伯東企業(yè)（上海）有限公司文章

• Gel-Pak VRP 可變黏度防靜電真空釋放盒2024-10-18 14:19

  

  上海伯東美國 Gel-Pak VRP 真空釋放盒相對于傳統(tǒng)的真空釋放 Vacuum Release 芯片盒, 有著優(yōu)異的防靜電性能, 但在使用中發(fā)現(xiàn), VRP 的最低黏度 EH02 （對標 VR 的 XL 黏度）在一些特定的應(yīng)用中存在黏度偏高的問題, Gel-Pak 針對這個問題提出了 VRP 防靜電真空釋放盒可變黏度的解決方法, 滿足高寬深比器件, 微機電

  VRP 芯片 防靜電 226瀏覽量

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340W 鋰電池蓋帽(蓋板)檢漏系統(tǒng)2024-09-13 10:53

  

  上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340W 適用于動力電池行業(yè)和汽車行業(yè)的檢漏系統(tǒng), 提供鋰電池蓋帽(蓋板)檢漏, 汽車壓縮機真空檢漏解決方案.

  動力電池 檢漏儀 鋰電池 379瀏覽量

• KRi 霍爾離子源 EH 2000 望遠鏡鏡片光學鍍膜應(yīng)用2024-09-13 10:38

  

  上海伯東美國 KRi 大尺寸霍爾離子源 EH 2000 安裝于高性能電子束光學鍍膜機, 實現(xiàn) 300 mm 望遠鏡鏡片鍍膜.

  光學鏡片 望遠鏡 電子束 299瀏覽量

• 美國 inTEST 高低溫沖擊熱流儀助力半導體芯片研發(fā)2024-09-13 10:19

  

  上海伯東代理美國 inTEST 高低溫沖擊熱流儀兼容各品牌半導體測試機, 可正確評估與參數(shù)標定芯片開發(fā), 器件或模塊研發(fā), 品質(zhì)檢查, 第三方認證, 失效分析, FAE 等幾乎所有流程, 高低溫沖擊測試作為一種常見的測試手段, 適用于 IGBT, MOSFET, 三極管, 二極管等各類半導體特性測試.

  半導體 芯片 高低溫測試 高低溫測試機 517瀏覽量

• 離子束刻蝕機物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用2024-09-12 13:31

  

  口離子束刻蝕機 IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質(zhì)或惰性材料.

  mems 傳感器 離子束 419瀏覽量

• 氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用于半導體新材料和設(shè)備管道檢漏2023-11-09 15:31

  

  上海伯東提供半導體新材料和設(shè)備管道檢漏解決方案, 助力企業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量的六氯乙硅烷 Si?Cl?. 六氯乙硅烷廣泛應(yīng)用于有機硅化合物的合成, 電子半導體材料制造.

  半導體 新材料 設(shè)備 373瀏覽量

• 氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用于真空鍍膜生產(chǎn)線2023-08-07 14:35

  

  Si3 N4 氮化硅鍍膜系統(tǒng). 在某次維護之后, 抽真空時只能達到 80 mbar 的壓力. 為了在如此高的工作壓力之下依然能夠進行檢漏, 推薦選用上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340. ASM 340 檢漏儀特有的定性大漏檢測模式 ( 在 100 hPa 即可進行大漏測試 ) , 借助此模式即可定位存在的漏點.

  檢漏儀 模式 系統(tǒng) 802瀏覽量

• Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片2023-08-07 14:28

  

  50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運輸和儲存過程中因為碰撞等造成芯片的損害.

  GaN SiC 芯片 670瀏覽量

• inTEST熱流儀邏輯芯片 FPGA高低溫沖擊測試2023-08-07 14:21

  

  FPGA 芯片需要按照 JED22-A104 標準做溫度循環(huán) TC 測試, 讓其經(jīng)受極端高溫和低溫之間的快速轉(zhuǎn)換. 一般在 -55℃~150℃ 進行測試, 傳統(tǒng)的環(huán)境箱因為升降溫速度受限, 無法滿足研發(fā)的快速循環(huán)測試需求. 上海伯東美國 inTEST 熱流儀 ATS-710E 變溫速率約 10 s, 實現(xiàn) FPGA 芯片極端高溫和低溫之間的快速轉(zhuǎn)換測

  FPGA 測試 芯片 高低溫測試機 985瀏覽量

• 上海伯東分子泵應(yīng)用于 LED 芯片退火合金爐2023-08-07 14:14

  

  LED 芯片退火合金爐屬于真空爐的一種, 需要在真空環(huán)境下實現(xiàn) LED 芯片的退火, 合金, 濕氧氧化, 歐姆電極燒結(jié)等工藝. 腔體真空度一般在 10-3 至 10-6 hPa 之間, 上海伯東德國 Pfeiffer 分子泵憑借大抽速,高穩(wěn)定性廣泛應(yīng)用于退火合金爐設(shè)備.

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