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英特爾96層3D NAND二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行

集成電路園地 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-09-30 14:17 ? 次閱讀

9月21日,英特爾大連非易失性存儲二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動儀式。

活動期間,唐一軍饒有興致地參觀了二期項(xiàng)目辦公樓和生產(chǎn)車間,了解項(xiàng)目投產(chǎn)運(yùn)行情況。他指出,英特爾大連非易失性存儲二期項(xiàng)目的合作建設(shè)過程,是遼寧擴(kuò)大對外開放的寫照和縮影,新項(xiàng)目優(yōu)質(zhì)高效建成投產(chǎn),讓我們看到了“大連效率”,創(chuàng)造了“大連速度”,是英特爾公司建設(shè)發(fā)展的奇跡,也是遼寧對外經(jīng)貿(mào)合作的典范。今年是中國改革開放40周年,遼寧將以更寬廣的胸襟、更寬闊的視野,在更寬的領(lǐng)域、更高的層次,深化改革、擴(kuò)大開放、推動創(chuàng)新。希望以此次英特爾二期項(xiàng)目投產(chǎn)為新起點(diǎn),進(jìn)一步深化拓展雙方合作,繼續(xù)擴(kuò)大在遼投資規(guī)模,實(shí)現(xiàn)互利共贏發(fā)展。

英特爾公司是全球知名集成電路領(lǐng)軍企業(yè)。2006年7月,英特爾亞洲控股有限公司與大連市政府簽署了總發(fā)展協(xié)議,在大連出口加工區(qū)B區(qū)建設(shè)了占地面積60公頃的英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司,用于邏輯芯片的研發(fā)生產(chǎn)。2015年10月,英特爾二期項(xiàng)目落戶大連,生產(chǎn)非易失性存儲器芯片。經(jīng)過不到三年時間,二期項(xiàng)目順利實(shí)現(xiàn)了建成投產(chǎn),創(chuàng)造了英特爾工廠建設(shè)歷史的新紀(jì)錄。啟動儀式上,英特爾宣布新投產(chǎn)的非易失性存儲二期項(xiàng)目將采用世界最先進(jìn)的96層3D NAND存儲芯片制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

省及大連市領(lǐng)導(dǎo)譚作鈞、崔楓林、譚成旭、肖盛峰,英特爾全球副總裁、全球非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理凱文·埃斯法亞尼,英特爾全球副總裁、英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司總經(jīng)理梁志權(quán)出席啟動儀式。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:96層3D NAND英特爾大連工廠二期項(xiàng)目正式投產(chǎn)

文章出處:【微信號:cjssia,微信公眾號:集成電路園地】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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