高頻信號發(fā)生器和低頻信號發(fā)生器 - 電路設(shè)計寶典：信號發(fā)生器設(shè)計錦集

　　三、高頻信號發(fā)生器

　　頻率為100千赫～30兆赫的高頻、30～300兆赫的甚高頻信號發(fā)生器。一般采用LC調(diào)諧式振蕩器，頻率可由調(diào)諧電容器的度盤刻度讀出。主要用途是測量各種接收機的技術(shù)指標(biāo)。輸出信號可用內(nèi)部或外加的低頻正弦信號調(diào)幅或調(diào)頻，使輸出載頻電壓能夠衰減到1微伏以下。

　　此高頻信號發(fā)生器由高頻石英晶體振蕩電路和告警電路組成。其工作原理為：振蕩器電路由穩(wěn)壓管VD1和三極管VT1，石英晶體諧振器SJT，電容器C1、C2并聯(lián)諧振槽路以及其它電阻、電容等原件組成。該振蕩器為單管調(diào)諧變量器反饋式振蕩電路，在反饋回路中，串接了石英晶體諧振器SJT，振蕩頻率工作在石英晶體諧振器相串聯(lián)的固定電容C2，空氣微調(diào)電容器C1 用來補償石英晶體諧振器獲得最佳的激勵功率。

　　四、低頻信號發(fā)生器

　　低頻信號發(fā)生器包括音頻（200～20000赫）和視頻（1赫～10兆赫）范圍的正弦波發(fā)生器。主振級一般用RC式振蕩器，也可用差頻振蕩器。為便于測試系統(tǒng)的頻率特性，要求輸出幅頻特性平和波形失真小。

　　本電路具有良好的線性和精度，輸出為每秒1000個脈沖時，誤差只有1%。如果每秒10個脈沖，其誤差可以減少到0.001%。由于可控硅整流器SCR的陰極是連接到運算放大器的相加點。所以應(yīng)采用負電壓控制。對于正輸入電壓可以倒相后輸入。

　　電路復(fù)位是由R-S觸發(fā)器和延時倒相器來完成。平時觸發(fā)器Q輸出端為低電平，故可控硅SCR截止，積分器的輸出通過二極管VD1加至三極管VT1的基極。當(dāng)積分器輸出達到大約1.4V的時候，晶體管導(dǎo)通，使觸發(fā)器置位。此時觸發(fā)器的Q輸出變成高電平，可控硅SCR導(dǎo)通，積分電容放電。Q輸出的高電平經(jīng) 1us延時和倒相后使觸發(fā)器復(fù)位，積分電容C放電到大約0.7V的時候，可控硅截止，于是第二個積分周期開始。