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      FRAM的特點及應用介紹

      TI視頻 ? 作者：工程師郭婷 ? 2018-08-15 08:28 ? 次閱讀

      FRAM是由美國 Ramtron公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質讀寫存儲器。 其核心技術是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時擁有隨機存儲器（RAM） 和非易失性存儲器的特性。

      原理：鐵電晶體材料的工作原理是： 當我們把電場加載到鐵電晶體材料上，晶陣中的中心原子會沿著電場方向運動，到達穩(wěn)定狀態(tài)。晶陣中的每個自由浮動的中心原子只有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，一個我們記作邏輯 0，另一個記作邏輯 1。中心原子能在常溫﹑沒有電場的情況下停留在此狀態(tài)達一百年以上。 由于在整個物理過程中沒有任何原子碰撞，鐵電存儲器（FRAM）擁有高速讀寫，超低功耗和無限次寫入等特性。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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