汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢及應(yīng)用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它的工作原理與傳統(tǒng)的硅功率器件基本相同,
2023-09-05 09:04:42813 開關(guān)電源pwm控制的基本原理 隨著電力需求的不斷增加,電源管理技術(shù)愈加重要。開關(guān)電源作為一種高效能、可靠性高的電源,找到廣泛的應(yīng)用。在開關(guān)電源中,pwm控制技術(shù)是控制電源輸出的常用方式。本文針對
2023-09-02 10:25:51975 ldo與dcdc基本原理和區(qū)別? LD0和DCDC都是電源管理器件,它們之間的主要區(qū)別在于其工作原理、電路結(jié)構(gòu)和應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 一、基本原理: LD0芯片主要采用線性調(diào)節(jié)電壓方式,是通過對輸入電壓
2023-08-18 14:36:32771 超聲功率放大器是一種將低功率信號放大到高功率信號的設(shè)備,是實現(xiàn)超聲成像、治療和檢查的關(guān)鍵組件。它主要由功率放大電路、控制電路、保護電路等部分組成。本文將介紹超聲功率放大器的技術(shù)方案,包括其基本原理
2023-07-27 18:36:01339 安全光柵的基本原理及優(yōu)勢
2023-06-29 09:41:05266 LLC基本原理及設(shè)計方法
2023-06-25 10:05:284 矢量控制是一種高級的電機控制方法,它的基本原理是通過對電機的磁場進行控制,來實現(xiàn)對電機的轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速和位置的控制。矢量控制技術(shù)將三相電機的電流、電壓和頻率進行坐標(biāo)變換,將其轉(zhuǎn)換為直角坐標(biāo)系下的兩個分量x和y的形式,然后可以分別對這兩個分量進行控制,從而精確地控制電機的磁場和電流。
2023-03-28 15:44:092304 變頻調(diào)速的基本原理是通過控制電機輸入電壓的頻率和幅值來調(diào)節(jié)電機的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。變頻調(diào)速系統(tǒng)包括三個部分:變頻器、電機和控制系統(tǒng)。
2023-03-17 14:24:114379 薄膜開關(guān)基本原理
2023-03-09 16:36:03739 jtag基本原理介紹。
2022-10-24 15:05:080 求助各位,有人知道風(fēng)力發(fā)電機的發(fā)電的基本原理嗎?
2012-07-12 21:07:55
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.8UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23377 8.2.6功率MOSFET的實施:DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)
2022-02-28 11:20:02684 8.1.6功率JFET器件的實現(xiàn)8.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.5增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:28316 7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:05206 6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)
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2009-07-31 11:47:1756
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