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更小更強的光子芯片取得理論突破!

MEMS ? 來源:YXQ ? 2019-06-30 12:12 ? 次閱讀

受制于摩爾定律,信息技術(shù)載體的存儲密度與運算速度的提升均面臨瓶頸,人類的目光從“電”轉(zhuǎn)向了速度更快的“光”,“光子芯片”的概念應(yīng)運而生。記者19日從南京理工大學(xué)獲悉,該校蔣立勇教授團隊提出一種新方法,實現(xiàn)了表面等離激元空間編碼功能,從理論上為多功能、多自由度調(diào)控的光子芯片的應(yīng)用開發(fā)助力,讓人們距離光子芯片更近一步。

蔣立勇介紹,在尺寸更小的芯片上通過全光調(diào)控加載更多的功能,擁有更大的存儲密度及更高的運行效率,是芯片發(fā)展的趨勢。但要將光子芯片由概念變?yōu)楝F(xiàn)實,仍有許多理論與技術(shù)難關(guān)亟待突破,如半導(dǎo)體集成工藝兼容性以及光子的多功能、多自由度調(diào)控等。

電子調(diào)控類似,人們可以通過精確調(diào)控光子行為讓光實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲與運算,目前主流的調(diào)控方法之一是全光相干調(diào)控。其以相干完美吸收效應(yīng)為理論基礎(chǔ),采用“面外”對稱入射進行相干調(diào)控,但受制于這一理論基礎(chǔ)固有的局限性,全光相干調(diào)控的模式選擇性、空間選擇性及集成性等性能指標(biāo)有所欠缺。

蔣立勇團隊另辟蹊徑,以表面等離激元模式相干機理為理論基礎(chǔ),創(chuàng)新性地提出了“面內(nèi)”全光相干調(diào)控方法,該方法突破了“面外”全光相干調(diào)控方法的機理限制,具有獨特的模式選擇性和空間選擇性,更有利于芯片集成。

此外,該方法的提出也為人工微納結(jié)構(gòu)相干光譜調(diào)控提供了新思路,可拓展到光子晶體等其他微納光子結(jié)構(gòu)的光譜調(diào)控研究上,未來有望啟發(fā)更多集成光通信、微納顯示和傳感等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。相關(guān)研究成果已在線發(fā)表在國際光學(xué)期刊《光:科學(xué)與應(yīng)用》上。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:南京理工大學(xué):更小更強的光子芯片取得理論突破

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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