選擇性沉積技術(shù)介紹

選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。

隨著芯片制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn)，尤其是全環(huán)繞柵極（Gate-All-Around， GAA）晶體管和更先進(jìn)的CEFT晶體管，為了進(jìn)一步優(yōu)化，一種名為選擇性沉積的技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)精確控制材料在特定區(qū)域內(nèi)的沉積過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，并主要分為按需沉積（DoD， Deposition on Demand）與按需材料工藝（MoD， Material on Demand）兩種形式。

按需沉積（DoD）

DoD工藝的核心在于能夠精準(zhǔn)地將材料沉積到需要的地方，同時(shí)避免非目標(biāo)區(qū)域受到不必要的覆蓋。

表面準(zhǔn)備：首先對(duì)基板進(jìn)行徹底清潔及預(yù)處理，確保后續(xù)沉積過(guò)程中的材料能夠良好附著。

抑制層的選擇性：接著，在不需要沉積材料的地方施加一層保護(hù)性的抑制層，以防止材料在此處沉積。（一） 抑制金屬與氧化物：硫醇、炔烴、芳香胺（二） 抑制氧化物/硫化物與其他氧化物/硫化物：羧酸、β-二酮（三） 抑制氧化物與金屬：甲氧基硅烷

選擇性沉積：利用技術(shù)，在已經(jīng)準(zhǔn)備好的表面上準(zhǔn)確地沉積所需材料。

抑制層移除：最后一步是去除之前添加的抑制層，完成整個(gè)沉積流程的同時(shí)保持結(jié)構(gòu)完整無(wú)損。

按需材料工藝（MoD）

MoD工藝則專注于根據(jù)不同需求，在指定位置上沉積多種類(lèi)型的材料，例如鎢（W）或鉬（Mo），從而創(chuàng)建出更為復(fù)雜且功能強(qiáng)大的互連結(jié)構(gòu)。其具體實(shí)施步驟如下：

1.原始材料引入：開(kāi)始時(shí)先沉積一層基礎(chǔ)材料，比如鎢或鉬。

2.表面清潔：隨后清除表面存在的任何雜質(zhì)，保證接下來(lái)要沉積的材料能夠牢固結(jié)合。

3.抑制層應(yīng)用與表面預(yù)備：同樣采用抑制層技術(shù)來(lái)限制材料僅在預(yù)定區(qū)域內(nèi)沉積。

4.選擇性ALD沉積：再次運(yùn)用ALD技術(shù)，這次是為了給銅互連增加一層鎢或鉬作為襯墊，增強(qiáng)導(dǎo)電性能。

5.抑制層移除：最后階段同樣是移除所有多余的抑制層，確保最終形成的互連結(jié)構(gòu)既緊密又可靠。