對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量， 無(wú)論充放電過(guò)程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此，MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影響由 MOS- FET 柵極的容性負(fù)載產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)器功耗。
2018-04-28 09:11:06
12541 
設(shè)計(jì)解決方案9-2相DC / DC控制器可降低電容并延長(zhǎng)便攜式應(yīng)用的電池壽命
2019-07-24 09:03:26
Maxim推出具有±15kV ESD保護(hù)的4通道輸出驅(qū)動(dòng)器MAX14521E，用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)場(chǎng)致發(fā)光(EL)燈。這款EL燈驅(qū)動(dòng)器采用基于電感的升壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生300VP-P (最大值)的高壓，對(duì)應(yīng)EL燈
2019-08-27 07:53:09
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC44411資料下載內(nèi)容包括：LTC4441-1功能和特點(diǎn)LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內(nèi)部方框圖LTC4441-1典型應(yīng)用電路LTC4441-1電氣參數(shù)
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在尋找這兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
延長(zhǎng)電池壽命是各種應(yīng)用中常見(jiàn)的設(shè)計(jì)要求。無(wú)論是玩具還是水表，設(shè)計(jì)師都有各式技術(shù)來(lái)提高電池壽命。在這篇博文中，我將闡述一種可策略性地繞過(guò)低掉電線性穩(wěn)壓器（LDO）的技術(shù)。 生成導(dǎo)軌使用LDO是從電池
2019-03-25 06:45:12
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
高得多的電流。圖2中，當(dāng)功率MOSFET由微控制器I/O引腳以最大額定拉電流驅(qū)動(dòng)時(shí)，觀察到切換時(shí)間間隔較長(zhǎng)。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率
2021-07-09 07:00:00
同時(shí)施加一個(gè)信號(hào)，則兩個(gè)通道輸出的時(shí)間延遲是延遲匹配數(shù)值。延遲匹配數(shù)值越小，柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)的性能越好。延遲匹配有兩個(gè)主要好處：· 確保同時(shí)驅(qū)動(dòng)的并聯(lián)MOSFET具有最小的導(dǎo)通延遲差。· 簡(jiǎn)化了柵極
2019-04-15 06:20:07
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
我設(shè)計(jì)一個(gè)基于PIC24的電池供電記錄器，沒(méi)有用戶輸入（按鈕等）。它將作為USB主機(jī)（僅）操作，并且應(yīng)該檢測(cè)何時(shí)插入U(xiǎn)SB拇指驅(qū)動(dòng)器（然后轉(zhuǎn)儲(chǔ)所收集的數(shù)據(jù)）。LED指示器將顯示活動(dòng)，電池壽命應(yīng)該
2020-03-18 10:44:06
180度。 高端驅(qū)動(dòng)器 高端驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)低RDS（ON）N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動(dòng)器在3nF負(fù)載下有20ns的上升和下降時(shí)間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
CK5G14 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 250V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
到低壓側(cè)的柵極MOSFET（LGATE）。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù)，如果在初始啟動(dòng)期間，MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-30 16:47:03
DN472 - 電池調(diào)理器延長(zhǎng)了鋰離子電池的壽命
2019-08-09 14:16:12
盡量地延長(zhǎng)可再充電電池組的循環(huán)壽命
2019-07-04 15:05:23
用于Si8751隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器的Si8751-EVB，Si875x評(píng)估套件是驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中使用的功率開關(guān)的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長(zhǎng)的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
驅(qū)動(dòng)器系列之類的器件不僅能滿足高能效 BLDC 電機(jī)的要求，還能減少系統(tǒng)的元件數(shù)量，同時(shí)降低成本和復(fù)雜性。DRV8323x 系列有三種型號(hào)。每種型號(hào)都集成了三個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)
2019-08-13 07:00:00
耦合器相比，具有速度優(yōu)勢(shì)。在圖3中，采用的是一個(gè)脈沖變壓器，其工作速度可以達(dá)到半橋柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用通常所需的水平（最高1 MHz）。柵極驅(qū)動(dòng)器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極
2018-07-03 16:33:25
變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些驅(qū)動(dòng)器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動(dòng)器芯片
2021-01-22 06:45:02
柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過(guò)具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對(duì)反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過(guò)如下方式評(píng)估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動(dòng)器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
作者：Chris Glaser 德州儀器采用電池驅(qū)動(dòng)單 LED 時(shí)，效率是關(guān)鍵。高效使用電池能量并將其轉(zhuǎn)換為光輸出可延長(zhǎng)電池使用壽命，降低成本并為最終用戶減少麻煩。首先要實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)功率轉(zhuǎn)換，接下來(lái)
2018-09-19 11:31:57
。TB9083FTG這款新產(chǎn)品能夠控制和驅(qū)動(dòng)用于驅(qū)動(dòng)3相直流無(wú)刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。它非常適合用于滿足ISO 26262功能安全性標(biāo)準(zhǔn)第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
：BJT圖騰柱（左）與柵極驅(qū)動(dòng)器芯片UCC27517A-Q1（右）分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù)，而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確保可預(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能…
2022-11-04 06:40:48
（升壓）轉(zhuǎn)換器的IC成本。但線性電路的效率可以縮短電池壽命。 圖1：具有LDO的智能鎖定框圖 圖2所示為帶升壓轉(zhuǎn)換器的方框圖，如TPS61030。四節(jié)AA電池重新排列，以支持電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的升壓拓?fù)?，而無(wú)
2019-03-27 06:45:03
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
負(fù)載的響應(yīng)性較差，這可能導(dǎo)致電池可用容量降低。因此在本文中，我們將探討一種降低電池峰值負(fù)載（數(shù)百毫安級(jí)）的有效方法，從而幫助延長(zhǎng)電池壽命。更大程度提高電池可用容量是十分重要的，因?yàn)檫@可以使系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
2022-11-04 07:14:17
一次。目前，我計(jì)劃使用MCU和單片MOSFET H橋，但希望減少元件數(shù)量。所以，有沒(méi)有這樣的節(jié)拍？謝爾斯達(dá)格爾 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
到低壓側(cè)的柵極MOSFET（LGATE）。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù)，如果在初始啟動(dòng)期間，MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨(dú)創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù)，作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器，是業(yè)界最小的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦
2019-04-29 21:09:14
Brian Kennedy，ADI公司數(shù)字隔離器部高級(jí)應(yīng)用工程師內(nèi)容提要帶同步整流功能的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法是使用光耦合器或脈沖變壓器進(jìn)行隔離，并將其與一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合
2018-10-15 09:46:28
DRV8353RH-EVM是什么？基于DRV8353RH的三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊電路該如何去設(shè)計(jì)？
2021-07-02 07:09:31
延長(zhǎng)電池壽命是各種應(yīng)用中常見(jiàn)的設(shè)計(jì)要求。無(wú)論是玩具還是水表，設(shè)計(jì)師都有各式技術(shù)來(lái)提高電池壽命。在這篇博文中，我將闡述一種可策略性地繞過(guò)低掉電線性穩(wěn)壓器（LDO）的技術(shù)。
2019-07-26 07:55:11
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
本文就充放電過(guò)程的溫度控制技術(shù)、電池充電電源短路保護(hù)與選擇電池充電器以延長(zhǎng)電池壽命等芯片應(yīng)用的方案配置作介紹。
2021-05-12 06:53:05
如何延長(zhǎng)蓄電池的使用壽命？
2021-06-18 06:03:40
過(guò)。另?yè)?jù)報(bào)道，與基于IGBT的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以帶來(lái)更高的效率［3］。在驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢(shì)可以通過(guò) CSD
2023-02-21 16:36:47
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可輕松用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
高亮度的照明時(shí)，調(diào)光可幫助用戶減少光輸出，進(jìn)而降低電池電源消耗。調(diào)光與高效率功率轉(zhuǎn)換相結(jié)合，可最大限度地延長(zhǎng)智能手機(jī)和血糖儀等設(shè)備的電池使用壽命。通過(guò) a) 檢測(cè)電阻器與 b) 功率級(jí)中的 MOSFET
2022-11-23 07:21:04
、時(shí)序特性更精確，與光耦合器相比，具有速度優(yōu)勢(shì)。在圖3中，采用的是一個(gè)脈沖變壓器，其工作速度可以達(dá)到半橋柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用通常所需的水平(最高1 MHz)。柵極驅(qū)動(dòng)器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電
2018-10-23 11:49:22
1 MHz)。柵極驅(qū)動(dòng)器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電所需的高電流。圖3中的柵極驅(qū)動(dòng)器以差分方式驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的原邊，該變壓器副邊有兩個(gè)繞組，用于驅(qū)動(dòng)半橋的各個(gè)柵極。使用脈沖變壓器的一個(gè)優(yōu)勢(shì)
2018-10-16 16:00:23
MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動(dòng)器以差分方式驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的原邊，兩個(gè)副邊繞組驅(qū)動(dòng)半橋的各個(gè)柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢(shì)，不需要用隔離式電源來(lái)驅(qū)動(dòng)副邊MOSFET. 圖3
2018-09-26 09:57:10
描述該用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的三相緊湊型功率級(jí)參考設(shè)計(jì)使用支持基本電容隔離要求的 UCC53xx 柵極驅(qū)動(dòng)器，可通過(guò)光耦合器提供更長(zhǎng)的使用壽命和更佳的傳播延遲匹配，從而最大程度地減小逆變器死區(qū)失真和損耗
2018-09-30 09:44:42
延長(zhǎng)電池壽命的開關(guān)電源
2019-09-18 09:11:39
越低，轉(zhuǎn)換器就越能延長(zhǎng)系統(tǒng)待機(jī)模式下的電池壽命?！ ?. 真關(guān)斷模式：關(guān)斷時(shí)將電流輸出與輸入阻塞，該功能可提高效率、延長(zhǎng)最終產(chǎn)品保質(zhì)期。如果作為轉(zhuǎn)換器的集成功能，還能夠節(jié)省昂貴的外部元件?！ ?b class="flag-6" style="color: red">3
2021-01-28 17:21:40
帶同步整流功能的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法是使用光耦合器或脈沖變壓器進(jìn)行隔離，并將其與一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合在一起。本文將說(shuō)明光耦合器和脈沖變壓器的局限性，并提出一種集成度更高的方法，其
2017-04-05 14:05:25
（圖 3）。 圖 3：高集成度柵極驅(qū)動(dòng)器（如 TI 的 DRV8323R）可以減少系統(tǒng)元件數(shù)量，降低成本和復(fù)雜性，同時(shí)節(jié)省空間。（圖片來(lái)源：Texas Instruments） 這些柵極驅(qū)動(dòng)器具有多項(xiàng)
2019-09-23 08:30:00
減少系統(tǒng)的元件數(shù)量，同時(shí)降低成本和復(fù)雜性。DRV8323x 系列有三種型號(hào)。每種型號(hào)都集成了三個(gè)獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)的 MOSFET 對(duì)。柵極驅(qū)動(dòng)器包含一個(gè)電荷泵，可為高壓側(cè)晶體管
2019-10-31 08:00:00
/5.0V），用作端口控制器的數(shù)字電源。MAX77756的靜態(tài)電流低至20μA，大幅降低空閑模式下的功耗，進(jìn)而延長(zhǎng)電池壽命。為簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，MAX77756采用雙輸入理想二極管構(gòu)成的“或”電路，允許芯片由
2017-09-18 10:27:27
每個(gè)半橋的參數(shù)設(shè)置、晶體管的獨(dú)立或協(xié)調(diào)控制以及診斷監(jiān)控。圖3：使用從MCU到DRV8718-Q1汽車柵極驅(qū)動(dòng)器的菊花鏈配置控制16個(gè)半橋統(tǒng)一控制可減少 MCU 的工作量。只需一條命令，MCU 即可啟用
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
AN1315，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的L6386 MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板。 L6386，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的MOSFET功率驅(qū)動(dòng)器。三相演示板是用于評(píng)估和設(shè)計(jì)高壓柵極驅(qū)動(dòng)器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
范圍，并給出了低功率和大功率柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)例計(jì)算。此外，它旨在解釋如何解釋大相徑庭的散熱器的要求，數(shù)量的 mosfet 正在使用，等等。電動(dòng)工具選擇的廣泛性一些電動(dòng)工具陣容跨越12v 到24v 的范圍
2022-04-14 14:43:07
開啟、關(guān)閉和音量調(diào)節(jié)時(shí)可確保無(wú)雜音工作。地電位檢測(cè)可降低地回路電流產(chǎn)生的輸出噪聲。立體聲D類揚(yáng)聲器放大器采用Maxim最新的超低EMI、高效率、無(wú)需濾波技術(shù)，能夠?yàn)?Ω揚(yáng)聲器提供950mW輸出功率，效率高達(dá)87%。上述功能可有效延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池使用壽命、減少外部元件數(shù)量、并提供豐富的聲壓等級(jí)。
2021-04-16 06:51:33
CR2032硬幣電池操作電路延長(zhǎng)電池壽命利用它內(nèi)部的Boost變換器，該ltc3107可以從TEG提供電壓水平低20 mV收獲能量。隨著2.2 V的LDO輸出驅(qū)動(dòng)外部MCU，該器件提供了一個(gè)主輸出電壓
2016-03-02 14:36:45
描述電池壽命延長(zhǎng)器我試圖將 NodeMCU 用于遠(yuǎn)程溫度監(jiān)控器。對(duì)于電池供電的設(shè)備，睡眠模式仍然使用太多電流。該電路應(yīng)該使我能夠使用 AA 或 AAA 電池運(yùn)行數(shù)月。NodeMCU 被編程為在傳輸溫度和濕度后提供 DONE 信號(hào) 提供一個(gè)小開關(guān)以允許用戶觸發(fā)計(jì)時(shí)器，因此他們不必等待 30 分鐘。
2022-08-16 06:19:43
電動(dòng)工具、園藝工具和吸塵器等電器采用低電壓（2至10節(jié)）鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)。BLDC電機(jī)的效率更高、維護(hù)少、噪音小，且使用壽命
2019-03-05 06:45:07
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
的拉電流和灌電流額定值通常可達(dá)數(shù)十毫安，而柵極驅(qū)動(dòng)器可以提供高得多的電流。圖2中，當(dāng)功率MOSFET由微控制器I/O引腳以最大額定拉電流驅(qū)動(dòng)時(shí)，觀察到切換時(shí)間間隔較長(zhǎng)。如圖3所示，采用ADuM4121
2018-11-01 11:35:35
驅(qū)動(dòng)器供電。變壓器包含四個(gè)次級(jí)繞組，三個(gè)用于頂部柵極驅(qū)動(dòng)器每相的浮動(dòng)電源，以及底部柵極驅(qū)動(dòng)器的公共電源（圖3）。除了大型變壓器之外，還需要用于濾波的大電容器和用于初級(jí)繞組開關(guān)的大型晶體管。這些大型設(shè)備
2018-08-18 12:05:14
高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器14nsUCC27201A3A，120V高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器20ns表1：高速驅(qū)動(dòng)器 系統(tǒng)效率是一個(gè)團(tuán)隊(duì)努力的結(jié)果。本博客系列介紹了高速和高電流柵極驅(qū)動(dòng)器是關(guān)鍵件。立即訪問(wèn)
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極管的功耗來(lái)提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)本應(yīng)用筆記將詳細(xì)討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時(shí)間將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的
2010-06-11 15:23:20
212 N溝道MOSFET延長(zhǎng)便攜設(shè)備電池壽命
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便
2010-03-13 11:11:20867 筆記本最大限度延長(zhǎng)電池的使用壽命
本文將討論如何有效地使用電池，以及最大限度地延長(zhǎng)電池的使用壽命。本文將只討論最新的XTRA這幾個(gè)使用了鋰電池的系列，對(duì)于較
2010-04-19 09:20:34850 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 ADP3110A是一個(gè)單相12V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換器中同時(shí)驅(qū)動(dòng)高_(dá)側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET的柵極。高_(dá)側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過(guò)渡時(shí)間驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載。
2018-08-27 10:44:0078 通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動(dòng)設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過(guò)壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301635 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391475 介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來(lái)匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34808 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150
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