納微半導體榮獲2024行家極光獎三項大獎

近日，一年一度的行家說三代半年會“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮”重磅召開。納微半導體憑借2024年優(yōu)異的應用和產(chǎn)品表現(xiàn)，榮獲三項重磅大獎！

本次行家說年會上，納微半導體還帶來一場以《GaN&SiC驅(qū)動AI數(shù)據(jù)中心跟車載電源創(chuàng)新》為主題的精彩演講，分享了目前納微半導體領(lǐng)先的氮化鎵和碳化硅技術(shù)，如何為當下最熱的AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車帶來更高功率、更高效率的功率轉(zhuǎn)換解決方案。

第三代平導體應用推動突破獎

2024年，生成式AI進入了井噴式發(fā)展，為背后的數(shù)據(jù)中心帶來了驚人的能源危機，服務器電源作為最大耗電點之一，亟需向更高效率和更高功率密度邁進。

納微半導體敏銳地察覺到了這一趨勢，將旗下大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片與具有獨特工藝——溝槽輔助平面柵的GeneSiC碳化硅功率器件進行結(jié)合，助力下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升。

率先推出AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

3月，納微發(fā)布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖，計劃在12-18個月實現(xiàn)電源功率的3倍提升，從3kW迅速拉至10kW。

全球功率密度最高的服務器電源

7月，納微發(fā)布CRPS185 4.5kW服務器電源方案，其采用了氮化鎵和碳化硅混合設計，以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。

全球首發(fā)8.5kW OCP電源

11月，納微全球首發(fā)8.5kW OCP服務器電源，實現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。

憑借著領(lǐng)先的產(chǎn)品性能，納微GaNSafe和GeneSiC產(chǎn)品已成功在60多個客戶項目中獲得應用，獲此殊榮可謂實至名歸。

年度優(yōu)秀產(chǎn)品：

GeneSiC 1700V碳化硅MOSFETS

納微半導體的GeneSiC碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，采用了專利的溝槽輔助平面柵技術(shù)，平面和溝槽優(yōu)勢互補，可支持高產(chǎn)量制造、快速冷卻運行以及延長壽命的可靠性。

此次獲獎的1700V碳化硅MOSFETs，具有最優(yōu)的FoM品質(zhì)因素和溫度特性以及最低的Rdson，達到了全球領(lǐng)先的性能，有效打造高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換方案，在儲能以及中壓功率模塊應用中得到了廣泛應用。

年度創(chuàng)新產(chǎn)品：

GaNFast Bi-Directional雙向氮化鎵開關(guān)

在雙碳要求下，光伏和風能等新能源進入了黃金發(fā)展期。氮化鎵憑借著高頻率，低損耗的優(yōu)勢，成為這類綠色能源存儲的關(guān)鍵角色。

納微GaNFast Bi-Directional雙向氮化鎵開關(guān)是一款優(yōu)化的雙向開關(guān)，能夠阻斷兩個方向的電壓。每個源極和公共基板之間的單片集成基板鉗位電路可自動鉗位源極到基板的電壓以防止背柵效應。

1顆Bi-GaN氮化鎵功率芯片可以相當于4顆同等Rdson的單向氮化鎵器件，可廣泛的應用于單極矩陣變換器拓撲中，使得逆變器峰值效率升至97%，獲得海內(nèi)外頭部微逆客戶的采用和關(guān)注。

此番三斬行業(yè)大獎，充分展現(xiàn)了納微在電氣化之路上所取得的卓越成果。未來，納微將繼續(xù)不斷加速下一代功率半導體技術(shù)研發(fā)，助力更多行業(yè)進入高效、綠色的能源“芯”篇章！