超薄硅晶圓的發(fā)展歷程與未來(lái)展望！

硅晶圓是半導(dǎo)體制造中的基礎(chǔ)材料，主要用于生產(chǎn)各種電子元件，如晶體管、二極管和集成電路。它是通過(guò)將高純度的硅熔化后冷卻成單晶體結(jié)構(gòu)，然后切割成薄片而制成的。硅晶圓的優(yōu)良導(dǎo)電性能和熱導(dǎo)性使其成為電子設(shè)備不可或缺的材料。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，隨著技術(shù)的進(jìn)步，硅晶圓的應(yīng)用不斷擴(kuò)展，推動(dòng)了計(jì)算能力的提升和消費(fèi)電子產(chǎn)品的普及。

這篇文章讓我們探討歷史上，如何通過(guò)技術(shù)進(jìn)步和制造改良，成功開(kāi)發(fā)出高精度的超薄硅晶圓。

硅晶圓顯著特點(diǎn)

硅晶圓(見(jiàn)圖1)廣泛應(yīng)用于晶體管、二極管和集成電路的制造。其直徑從幾厘米到幾英尺不等。小型晶圓適合用于微型電子設(shè)備的開(kāi)發(fā)，而大型晶圓則有利于更高效的生產(chǎn)流程。

推動(dòng)我們?cè)O(shè)備運(yùn)行的半導(dǎo)體行業(yè)，得益于硅晶圓制造技術(shù)的巨大演變。每次晶圓直徑的增加，都能夠提供更強(qiáng)大且更具性價(jià)比的半導(dǎo)體產(chǎn)品，從而提升計(jì)算能力，促進(jìn)消費(fèi)電子產(chǎn)品的普及。

半導(dǎo)體制造商通過(guò)增大晶圓直徑來(lái)提高產(chǎn)量并降低成本。晶圓上能容納的芯片越多，固定成本(包括廠房設(shè)備和人力成本)就能更有效地分?jǐn)偂Ｒ虼耍S著晶圓尺寸的增大，每個(gè)芯片的生產(chǎn)成本顯著下降。

雖然圓形晶圓最為常見(jiàn)，市場(chǎng)上也存在方形和矩形晶圓，其厚度在幾百微米到幾千分之一英寸之間。

逐步取得的進(jìn)展

多年來(lái)，有多家公司專注于晶圓的生產(chǎn)，最初的直徑僅為1英寸，而現(xiàn)在已達(dá)到300毫米。為了提升每片晶圓上晶體管和芯片的數(shù)量，降低生產(chǎn)成本并融入新技術(shù)，晶圓尺寸在過(guò)去60年中實(shí)現(xiàn)了持續(xù)增長(zhǎng)。

20世紀(jì)60年代的初始硅晶圓(見(jiàn)圖2)是用手工切割的單晶硅球制作的，體積小且價(jià)格昂貴，僅能用于開(kāi)發(fā)體積龐大且不可靠的半導(dǎo)體設(shè)備。

一英寸(25.4毫米)晶圓的出現(xiàn)，使得首批集成電路(IC)的問(wèn)世成為可能，盡管每個(gè)芯片的晶體管數(shù)量有限，而且必須手動(dòng)裝載到加工設(shè)備中，導(dǎo)致較高的故障率。在這一初步嘗試中，值得注意的是在小型高性能晶體管制造及其技術(shù)應(yīng)用方面取得的成就，為后續(xù)更大尺寸的晶圓奠定了基礎(chǔ)。

在接下來(lái)的1970年代和1980年代，隨著集成電路的發(fā)展，晶圓尺寸得到了提升，最初是2英寸，后來(lái)擴(kuò)展到4英寸。增加芯片容量和降低成本成為推動(dòng)行業(yè)采用2英寸(50.8毫米)和3英寸(76.2毫米)晶圓的主要目標(biāo)。

這些變化不僅提升了芯片的表面積和性能，減少了故障，還促進(jìn)了自動(dòng)化技術(shù)的發(fā)展，從而加速了處理流程。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)每個(gè)芯片上有數(shù)十個(gè)晶體管的晶圓，最小尺寸超過(guò)10微米，為微處理器和存儲(chǔ)電路的首次問(wèn)世提供了基礎(chǔ)。可以預(yù)見(jiàn)，未來(lái)將會(huì)出現(xiàn)初步的大規(guī)模生產(chǎn)。

個(gè)人計(jì)算機(jī)的崛起以及1980年代生產(chǎn)成本的降低，促成了100毫米(4英寸)晶圓的標(biāo)準(zhǔn)化，使每個(gè)芯片能夠集成數(shù)十萬(wàn)個(gè)晶體管，尺寸小于2微米，從而提升了微處理器和RAM的性能。由于對(duì)這些晶圓的強(qiáng)勁需求，量產(chǎn)已成為現(xiàn)實(shí)，所生產(chǎn)的半導(dǎo)體小巧、高效且價(jià)格實(shí)惠。

在1990年代和2000年代，晶圓純度顯著提升，大幅降低了污染物的存在，從而改善了半導(dǎo)體性能。1990年代，個(gè)人計(jì)算機(jī)的普及導(dǎo)致150毫米(6英寸)晶圓的廣泛應(yīng)用(見(jiàn)圖3)。這些晶圓將設(shè)計(jì)尺寸縮小至0.5微米，提高了DRAM的密度和性能。在這一十年中，電子產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)出指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，得益于高性能芯片和價(jià)格的下降。

200毫米(8英寸)晶圓于2000年代問(wèn)世，最大化晶體管的密度，在設(shè)備優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)。每個(gè)芯片集成了數(shù)十億個(gè)晶體管，表面積是6英寸晶圓的四倍，尺寸減小到納米級(jí)(90納米/65納米)。該時(shí)期的亮點(diǎn)包括千兆位DRAM在PC平臺(tái)上的普及，以及組裝/測(cè)試供應(yīng)商的增加。

自2000年代以來(lái)，提升效率和降低生產(chǎn)成本仍然是行業(yè)的核心目標(biāo)，伴隨著更大晶圓的使用，芯片制造不斷提升。

超薄晶圓的問(wèn)世出現(xiàn)在2010年代，滿足了對(duì)更小、更薄設(shè)備的制造需求。2010年代見(jiàn)證了300毫米(12英寸)晶圓的誕生(見(jiàn)圖4)。早期的生產(chǎn)設(shè)施在設(shè)備震動(dòng)、缺陷數(shù)量和整體過(guò)程控制方面面臨挑戰(zhàn)，隨后整合了最佳的開(kāi)發(fā)工具。

這些晶圓在小于10納米的FinFET節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)，表面積是以往晶圓的2.25倍。這使得每個(gè)芯片上能夠集成超過(guò)一億個(gè)晶體管，推動(dòng)了擁有超過(guò)100億個(gè)晶體管的處理器/DRAM的生產(chǎn)。這為未來(lái)智能手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備的設(shè)計(jì)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

未來(lái)展望

為提高芯片制造的效率和質(zhì)量控制，行業(yè)正計(jì)劃將自動(dòng)化和人工智能融入其生產(chǎn)流程。

展望未來(lái)，18英寸晶圓的出現(xiàn)將使開(kāi)發(fā)面積翻倍，并可能將芯片成本降低至30%。這需要對(duì)更先進(jìn)的加工設(shè)備進(jìn)行投資，并招募工程師和創(chuàng)新者，專注于縮小幾何尺寸，提高技術(shù)復(fù)雜性，以及應(yīng)對(duì)缺陷密度和供應(yīng)鏈整合，這標(biāo)志著行業(yè)對(duì)大規(guī)模制造的承諾。

預(yù)計(jì)這一晶圓尺寸的飛躍將在下一個(gè)十年內(nèi)實(shí)現(xiàn)，目前正處于實(shí)驗(yàn)階段，以便遷移某些非核心芯片技術(shù)。提高硅晶圓上晶體管的產(chǎn)量是半導(dǎo)體行業(yè)的目標(biāo)，旨在大幅降低生產(chǎn)成本。處理和運(yùn)輸?shù)谋憷詫⒊蔀槲磥?lái)硅晶圓直徑設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素，畢竟晶圓越大，重量越重，所需的儲(chǔ)存空間和設(shè)備也會(huì)相應(yīng)增加。