一级毛片在线不卡直接观看,国产午夜福利一区在线观看

控制、驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。舉報(bào)投訴

ADI

ADI

+關(guān)注

關(guān)注
146

文章
45821

瀏覽量
250093
通信技術(shù)

通信技術(shù)

+關(guān)注

關(guān)注
20

文章
1134

瀏覽量
92257
控制

控制

+關(guān)注

關(guān)注
4

文章
1011

瀏覽量
122668
SiC

SiC

+關(guān)注

關(guān)注
29

文章
2814

瀏覽量
62653
GaN

GaN

+關(guān)注

關(guān)注
19

文章
1935

瀏覽量
73455
傳感

傳感

+關(guān)注

關(guān)注
1

文章
110

瀏覽量
31544

評(píng)論

相關(guān)推薦

揭秘高密度有機(jī)基板：分類、特性與應(yīng)用全解析

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，高密度集成電路（IC）的需求日益增長，而高密度有機(jī)基板作為支撐這些先進(jìn)芯片的關(guān)鍵材料，其重要性也日益凸顯。本文將詳細(xì)介紹高密度有機(jī)基板的分類、特性、應(yīng)用以及未來的發(fā)展趨勢(shì)。

發(fā)表于 12-18 14:32 ?262次閱讀

揭秘<b class='flag-5'>高密度</b>有機(jī)基板：分類、特性與應(yīng)用全解析

高密度Interposer封裝設(shè)計(jì)的SI分析

集成在一個(gè)接口層（interposer）上，用高密度、薄互連連接，這種高密度的信號(hào)，再加上硅interposer設(shè)計(jì)，需要仔細(xì)的設(shè)計(jì)和徹底的時(shí)序分析。對(duì)于需要在處理器和大容量存儲(chǔ)器單元之間進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)母叨藘?nèi)存密集型應(yīng)用程序來說，走線寬度和長度是一個(gè)主要挑戰(zhàn)。HBM

發(fā)表于 12-10 10:38 ?210次閱讀

<b class='flag-5'>高密度</b>Interposer封裝設(shè)計(jì)的SI分析

使用LMG3626EVM-074 USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LMG3626EVM-074 USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載

發(fā)表于 11-09 14:46 ?0次下載

使用LMG3626EVM-074 USB-C PD<b class='flag-5'>高密度</b>準(zhǔn)諧振反激式<b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換</b>器

什么是高密度DDR芯片

的數(shù)據(jù)，并且支持在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，從而實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸速率的倍增。高密度DDR芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，采用了先進(jìn)的納米級(jí)制程技術(shù)和多層布線技術(shù)。芯片內(nèi)部集成了大量的存儲(chǔ)單元、控制邏輯、I/O接口和時(shí)鐘電路等，能夠?qū)崿F(xiàn)高速、高效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和訪問。

發(fā)表于 11-05 11:05 ?403次閱讀

高密度互連，引爆后摩爾技術(shù)革命

領(lǐng)域中正成為新的創(chuàng)新焦點(diǎn)，引領(lǐng)著超集成高密度互連技術(shù)的飛躍。通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高密度互連，將是推動(dòng)先進(jìn)封裝技術(shù)在后摩爾時(shí)代跨越發(fā)展的關(guān)鍵所在。

發(fā)表于 10-18 17:57 ?277次閱讀