充電器芯片U8621的主要特性

超結MOSFET的優(yōu)勢在于其具有高耐壓和低電阻的特點。相較于普通高壓VDMOS，超結MOSFET的導通電阻遠小，適用于高能效和高功率密度的快速開關應用。此外，超結MOSFET的額定電壓越高，導通電阻的下降越明顯，使其在中低功率水平下的高速運行非常適合。充電器芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PW電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。

NO.1 系統(tǒng)啟動和靜態(tài)電流

充電器芯片U8621的啟動電流低至10uA，啟動電路的電阻值可以高達4M,這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流低至500uA，使得電源系統(tǒng)設計者更加輕松應對能源之星六或者能效六級的能效標準。

NO.2 頻率抖動功能

充電器芯片U8621采用專用的抖頻技術，在中心頻率的±5%范圍內(nèi)隨機選擇工作頻率，使得電源系統(tǒng)的電磁兼容性能得到極大的。U8621內(nèi)置斜率補償功能用來消除次諧波震蕩。

NO.3 自適應工作模式

充電器芯片U8621根據(jù)FB腳電平自動匹配工作模式，當FB電平低于1.1V時，芯片進入打嗝工作模式，此模式下芯片工作頻率為25KHz，最小導通時間為1.2uS；當FB電平低于1.7V 時，芯片進入變頻模式，此模式下芯片工作頻率在25K-65K變動，驅(qū)動高電平時間由FB和CS電平控制；當FB電平大于3.7V時，芯片進入恒功率模式，此時芯片工作頻率為65KHz，PWM占空比由對應的VOCP控制。

NO.4 恒功率輸出

充電器芯片U8621具備恒功率輸出模式，當FB腳電平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引腳電平對應的VOCP來控制，為保證在AC90V-264V輸入范圍內(nèi)的恒功率性能，對VOCP值根據(jù)占空比進行補償。

NO.5 恒溫輸出

充電器芯片U8621具備一定條件的恒溫模式，當芯片內(nèi)部溫度達到設定溫度范圍后，芯片內(nèi)部自動啟動恒溫模式、并開始降低輸出電流的模式來降低輸出功率直至溫度平衡，保證在極端情況下能不間斷輸出電力供應。

充電器芯片U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優(yōu)點。U8621在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為18W以內(nèi)的離線式反激開關變換器，滿足VI級能效標準。U8621采用SOP-8并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果！