半導(dǎo)體元器件有哪些

晶體二極管

晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè) PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊）接電源的正極而另一端接負(fù)極時(shí)，空穴和電子都向偶極層流動(dòng)而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過(guò)來(lái)接，則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)（稱(chēng)反向飽和電流）。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>

此外，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開(kāi)關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管，以及沒(méi)有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。

雙極型晶體管

它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，其中一個(gè)PN結(jié)稱(chēng)為發(fā)射結(jié)，另一個(gè)稱(chēng)為集電結(jié)。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱(chēng)為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱(chēng)為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱(chēng)為基極。在應(yīng)用時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏置。通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里，這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱(chēng)為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類(lèi)。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管

它依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏?？刂茩M向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵。

根據(jù)柵的結(jié)構(gòu)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種：

①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（用PN結(jié)構(gòu)成柵極）；

②MOS場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極，見(jiàn)金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）；

③MES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用最廣泛。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中，MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。

在MOS器件的基礎(chǔ)上，又發(fā)展出一種電荷耦合器件 （CCD），它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息，控制表面附近的勢(shì)阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲(chǔ)器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。