功率MOSFET平均售價(jià)持續(xù)上升 成為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)

自2018年開(kāi)始，功率MOSFET（Power MOSFET）的平均售價(jià)（ASP）持續(xù)上升，其中以工作電壓范圍超過(guò)400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長(zhǎng)幅度最顯著，已位居價(jià)格帶中的首位；至于其他中低電壓的功率MOSFET產(chǎn)品成長(zhǎng)幅度較小，但仍緩步上升。

為因應(yīng)平均售價(jià)成長(zhǎng)趨勢(shì)的差異化表現(xiàn)，12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠的建置及高電壓功率MOSFET產(chǎn)品布局，或?qū)⒊蔀槲磥?lái)廠商發(fā)展重點(diǎn)。

中低電壓功率MOSFET價(jià)格微幅成長(zhǎng)，將由12寸晶圓制程提高毛利

過(guò)去功率MOSFET以8寸晶圓制造為主，在制程成熟度與穩(wěn)定性上達(dá)到平衡，并已完成成本優(yōu)化。但在消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求激增下，8寸晶圓需要制造的產(chǎn)品也增加，包括PMIC、指紋識(shí)別IC、TDDI及IoT相關(guān)芯片等，讓8寸晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)吃緊狀態(tài)，引發(fā)8寸晶圓廠產(chǎn)能不足的問(wèn)題，因此對(duì)功率MOSFET的IDM大廠來(lái)說(shuō)，轉(zhuǎn)進(jìn)12寸晶圓廠是絕佳選擇。

目前具12寸晶圓廠制造功率MOSFET量產(chǎn)能力的廠商為Infineon，已有1座12寸功率半導(dǎo)體廠房生產(chǎn)，且計(jì)劃興建第二座，預(yù)計(jì)2021年開(kāi)始量產(chǎn)；從Infineon官方資料來(lái)看，12寸廠在功率與傳感器半導(dǎo)體的前段制程上具有6%成本效益，能為毛利帶來(lái)約2%增幅，因此未來(lái)將持續(xù)擴(kuò)大12寸晶圓制造比例。

另外，AOS（Alpha & Omega semiconductor）為市場(chǎng)上第二家將以12寸晶圓廠制造功率MOSFET的廠商，預(yù)計(jì)于2019下半年量產(chǎn)供貨，AOS認(rèn)為，12寸晶圓制造最直接優(yōu)勢(shì)在產(chǎn)能，且在降低制造成本及提升良率方面也較8寸廠優(yōu)秀；ON Semiconductor也購(gòu)入12寸晶圓廠，準(zhǔn)備生產(chǎn)功率半導(dǎo)體相關(guān)元件。

分析中低壓功率MOSFET（工作電壓范圍《400V）的平均售價(jià)趨勢(shì)可發(fā)現(xiàn)，其價(jià)格相對(duì)平穩(wěn)，近期價(jià)格雖有上漲但幅度較小，因此降低生產(chǎn)成本為提升毛利的必要條件，也令12寸晶圓制造功率MOSFET備受重視，未來(lái)中低電壓功率MOSFET在無(wú)法透過(guò)價(jià)格上漲創(chuàng)造更高利潤(rùn)下，憑借12寸廠成本優(yōu)勢(shì)仍有機(jī)會(huì)貢獻(xiàn)毛利率，并同時(shí)解決產(chǎn)能不足問(wèn)題。

高電壓功率MOSFET價(jià)格表現(xiàn)亮眼，為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)

功率半導(dǎo)體在終端產(chǎn)品應(yīng)用愈發(fā)廣泛，尤其近年在車(chē)用、5G與高端運(yùn)算等領(lǐng)域話題性高，皆有部分需求屬于高規(guī)格功率MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域，吸引主要IDM大廠積極投入開(kāi)發(fā)高電壓功率MOSFET（工作電壓范圍》400V）產(chǎn)品，推升平均售價(jià)大幅度成長(zhǎng)，位居價(jià)格帶首位。

為因應(yīng)高電壓功率MOSFET市場(chǎng)與技術(shù)需求，其中一項(xiàng)發(fā)展重點(diǎn)是寬能隙化合物半導(dǎo)體應(yīng)用，其使用的基底材料朝向以GaN及SiC等化合物半導(dǎo)體材料為主，能達(dá)成在高功率與高切換頻率需求。在主要供應(yīng)鏈廠商中，Infineon、On Semiconductor、STM、ROHM、AOS、Cree等積極開(kāi)發(fā)使用SiC的功率MOSFET元件，除歐美日大廠外，陸系廠商比亞迪、臺(tái)系廠商強(qiáng)茂也積極開(kāi)發(fā)SiC 功率MOSFET產(chǎn)品。

而在GaN部份，主要玩家有Infineon、AOS、Transphorm等，在高規(guī)格需求的功率MOSFET市場(chǎng)中搶占份額。值得一提的是，由于SiC與GaN晶圓的制造成本較Si晶圓高，也是拉抬高電壓功率MOSFET價(jià)格的主要推手之一。

總體而言，歐美日IDM大廠看好高規(guī)格功率MOSFET的未來(lái)發(fā)展，將持續(xù)增加既有的Silicon基底功率MOSFET與SiC/GaN基底功率MOSFET的產(chǎn)品數(shù)量及應(yīng)用領(lǐng)域，可望支撐高電壓功率MOSFET價(jià)格保持成長(zhǎng)水平，進(jìn)一步帶動(dòng)高電壓功率MOSFET的市場(chǎng)需求與產(chǎn)值成長(zhǎng)。