什么是內(nèi)存條

在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。

存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，并且不依賴于電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。內(nèi)存指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，并用其存儲數(shù)據(jù)的部件，存放當前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會丟失。

我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”，指的是當我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。

從一有計算機開始，就有內(nèi)存。內(nèi)存發(fā)展到今天也經(jīng)歷了很多次的技術(shù)改進，從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，內(nèi)存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。內(nèi)存大多以M為單位，一般單條最大為2G=2048M，目前多見的是256M/512M/1G。

內(nèi)存條容量的辨識
當你拿到一條內(nèi)存的時候，能看出它的容量嗎？雖然我們可以把它插到機器上測試出來，但對于一個內(nèi)行人來說，看一眼就能知道內(nèi)存條的大小顯然是有意義的，并且并不難做到。

通過查驗內(nèi)存顆粒的型號，我們就可以計算出內(nèi)存的容量。雖然目前生產(chǎn)內(nèi)存條的廠商有許多，但能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒、并且能夠占領(lǐng)市場的廠家相對來說就不多了，國內(nèi)市場上主流內(nèi)存條所用的內(nèi)存顆粒，主要是一些國際性的大廠所生產(chǎn)。

下面就以幾個大廠的內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則為例來說明內(nèi)存容量的辨識方法。

三星內(nèi)存顆粒

目前使用三星的內(nèi)存顆粒來生產(chǎn)內(nèi)存條的廠家非常多，在市場上有很高的占有率。由于其產(chǎn)品線龐大，所以三星內(nèi)存顆粒的命名規(guī)則非常復雜。三星內(nèi)存顆粒的型號采用一個16位數(shù)字編碼命名的。這其中用戶更關(guān)心的是內(nèi)存容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。

編碼規(guī)則：K4XXXXXXXX-XXXXX

主要含義：

第1位

——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。

第2位——芯片類型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。

第11位——連線“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。

知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。

注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。

Micron內(nèi)存顆粒

Micron（美光）內(nèi)存顆粒的容量辨識相對于三星來說簡單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。

16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。

A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條MicronDDR內(nèi)存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計算為：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。

西門子內(nèi)存顆粒

目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，后三位標識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標上工作速率。

-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為：128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。

1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為：128Mbits（兆數(shù)位）×8片/8=128MB（兆字節(jié)）。

Kingmax內(nèi)存顆粒

Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tinyballgridarray）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。

容量備注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間×16位數(shù)據(jù)寬度。

Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號后用短線符號隔開標識內(nèi)存的工作速率：

-7A——PC133/CL=2；

-7——PC133/CL=3；

-8A——PC100/CL=2；

-8——PC100/CL=3。

例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A的內(nèi)存顆粒制造，其容量計算為：64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。

內(nèi)存條的CL=2和CL=3是什么意思，兩者有什么區(qū)別？
CL是CASLatency的縮寫，指的是CPU在接到讀取某列內(nèi)存地址上數(shù)據(jù)的指令后到實際開始讀出數(shù)據(jù)所需的等待時間，CL=2指等待時間為2個CPU時鐘周期，而CL=3則為3個CPU時鐘周期。對今天的高速CPU而言，1個時鐘周期的長度微乎其微。因此不論CL=2還是CL=3的內(nèi)存，用戶在實際使用中是感覺不到性能差距的。而廠家在生產(chǎn)內(nèi)存條時，不論CL=2還是CL=3，用的都是同樣的原料和設(shè)備。只是在生產(chǎn)完成后檢測時，挑出精度高的當CL=2的賣，精度相對低一些的則當CL=3的賣。實際上有不少被當作CL=3賣的內(nèi)存條也可以在CL=2下工作。因此CL=2的內(nèi)存條的最大優(yōu)勢就在于更精密一些，換而言之就是為超頻所留的余地更大一些，超頻后系統(tǒng)會更穩(wěn)定一些。