高電流的POL應(yīng)用存在哪些挑戰(zhàn)

集成是有好處的有很多原因，但每次集成度的增加通常都伴隨著對(duì)更多電力的需求。負(fù)載點(diǎn)電源（POL）穩(wěn)壓器很好地在需要處并以適當(dāng)?shù)碾娖教?a target="_blank">供電力，但也面臨著挑戰(zhàn)。

這些挑戰(zhàn)包括高能效和合適的功率密度，當(dāng)然，還有擴(kuò)展到可編程性和靈活性、具有快速的瞬態(tài)響應(yīng)、嚴(yán)格的容限和精度。所有這一切，必須結(jié)合在一個(gè)方案中，具有可靠的電流和電壓保護(hù)及卓越的熱管理。

電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)需要達(dá)到新的能效水平，以便在不消耗熱量預(yù)算的情況下提供更多的電力。同時(shí)，制造商想要更高的集成度和更小的PCB占位，那么是否有可能滿足所有這些要求呢？

高電流的POL應(yīng)用確實(shí)存在著一系列的挑戰(zhàn)，但是FAN6500XX產(chǎn)品系列已經(jīng)被設(shè)計(jì)用來處理這些問題。FAN65004B/5A/8B系列能提供高達(dá)100 W的功率及達(dá)95%的高能效，提供出色的熱性能，在小的6x6mm PQFN 35封裝中溫度僅升29°C。此外，F(xiàn)AN 65系列有一個(gè)節(jié)能模式，以實(shí)現(xiàn)輕載條件下的更高能效。

FAN6500xx是一個(gè)多芯片模塊，包含產(chǎn)生一個(gè)中間總線所需的所有有源器件，用于POL應(yīng)用，包括同步降壓PWM控制器、驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)MOSFET（高邊和低邊）。這高集成度減少了對(duì)多個(gè)外部器件的需求，同時(shí)支持使用最優(yōu)輸出濾波電感和電容。優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的模擬專知、和卓越的品質(zhì)因數(shù)的（FOM）MOSFET使FAN6500XX成為同類最佳的方案。

開發(fā)所有器件在一個(gè)多芯片方案中的一個(gè)巨大優(yōu)勢(shì)是能在門極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET之間進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。FAN6500XX采用安森美半導(dǎo)體的PowerTrench? MOSFET技術(shù)。這種屏蔽門（shield gate）技術(shù)提供更低的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴和降低的擊穿或交叉?zhèn)鲗?dǎo)的風(fēng)險(xiǎn)?？煽啃砸驳玫搅颂岣撸?yàn)槟K化方案意味著現(xiàn)在電源設(shè)計(jì)中只有單個(gè)故障點(diǎn)。

該寬Vin（65V）產(chǎn)品系列按輸出電流分為6A、8A或10A。所有器件之間的引腳兼容性和擴(kuò)展性確保了原始設(shè)備制造商（OEM）能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇最理想的器件，即使PCB設(shè)計(jì)已經(jīng)完成。固定頻率電壓模式PWM控制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持易于補(bǔ)償、低輸出紋波和低電磁干擾（EMI）。FAN6500XX為高占空比（后綴“A”）和低占空比（后綴“B”）的應(yīng)用提供優(yōu)化的性能。

更高的功率要求通過可編程和可同步的開關(guān)頻率（100 kHz-1 MHz）特性解決，當(dāng)多個(gè)FAN6500XX器件被并行使用時(shí)，可以保證低的輸入紋波。

FAN6500XX器件支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍，適用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，從服務(wù)器、基站電源到家庭自動(dòng)化。它們也適用于電池管理系統(tǒng)，以及USB供電（PD）應(yīng)用。