增加；因而使導(dǎo)通與關(guān)斷能耗均增加。而柵極電阻減少，則又使di/dt增大，可能引發(fā)IGBT誤導(dǎo)通，同時(shí)RG上的損耗也有所增加。

　　圖3-VGE與集電極浪涌電流和關(guān)斷能耗EOFF的關(guān)系

　　a）-VGE與集電極浪涌電流關(guān)系b）-VGE與關(guān)斷能耗Eoff的關(guān)系

　　由上述不難得知：IGBT的特性隨柵極驅(qū)動(dòng)條件的變化而變化，就像。雙極型晶體管的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨基極驅(qū)動(dòng)而變化一樣。然而，對(duì)于IGBT來說，柵極驅(qū)動(dòng)條件僅對(duì)其關(guān)斷特性略有影響。

　　柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗，除了引起電流下降時(shí)間延遲外，柵極電阻還影響開關(guān)損耗。柵極電阻減小時(shí)，總損耗將減小。導(dǎo)通損耗主要由MOSFET的特性決定，關(guān)斷損耗主要由少子決定，導(dǎo)通損耗比關(guān)斷損耗受柵極電阻的影響更大。為了減小dv/dt的影響，柵極通常應(yīng)加人一個(gè)負(fù)偏壓。但是，這樣要求增加與高壓側(cè)開關(guān)器件隔離的電源。

　　柵極電壓的降低有助于控制IGBT承受短路電流的能力，降低柵極驅(qū)動(dòng)電壓，能夠減小短路時(shí)的集電極電流和功耗。在IGBT柵極串人二極管、電阻網(wǎng)路，就能完成這種功能，并且響應(yīng)時(shí)間小于1μs。在IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)應(yīng)注意以下事項(xiàng)：

　　1） IGBT具有一個(gè)2.5~5V的閾值電壓，有一個(gè)容性輸入阻抗，因此IGBTr對(duì)柵極電荷非常敏感，故驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的連線要盡量短。柵極正向驅(qū)動(dòng)電壓的大小將對(duì)電路性能產(chǎn)生重要影響，必須正確選擇。當(dāng)正向驅(qū)動(dòng)電壓增大時(shí)，IGBT的導(dǎo)通電阻下降，使開通損耗減??；但若正向驅(qū)動(dòng)電壓過大則負(fù)載短路時(shí)其短路電流Ic隨VGE增大而增大，可能使.IGBT出現(xiàn)擎住效應(yīng)，導(dǎo)致門控失效，從而造成IGBT的損壞；若正向驅(qū)動(dòng)電壓過小會(huì)使IGBT退出飽和導(dǎo)通區(qū)而進(jìn)入線性放大區(qū)域，使IGBT過熱損壞；使用中選12V≤VGE≤18V為好。柵極負(fù)偏置電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通，一般負(fù)偏置電壓選-5V為宜。另外，IGBT開通后驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓和電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和導(dǎo)通區(qū)而損壞。

　　2） IGBT快速開通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下IGBT的開關(guān)頻率不宜過大，因?yàn)楦咚匍_通和關(guān)斷時(shí)，會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓，極有可能造成IGBT或其他元器件被擊穿。

　　3） 選擇合適的柵極串聯(lián)電阻RG和柵射電容CG對(duì)IGBT的驅(qū)動(dòng)相當(dāng)重要。RG較小，柵射極之間的充放電時(shí)間常數(shù)比較小，會(huì)使開通瞬間電流較大，從而損壞IGBT；RG較大，有利于抑制dvce/dt，但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗。合適的CG有利于抑制dic/dt，CG太大，開通時(shí)間延時(shí)，CG太小對(duì)抑制dic/dt效果不明顯。

　　4） 當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)，柵射電壓很容易受IGBT和電路寄生參數(shù)的干擾，而引起器件誤導(dǎo)通，為防止這種現(xiàn)象發(fā)生，可以在柵射間并接一個(gè)電阻。此外，在實(shí)際應(yīng)用中為防止柵極驅(qū)動(dòng)電路出現(xiàn)高壓尖峰，最好在柵射問并接兩只反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管，其穩(wěn)壓值應(yīng)與正負(fù)柵壓相同。

　　5） 用內(nèi)阻小的驅(qū)動(dòng)源對(duì)柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓VGE有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關(guān)損耗盡量小。另外，IGBT導(dǎo)通后，柵極驅(qū)動(dòng)源應(yīng)能提供足夠的功率，使IGBT因不退出飽和而損壞。

　　6） 驅(qū)動(dòng)電路要能傳遞幾十kHz的脈沖信號(hào)。

　　7） 在大電感負(fù)載下，IGBT的開關(guān)時(shí)間不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰電壓，確保IGBT的安全。

　　8） 由于IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場合，故驅(qū)動(dòng)電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離。

　　9） IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡可能簡單實(shí)用，最好自身帶有對(duì)IGBT的保護(hù)功能，并要求有較強(qiáng)的抗干擾能力。

　　四、柵極電阻Rg的作用

　　1、消除柵極振蕩

　　絕緣柵器件（IGBT、MOSFET）的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。

　　2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗 電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。

　　3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度

　　柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率大大提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。

　　五、igbt驅(qū)動(dòng)器如何選擇？

　　1 確定igbt門極容量

　　在設(shè)計(jì)和選購igbt 驅(qū)動(dòng)器之前，必須首先知道igbt 的門極負(fù)荷q，這是一個(gè)十分重要的參數(shù)，但在igbt 的技術(shù)參數(shù)中生產(chǎn)廠家一般并不直接給出，而需要我們借助其它參數(shù)得到。igbt 具有mosfet 的輸入級(jí)，在igbt的技術(shù)資料中往往有一個(gè)參數(shù)ciss，一般我們把它叫作輸入電容，該電容的測試往往是在ugs=0，uos=25v，f=1mhz 的情況下進(jìn)行，由于密勒效應(yīng)， 該值往往比在ugs= o v 時(shí)要小，根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，igbt 的輸入電容一般滿足下面的公式 　cin≈5ciss 　一般simens 和 eupec 公司的igbt 滿足上述公式。知道了igbt 的輸入電容cin，門極的負(fù)荷可以由下面公式得到 q=∫oidt= cin △ u。 △ u 代表門極的驅(qū)動(dòng)電壓，大多數(shù)的igbt 開通電壓+15v，關(guān)斷電壓-5v，因而△u= 2 0 v ， 如應(yīng)用十分廣泛的e x b 8 4 1 系列。高電壓、大電流igbt 往往開通關(guān)斷均為15v，因而△ u= 3 0 v 。

　　2 開關(guān)頻率確定

　　開關(guān)頻率的大小不僅影響系統(tǒng)的控制精度，而且影響系統(tǒng)的整體性能，如運(yùn)行效率，噪聲指標(biāo)。開關(guān)頻率是所有電力電子變換器的一個(gè)重要參數(shù)。根據(jù)igbt 的門極容量，儲(chǔ)存在igbt 輸入電容中的能量可以計(jì)算得到每個(gè)脈沖周期柵極充放電各一次，因而驅(qū)動(dòng)一只igbt 的功率為：f 為開關(guān)頻率。驅(qū)動(dòng)器的平均輸出電流iout可以這樣得到：p=iout * △u 比較上面兩式q=iout / f 驅(qū)動(dòng)器的平均電流在數(shù)據(jù)文檔可以找到，則igbt的最大允許開關(guān)頻率可以得到： 。

　　3 門極驅(qū)動(dòng)電阻rg的選取

　　igbt的開關(guān)時(shí)間是由驅(qū)動(dòng)器對(duì)igbt的輸入電容的充放電來控制，增加門極輸出電流，igbt 開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間會(huì)相應(yīng)縮短，開關(guān)損耗也會(huì)降低，rg主要是用來限制門極輸出的降值電流， rg可由下式確定： rg = △u / ipeak ipeak一般可以在驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)文檔中找到。有些情況下，充放電峰值電流不同，門極電阻可以分別選取。

　　4 igbt驅(qū)動(dòng)器的比較選擇

　　4.1 光電耦合和變壓器耦合式比較 　光電耦合隔離式采用直流電源，輸出脈沖寬度可調(diào)。通過檢測集電極電壓實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù)。具有使用方便穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)。缺點(diǎn)是雙側(cè)均采用電源，電路復(fù)雜。比如exb841驅(qū)動(dòng)器，光電耦合器輸入與輸出之間耐壓一般較低為交流2500v，但實(shí)際使用中設(shè)備承受力不符合其條件，給使用帶來限制。另外，一旦igbt 燒壞，驅(qū)動(dòng)器受到損壞給維修帶來不便且不經(jīng)濟(jì)。 　變壓器耦合隔離式不用專設(shè)的電源，線路簡單， 輸入輸出間耐壓高， 成本低、響應(yīng)快。缺點(diǎn)是igbt 關(guān)斷期間得不到持續(xù)的反向門極電壓，抗干擾能力差，且輸出脈沖寬度不可調(diào)，不能實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù)，并且由于漏感的存在使繞組的繞制工藝復(fù)雜容易出現(xiàn)振蕩。

　　4.2 igbt 驅(qū)動(dòng)器選擇 　目前市場上可見的驅(qū)動(dòng)器：光電耦合隔離驅(qū)動(dòng)器有日本富士exb841，國內(nèi)落木源電子ka101，日本英達(dá)hr065等。變壓器隔離式驅(qū)動(dòng)器有美國unitrode公司uc3724-3725系列，還有專用的用來驅(qū)動(dòng)一個(gè)橋臂上2個(gè)igbt的美國ir公司的ir2110及國內(nèi)落木源電子的kd303，還有德國西門子公司的skh121等?？晒┻x用的范圍很廣，應(yīng)用方便。但使用時(shí)應(yīng)注意過電流問題， 比如exb841 系列驅(qū)動(dòng)器，采用era34-10 型快速二極管， 導(dǎo)通電壓為3v ， 反向耐壓采用與igbt 相同的等級(jí)。可以實(shí)現(xiàn)自身過電流保護(hù)，但若igbt 過電流對(duì)其壽命是有影響的。解決辦法是： ①反串穩(wěn)壓管， 限制igbt 的電流為200a，使工作穩(wěn)定可靠且電路簡單;②采用電流傳感器進(jìn)行直接限流。