SK海力士第一季營(yíng)益慘摔近70% 估計(jì)今年NAND晶圓投片量將年減10%以上

存儲(chǔ)器循環(huán)暴起暴落，價(jià)格重挫和需求降溫，讓 SK 海力士（SK Hynix）第一季營(yíng)益慘摔近 70%，為 2016 年第三季以來(lái)最糟表現(xiàn)。

SK 海力士 25 日新聞稿稱，今年第一季營(yíng)收為 6.77 兆韓圓，季減 32%、年減 22%。營(yíng)益為 1.37 兆韓圓（約 12 億美元），季減和年減幅度均為 69%。凈利為 1.10 兆韓圓，季減 68%、年減 65%。

Source：SK 海力士

Pulse 報(bào)導(dǎo)，市場(chǎng)原本估計(jì)營(yíng)益為 1.6 兆韓圓。

DRAM 部分，受到季節(jié)趨勢(shì)和服務(wù)器采購(gòu)保守影響，DRAM 位元出貨量季 減8%、平均售價(jià)下滑 27%。NAND Flash 部分，由于庫(kù)存水位仍高，供應(yīng)商競(jìng)爭(zhēng)加劇，位元出貨量季減 6%，平均售價(jià)減少 32%。

SK海力士將加強(qiáng)研發(fā)，因應(yīng)頹靡市況。今年下半，該公司會(huì)逐步提高 1Xnm 比重，并開(kāi)始出售 1Ynm 產(chǎn)品。據(jù)悉，1Xnm 是指 16~19 納米產(chǎn)品，1Ynm 是 14~16 納米；另外，1Znm 是 12~14 納米。

SK 海力士將專注提高 NAND Flash 獲利，已停產(chǎn)成本相對(duì)較高的 36 層和 48 層 3DNAND，并將提高 72 層 NAND 的生產(chǎn)比重。下半年要以 96 層 4D NAND，強(qiáng)化在 SSD（固態(tài)硬盤）和行動(dòng)市場(chǎng)地位。

考量到需求，SK 海力士的南韓清州 M15 廠，增產(chǎn)速度將低于預(yù)期，估計(jì)今年 NAND 晶圓投片量將年減 10% 以上。