5G時(shí)代逼近，存儲(chǔ)器何時(shí)才能不倚賴(lài)進(jìn)口？

隨著5G時(shí)代的逐漸逼近，物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展促進(jìn)著存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)表明，中國(guó)消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長(zhǎng)了39.56%。中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?，?a href="http://wenjunhu.com/v/tag/207/" target="_blank">芯片制造商也在抓住存儲(chǔ)器市場(chǎng)商機(jī)，積極布局，促進(jìn)國(guó)產(chǎn)芯片的不斷發(fā)展。

然而盡管成長(zhǎng)空間巨大，我國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)卻一直面臨著一個(gè)尷尬的局面——進(jìn)口依賴(lài)大?；貧w到現(xiàn)實(shí)，中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)并不容易，由于技術(shù)門(mén)檻高、投資規(guī)模巨大、高端人才稀缺，作為尖端產(chǎn)業(yè)，中國(guó)存儲(chǔ)器企業(yè)與世界巨頭相比還有相當(dāng)大的差距，舉步艱難。

上下求索 發(fā)展中的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)

2018年8月初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018全球頂級(jí)閃存峰會(huì)（FMS）上公開(kāi)發(fā)布Xtacking?技術(shù)。該技術(shù)將為三維閃存提供更高的讀寫(xiě)性能和更高的存儲(chǔ)密度，同時(shí)縮短產(chǎn)品研發(fā)周期。此消息一出，不僅意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)向存儲(chǔ)芯片第一陣營(yíng)出擊的信號(hào)槍已經(jīng)打響，更是實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)“零”的突破。

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將Xtacking ?技術(shù)應(yīng)用于其第二代三維閃存（3D NAND）產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)紫光集團(tuán)計(jì)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2018年底量產(chǎn)32層64G的3D NAND存儲(chǔ)器，64層128G的3D NAND存儲(chǔ)器將在2019年量產(chǎn)，并同步研發(fā)128層256G 3D NAND。

作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)巨頭之一，合肥長(zhǎng)鑫的進(jìn)展可謂是如火如荼，7月16日，合肥長(zhǎng)鑫發(fā)布首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并計(jì)劃將于2018年年底推出工程樣品，這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑，采用19納米工藝。

合肥長(zhǎng)鑫的DRAM項(xiàng)目投資超過(guò)72億美元（495億人民幣），項(xiàng)目建設(shè)三期工程，目前建設(shè)的是一期工程12吋晶圓廠，建成后月產(chǎn)能為12.5萬(wàn)片晶圓。據(jù)悉，項(xiàng)目投產(chǎn)后預(yù)計(jì)將占據(jù)世界DRAM市場(chǎng)約8%的份額，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)DRAM市場(chǎng)的空白。

此外，合肥長(zhǎng)鑫前任CEO王寧國(guó)于2018年4月在出席活動(dòng)時(shí)曾表示，合肥長(zhǎng)鑫DRAM一期已于2018年1月一廠廠房建設(shè)完成，并開(kāi)始設(shè)備安裝；2018年底將啟動(dòng)生產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品；2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬(wàn)片一個(gè)月；2020年開(kāi)始規(guī)劃二廠建設(shè)；2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。

而隨著兆易創(chuàng)新原董事長(zhǎng)朱一明接棒王寧國(guó)，上任合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)及睿力CEO后，這時(shí)間節(jié)點(diǎn)是否或發(fā)生變化，還未可知。

而在此前狀告美光侵權(quán)的福建晉華（JHICC），在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域動(dòng)作也不甘示弱。

晉華與***地區(qū)聯(lián)華電子開(kāi)展技術(shù)合作，專(zhuān)注于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）領(lǐng)域。預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)6萬(wàn)片12吋晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn)6萬(wàn)片。并適時(shí)啟動(dòng)二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時(shí)，總產(chǎn)能將達(dá)24萬(wàn)片。

晉華此前曾表示，希望在2018年底前，將晉華和聯(lián)華電子共同開(kāi)發(fā)的第一代內(nèi)存生產(chǎn)工藝投入使用。

受主要國(guó)內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國(guó)將在2020年的晶圓廠投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位。

根據(jù)最新的一份SEMI“中國(guó)IC生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告”（The China IC Ecosystem Report）指出，中國(guó)前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16％；到2020年，這一份額將增加到20％。

道阻且長(zhǎng) 存儲(chǔ)器進(jìn)口依賴(lài)大

盡管我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)在不斷發(fā)展，但自主開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額卻所占無(wú)幾。據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，2017年中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口總額中，韓國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)口規(guī)模達(dá)463.48億美元，同比大增51.3%，在總進(jìn)口中占52.3%。2018年第一季度，中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口額達(dá)146.72億美元，同比猛增75.4%。

更嚴(yán)峻的是，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)業(yè)者還面臨著前有狼后有虎的局面。

據(jù)悉，韓國(guó)SK海力士在韓國(guó)清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。隨著M15工廠的建成，SK海力士將加速大規(guī)模生產(chǎn)第五代96層3D NAND閃存。

此外，9月3日SK海力士中國(guó)銷(xiāo)售總部正式落戶(hù)無(wú)錫高新區(qū)。SK海力士布局中國(guó)市場(chǎng)動(dòng)作頻頻。

無(wú)獨(dú)有偶，三星電子7月份也已開(kāi)始批量生產(chǎn)96層3D NAND閃存，而東芝和美光計(jì)劃也將效仿。

不過(guò)，隨著國(guó)內(nèi)政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支持，以及行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的提升，我國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的差距有可能也在逐漸縮小，未來(lái)國(guó)產(chǎn)芯是否能真正做到自給，值得期待。半導(dǎo)體資深觀察家莫大康即分析指出，較為樂(lè)觀的估計(jì)，中國(guó)能用5年左右時(shí)間，達(dá)到全球市場(chǎng)(2018年存儲(chǔ)器業(yè)產(chǎn)值預(yù)測(cè)可達(dá)1,500億美元)占比的3% - 5%，也即DRAM與NAND的累加產(chǎn)值能達(dá)到近50億美元，表明中國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)的突圍取得了初步的成功。