0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

電子工程師 ? 2018-03-18 09:19 ? 次閱讀

產(chǎn)品旨在超越硅MOSFETIGBT的性能,在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)超快切換

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET,為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,旨在為工業(yè)和汽車市場(chǎng)開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),分別僅為120毫歐姆和160毫歐姆。這些碳化硅MOSFET可在各種電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中用作電源半導(dǎo)體開關(guān),其在阻斷電壓、特征導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面的性能顯著優(yōu)于其他硅MOSFET。其還兼具高工作電壓和超高切換速度,這是具有類似額定電流和封裝的硅IGBT等傳統(tǒng)功率晶體管方案所無法企及的。

這些新型碳化硅MOSFET的典型應(yīng)用包括:

電動(dòng)汽車
工業(yè)機(jī)械
可再生能源(如太陽能逆變器
醫(yī)療設(shè)備
開關(guān)式電源
不間斷電源(UPS)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
感應(yīng)加熱

“這些新型碳化硅MOSFET為電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師提供了傳統(tǒng)硅基晶體管的先進(jìn)替代選擇?!盠ittelfuse電源半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Michael Ketterer表示, “其固有的材料特性和超快速切換能力提供了各種優(yōu)化設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì),包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性?!?br />
新型1200V碳化硅MOSFET具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):

從系統(tǒng)層面減少的無源濾波器組件數(shù)量有助于提高功率密度,為高頻高效應(yīng)用打造優(yōu)化設(shè)計(jì)。

極低的柵極電荷和輸出電容結(jié)合超低導(dǎo)通電阻可最大限度地減少功率耗散,提高效率并降低所需冷卻技術(shù)的規(guī)模和復(fù)雜性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    86

    文章

    5521

    瀏覽量

    172167
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,具有低損
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:58 ?370次閱讀
    瞻芯電子<b class='flag-5'>推出</b>采用TC3Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    東芝推出全新1200V SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低
    的頭像 發(fā)表于 11-21 18:10 ?439次閱讀
    東芝<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    1200V碳化硅sic功率器件測(cè)試及建模

    隨著電力電力電子技術(shù)逐漸向高壓大電流方向發(fā)展,傳統(tǒng)的 Si 基器件由于損耗大、開關(guān)速度慢、耐壓低等缺點(diǎn)逐漸被 SiC(碳化硅)器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應(yīng)用最為廣泛,小電流器件主要
    發(fā)表于 10-17 13:44 ?0次下載

    驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

    相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn),越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、
    的頭像 發(fā)表于 06-21 09:48 ?2007次閱讀
    驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>使用米勒鉗位功能的必要性分析

    Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?944次閱讀

    安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:38 ?919次閱讀

    昕感科技發(fā)布一款1200V導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0

    近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,
    的頭像 發(fā)表于 05-11 10:15 ?898次閱讀
    昕感科技發(fā)布一款<b class='flag-5'>1200V</b>低<b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)品N2M120013PP0

    先導(dǎo)中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

    成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力,推出了全新的1200V 100A 三電平全
    的頭像 發(fā)表于 05-09 14:25 ?616次閱讀

    基本半導(dǎo)體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

    BMF240R12E2G3是基本半導(dǎo)體為更好滿足工業(yè)客戶對(duì)高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊,
    的頭像 發(fā)表于 04-11 09:22 ?1019次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>推出</b>一款<b class='flag-5'>1200V</b> 240A大功率<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊

    碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析

    碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
    的頭像 發(fā)表于 04-01 11:23 ?2375次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>與硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的應(yīng)用對(duì)比分析

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-28 10:01 ?1391次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

    安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:57 ?1695次閱讀
    安森美發(fā)布了第二代<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) <b class='flag-5'>MOSFET</b>—M3S

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后特定的大氣和環(huán)境
    發(fā)表于 03-08 08:37

    Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

    全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 03-06 11:43 ?860次閱讀

    Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

    全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:02 ?933次閱讀