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三菱電機開始發(fā)售功率半導(dǎo)體 降低客戶系統(tǒng)耗電量

電子工程師 ? 來源:yxw ? 2019-05-16 16:24 ? 次閱讀

三菱電機株式會社作為為降低太陽能發(fā)電和EV用充電器等電源系統(tǒng)的耗電量、縮小其體積做出貢獻的功率半導(dǎo)體新產(chǎn)品,對于采用了SiC※1耐壓1200V的“1200V SiC-SBD※2”5型將于2019年6月開始提供樣本,從2020年1月起依次發(fā)售。本產(chǎn)品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日~19日于日本幕張舉行),“PCIM Europe2019展”(5月7~9日于德國紐倫堡舉行),“PCIM※1 Asia2019展”(6月26~28日于中華人民共和國上海舉行)上展出。

※1Silicon Carbide:碳化硅

※2Schottky Barrier Diode肖特基勢壘二極管

新產(chǎn)品的特點

1.通過采用SiC,為降低耗電量、縮小體積做出貢獻

?通過使用SiC大幅降低開關(guān)損耗,降低約21%的電力損耗※3

?實現(xiàn)高速開關(guān),為縮小電抗器等配套零部件的體積做出貢獻

※3 與內(nèi)置PFC電路的三菱電機產(chǎn)品功率半導(dǎo)體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si(硅)二極管相比

2.通過采用JBS結(jié)構(gòu),提高可靠性

?采用pn結(jié)與肖特基結(jié)相結(jié)合的JBS※4結(jié)構(gòu)

?通過JBS結(jié)構(gòu)提高浪涌電流耐量,從而提高可靠性

※4 Junction Barrier Schottky

3.由5個產(chǎn)品構(gòu)成的產(chǎn)品陣容可對應(yīng)各種各樣的用途

?除了通常的TO-247封裝外,還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝

除民用品外還可對應(yīng)工業(yè)等各種各樣的用途

?產(chǎn)品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產(chǎn)品(BD20120SJ),也可對應(yīng)車載用途

※5 Automotive Electronics Council:車載電子零部件質(zhì)量規(guī)格

發(fā)售概要

產(chǎn)品名

型號

封裝

規(guī)格

開始提供

樣品月份

發(fā)售日期

1200V

SiC-SBD

BD10120P

TO-247-2

1200V/10A

2019年

6月

2020年

1月

BD20120P

1200V/20A

BD10120S

TO-247

1200V/10A

BD20120S

1200V/20A

BD20120SJ

1200V/20A

AEC-Q101

2020年

4月

銷售目標

近年來,出于節(jié)能環(huán)保的考慮,人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現(xiàn)高速開關(guān)的功率半導(dǎo)體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導(dǎo)體模塊,廣泛應(yīng)用于空調(diào)以及工業(yè)機械、鐵路車輛的逆變器系統(tǒng)等,為降低家電及工業(yè)機械的耗電量,縮小其體積和重量做出了貢獻。

在這一背景下,此次將發(fā)售采用了SiC的功率半導(dǎo)體“SiC-SBD”。在電源系統(tǒng)中應(yīng)用“SiC-SBD”,將為降低客戶的系統(tǒng)耗電量,縮小體積做出貢獻。

本產(chǎn)品的開發(fā)得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

※6Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬酸化膜半導(dǎo)體制の電界効果トランジスタ

主要規(guī)格

型號

BD10120S

BD10120P

BD20120S(J)

BD20120P

規(guī)格

1200V/10A

1200V/20A

耐浪涌電流

(絕對最大額定值)※7

95A

155A

正向電壓(標準)Tj=25℃

1.35V

封裝

TO-247

TO-247-2

TO-247

TO-247-2

封裝尺寸

15.9 × 41.0 × 5.0mm

※78.3msec, sine wave

SiC-SBD系列的產(chǎn)品陣容

粗框內(nèi)為本次的新產(chǎn)品。

產(chǎn)品名

型號

規(guī)格

封裝

供應(yīng)狀況

電壓[V]

電流[A]

SiC-SBD

BD10120S

1200

10

TO-247

自2019年6月起

開始提供樣品

BD10120P

TO-247-2

BD20120S

20

TO-247

BD20120SJ

TO-247

BD20120P

TO-247-2

BD20060S

600

TO-247

正在提供樣品

BD20060A

TO-263S

BD20060T

TO-220FP-2

已批量生產(chǎn)

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