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關(guān)于IGBT全橋逆變隔離驅(qū)動(dòng)輔助電源的設(shè)計(jì)

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-06-15 15:50 ? 次閱讀

0 引言

近年來(lái),隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,特種電源技術(shù)也得到飛速發(fā)展。高壓電源作為特種電源的一種,在醫(yī)學(xué)、環(huán)境學(xué)、航空航天以及電信等領(lǐng)域也發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用[1-3]。目前,大功率直流高壓電源普遍采用全橋逆變電路實(shí)現(xiàn)低頻交流向高頻交流的轉(zhuǎn)換,從而降低變壓器的體積,提高電源效率。IGBT由于其兼?zhèn)鋱?chǎng)效應(yīng)管易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)勢(shì)與BJT雙極型器件低飽和壓降、容量大的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于大功率全橋逆變電路中。然而,IGBT存在關(guān)斷電流拖尾現(xiàn)象[4],處理不當(dāng)很容易造成器件擊穿。為了保證IGBT可靠關(guān)斷,通常采用IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)模塊,實(shí)現(xiàn)IGBT負(fù)壓關(guān)斷,保證全橋逆變電路的安全運(yùn)行。

全橋逆變電路中,四個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路不全共地,為了保證驅(qū)動(dòng)電路工作的一致性,需要四組隔離電源分別為驅(qū)動(dòng)電路供電。鑒于反激式開(kāi)關(guān)電源具有電路拓?fù)浜?jiǎn)單,輸入輸出電氣隔離、能夠高效提供多路直流輸出的特點(diǎn),本文以單端反激變換器為主電路,采用峰值電流型PWM控制芯片UC3845設(shè)計(jì)了一種實(shí)用新型的11繞組,9路直流隔離輸出的開(kāi)關(guān)電源。

1 輔助電源設(shè)計(jì)要求

M57962L作為IGBT專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器[5],模塊采用正負(fù)雙電源供電(+15 V與-10 V),圖1為采用M57962L的IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

關(guān)于IGBT全橋逆變隔離驅(qū)動(dòng)輔助電源的設(shè)計(jì)

為實(shí)現(xiàn)全橋電路四個(gè)IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)模塊的隔離供電,輔助電源采用反激式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì),具體設(shè)計(jì)指標(biāo)如下:

(1)輸入:220 V AC,電壓波動(dòng)±20%;

(2)輸出:4路IGBT驅(qū)動(dòng)隔離供電輸出(+15 V/0.5 A,-10 V/0.5 A),1路控制電路供電輸出(+12 V/1.5 A),1路輔助繞組輸出(+15 V)用于PWM控制芯片供電,輸出電流較小,參數(shù)計(jì)算可忽略。

(3)工作頻率:65 kHz;輸出功率:68 W;工作效率≥85%。

2 硬件電路設(shè)計(jì)

反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)主要包括以下幾個(gè)部分:EMI濾波與全波整流、RCD箝位吸收、高頻變壓器設(shè)計(jì)、環(huán)路反饋調(diào)節(jié)以及PWM控制芯片外圍電路設(shè)計(jì),下面進(jìn)行詳細(xì)闡述。

2.1 硬件電路結(jié)構(gòu)與工作原理

圖2為所設(shè)計(jì)的IGBT隔離驅(qū)動(dòng)輔助電源的整體電路圖。上電后,220 V工頻交流電經(jīng)過(guò)EMI濾波、全波整流和濾波電容C3、C4后得到310 V左右的直流;310 V直流電通過(guò)啟動(dòng)電阻Rstart對(duì)電容C23充電,當(dāng)電壓上升至門(mén)檻電壓(8.4 V)時(shí),UC3845開(kāi)始工作;然后由反饋繞組供電,電壓維持在+15 V左右。+12 V輸出繞組兩端的電壓通過(guò)PC817與TL431構(gòu)成的環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)將輸出電壓反饋信號(hào)輸入到UC3845的反饋端(VFB端)。UC3845根據(jù)副邊輸出電壓反饋信號(hào)與原邊輸入電流采樣信號(hào)調(diào)節(jié)PWM輸出信號(hào)的占空比,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的穩(wěn)壓輸出。

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2.2 EMI濾波與全波整流

開(kāi)關(guān)電源在工作過(guò)程中,開(kāi)關(guān)噪聲的存在會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生電磁干擾,為減輕開(kāi)關(guān)電源帶來(lái)的電網(wǎng)高次諧波干擾,同時(shí)提高開(kāi)關(guān)電源的抗干擾能力,電路設(shè)計(jì)中需要加入EMI濾波器[6,7]。

2.3 RCD箝位電路設(shè)計(jì)

由于變壓器漏感的存在,使得開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),由漏感儲(chǔ)能引起的電流突變會(huì)產(chǎn)生較大的關(guān)斷電壓尖峰,造成開(kāi)關(guān)管擊穿,因此需要設(shè)計(jì)箝位吸收電路對(duì)關(guān)斷電壓尖峰進(jìn)行抑制,從而減小開(kāi)關(guān)應(yīng)力,保證開(kāi)關(guān)電源的正常工作。

箝位電路分有源箝位和無(wú)源箝位兩種,兩者各有利弊。無(wú)源箝位電路不需要驅(qū)動(dòng)和控制電路,應(yīng)用性強(qiáng),成本低;有源箝位電路需要額外的驅(qū)動(dòng)和控制電路,成本較高。綜合兩者的利弊,本設(shè)計(jì)采用RCD無(wú)源箝位吸收電路[8,9],在保證電源效率和安全工作的基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)關(guān)斷電壓尖峰的有效抑制,減小了開(kāi)關(guān)管的應(yīng)力。

2.4 高頻變壓器設(shè)計(jì)

高頻變壓器[10,11]作為開(kāi)關(guān)電源的關(guān)鍵部件,兼有儲(chǔ)能、限流、隔離的作用。變壓器設(shè)計(jì)中磁芯材料、參數(shù)、結(jié)構(gòu)的正確選取對(duì)開(kāi)關(guān)電源工作品質(zhì)和性能的提高具有重要的促進(jìn)作用??紤]到磁材工作頻率、成本和效率等因素,基于鐵氧體磁芯具有中高頻損耗低、磁導(dǎo)率頻率特性穩(wěn)定以及成本低的特點(diǎn),本設(shè)計(jì)選用鐵氧體磁芯材料。下面對(duì)反激變壓器的設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)闡述。

2.4.1 初級(jí)繞組電感

在不考慮變壓器漏感的情況下,變壓器每個(gè)工作周期內(nèi)傳輸?shù)哪芰砍艘怨ぷ黝l率即為輸出功率Po:

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2.4.2 最小占空比計(jì)算

當(dāng)直流輸入電壓Ui最大時(shí),開(kāi)關(guān)管的占空比取得最小值,即:

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2.4.3 磁芯選擇

采用面積乘積法對(duì)磁芯尺寸進(jìn)行估計(jì)。當(dāng)已知初級(jí)繞組的線(xiàn)徑時(shí),帶繞組的磁芯所占的AP*值可以表示如下:

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查詢(xún)常用鐵氧體磁芯參數(shù)表,在保留一定裕量的條件下,EE40磁芯滿(mǎn)足功率傳輸要求:Ae=1.27 cm2,Aw=1.78 cm2,AP′=AeAw≈2.2 cm4>AP。

2.4.4 初次級(jí)繞組及輔助繞組匝數(shù)

初級(jí)繞組匝數(shù)為:

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由于次級(jí)繞組為多路輸出,考慮將最小輸出電壓10 V作為主輸出進(jìn)行計(jì)算,并假設(shè)次級(jí)整流二極管正向?qū)▔航禐?.7 V,則次級(jí)繞組匝數(shù)為

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其中,N10,N15,N12,Na分別為次級(jí)-10 V,+15 V,+12 V輸出繞組與輔助繞組匝數(shù)。

2.4.5 初次級(jí)繞組及輔助繞組線(xiàn)徑計(jì)算

繞組線(xiàn)徑與繞組中流過(guò)的電流關(guān)系為

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考慮高頻下電流趨膚效應(yīng)的影響,對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)頻率fs下的趨膚深度為δ,則繞組單根線(xiàn)徑應(yīng)小于2δ,因此常采用多股并繞。

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2.4.6 氣隙長(zhǎng)度lg

對(duì)于單向勵(lì)磁變壓器設(shè)計(jì),為防止磁芯工作過(guò)程中發(fā)生磁飽和,通常采用添加氣隙的方式予以避免。氣隙長(zhǎng)度為:

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2.5 TL431A+PC817A環(huán)路反饋補(bǔ)償

為保證IGBT可靠開(kāi)通與關(guān)斷,實(shí)現(xiàn)全橋逆變電路的穩(wěn)定工作,一方面對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路供電電源輸出電壓的穩(wěn)定性有要求;另一方面,由于驅(qū)動(dòng)電路屬于動(dòng)態(tài)負(fù)載,因此對(duì)供電電源的負(fù)載調(diào)整率也有要求?;谌思煞€(wěn)壓器件TL431A和線(xiàn)性光耦PC817A的環(huán)路反饋補(bǔ)償[12,13]設(shè)計(jì)在提升電源輸出的穩(wěn)定性與負(fù)載調(diào)整率方面具有重要的促進(jìn)作用。

開(kāi)關(guān)電源環(huán)路補(bǔ)償有兩種控制模式:電流控制和電壓控制。為簡(jiǎn)化環(huán)路設(shè)計(jì),提高環(huán)路補(bǔ)償響應(yīng)速度,本文在電流控制模式下,采用二階環(huán)路補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的輸出進(jìn)行反饋補(bǔ)償。

取R7=300 kΩ,C27=20 pF,C28=10 nF,則補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)環(huán)傳遞函數(shù)為:

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圖3為環(huán)路補(bǔ)償電路開(kāi)環(huán)傳遞函數(shù)的伯德圖。圖中穿越頻率處開(kāi)環(huán)傳遞函數(shù)的相位裕量大于90°,低頻增益為40 dB,中頻增益為20 dB,可見(jiàn)該二階環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)可以有效提高電源輸出電壓調(diào)節(jié)的穩(wěn)定性與快速性。

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2.6 UC3845外圍電路主要參數(shù)設(shè)計(jì)

UC3845的占空比調(diào)節(jié)范圍為0~50%,其PWM輸出頻率為時(shí)鐘頻率的一半。本設(shè)計(jì)中,PWM頻率為65 kHz,因此時(shí)鐘頻率為130 kHz,取定時(shí)電容CT=1 nF,則定時(shí)電阻為:

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保留一定余量,取采樣電阻值為0.5 Ω/2 W。

3 仿真分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

為了驗(yàn)證上述設(shè)計(jì)方案的可行性與完整性,本文采用了軟件仿真與樣機(jī)研制測(cè)試相結(jié)合的分析方法對(duì)該電源的性能進(jìn)行分析測(cè)試。

3.1 Saber軟件仿真

根據(jù)圖2電路參數(shù)的設(shè)置,采用Saber軟件進(jìn)行仿真得到如圖4所示的電源工作特性曲線(xiàn)分析圖。

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從圖4中曲線(xiàn)分析的結(jié)果可得出如下結(jié)論:

(1)環(huán)路控制流程:UC3845開(kāi)始工作后,環(huán)路補(bǔ)償輸出VCOMP為最大值,此時(shí)PWM輸出最大占空比為0.383 65,電流反饋起主要作用;隨著+12 V繞組輸出電壓的升高,VCOMP逐漸下降直至輸出電壓穩(wěn)定,此時(shí)電壓反饋與電流反饋聯(lián)合調(diào)節(jié)PWM的輸出,占空比隨負(fù)載的大小可變;

(2)環(huán)路控制的穩(wěn)定性:Va過(guò)沖電壓為0.307 52 V,相對(duì)于穩(wěn)定輸出電壓,過(guò)沖量為2.05%;+12 V繞組輸出電壓V+12 V平滑無(wú)過(guò)沖,穩(wěn)定輸出電壓的紋波電壓為0.017 69 V;可見(jiàn)環(huán)路反饋控制的穩(wěn)定性強(qiáng),精度高;

(3)環(huán)路控制的快速性:UC3845開(kāi)始工作后,環(huán)路補(bǔ)償輸出以12 431 V/s的壓擺率上升至最大值,電流反饋主要作用,PWM占空比最大,V+12 V以2 516.9 V/s的壓擺率上升至穩(wěn)定輸出電壓;當(dāng)V+12 V趨于穩(wěn)定時(shí)(tsettle=0.163 68 s),VCOMP滯后1.09 ms趨于穩(wěn)定(tsettle=0.164 77);由此可見(jiàn)環(huán)路控制具有很高的調(diào)節(jié)速度。

開(kāi)關(guān)管在工作過(guò)程中,RCD箝位吸收電路對(duì)開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷尖峰抑制具有重要作用??紤]電源工作效率與選用MOS管的耐壓(Vds=800 V),仿真中箝位電阻選用兩個(gè)56 kΩ電阻并聯(lián),箝位電容容值為10 nF,得到如圖5所示的MOSFET在不同負(fù)載下漏源電壓波形。

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從圖5中可見(jiàn):輕載時(shí),PWM占空比為0.070 519,漏源電壓峰值為539.91 V;重載時(shí),PWM占空比為0.317 88,漏源電壓峰值為662.75 V。對(duì)于耐壓800 V的MOSFET,開(kāi)關(guān)管始終工作在安全電壓應(yīng)力范圍內(nèi),擁有足夠的電壓裕量。

3.2 實(shí)驗(yàn)測(cè)試與分析

依據(jù)理論計(jì)算與仿真分析的結(jié)果,研制了一臺(tái)實(shí)驗(yàn)樣機(jī),并對(duì)其性能進(jìn)行了測(cè)試與分析。

3.2.1 高頻變壓器繞制參數(shù)

為驗(yàn)證上述變壓器設(shè)計(jì)的正確性,對(duì)高頻變壓器進(jìn)行實(shí)際繞制,實(shí)際繞制參數(shù)如表1所示。

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3.2.2 開(kāi)關(guān)電源性能測(cè)試

對(duì)樣機(jī)的4路正負(fù)雙輸出的電壓值進(jìn)行測(cè)量,得到如表2所示的差異分析表。從表2中可以看出,4路雙輸出隔離電源的輸出電壓具有高度一致性,輸出電壓穩(wěn)定,誤差在3%以?xún)?nèi);輸出紋波小,紋波峰峰值在100 mV以?xún)?nèi)。有效保證了全橋逆變電路中IGBT驅(qū)動(dòng)電平的一致性,延長(zhǎng)了IGBT的使用壽命。

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3.2.3 原邊電流采樣與柵極驅(qū)動(dòng)波形

圖6為開(kāi)關(guān)管工作過(guò)程中變壓器原邊電流采樣與柵極驅(qū)動(dòng)波形,可以看到原邊電流與柵極驅(qū)動(dòng)波形平滑穩(wěn)定,說(shuō)明該電源設(shè)計(jì)具有較高的穩(wěn)定性。電源連續(xù)工作2小時(shí),開(kāi)關(guān)管未見(jiàn)明顯升溫,說(shuō)明開(kāi)關(guān)管能夠在安全電壓下開(kāi)通與關(guān)斷,RCD箝位吸收電路達(dá)到了預(yù)期的箝位效果。

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3.2.4 IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)模塊PWM輸入輸出波形

將該電源應(yīng)用于逆變?nèi)珮螂娐分蠭GBT驅(qū)動(dòng)模塊M57962L的隔離供電,檢驗(yàn)該電源在動(dòng)態(tài)負(fù)載下的穩(wěn)定性。如圖7為M57962L的PWM輸入輸出電壓波形,可以看到在24 kHz的PWM輸入頻率下,模塊PWM輸出波形中正負(fù)電平輸出具有嚴(yán)格的平穩(wěn)性,波形邊沿陡峭,可以有效驅(qū)動(dòng)IGBT的正壓開(kāi)通與負(fù)壓關(guān)斷,保證IGBT的可靠工作。

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4 結(jié)論

本文著手于解決高壓電源中全橋逆變主電路中功率開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路的可靠供電問(wèn)題,設(shè)計(jì)了基于反激式多繞組輸出的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源,為全橋電路IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)模塊以及單片機(jī)控制電路的隔離供電提供了良好的解決方案。當(dāng)然,為了充分保障IGBT的可靠運(yùn)行,合適的驅(qū)動(dòng)是一方面;另一方面是如何對(duì)由全橋回路分布電感引起的關(guān)斷電壓尖峰進(jìn)行有效抑制,因此還需設(shè)計(jì)合適的緩沖吸收電路[14,15],這部分的研究是今后工作的重點(diǎn)。

通過(guò)計(jì)算機(jī)仿真與樣機(jī)制作測(cè)試,驗(yàn)證了理論分析的完整性與實(shí)用性。該電源具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輸出電壓穩(wěn)定、負(fù)載調(diào)整率高、紋波小等優(yōu)點(diǎn)。達(dá)到了預(yù)期要求,能夠滿(mǎn)足IGBT驅(qū)動(dòng)模塊對(duì)電源電壓、電流的要求,從而在驅(qū)動(dòng)方面保障了IGBT的可靠工作與穩(wěn)定運(yùn)行。該方案的實(shí)施既可以作為全橋逆變電路驅(qū)動(dòng)模塊隔離供電電源的一種解決方案,同時(shí)也可用于多電平轉(zhuǎn)換電源適配器的供電需求,因此具有良好的應(yīng)用前景。

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    首先來(lái)看單相不間斷電源設(shè)計(jì)電路中的變電路部分。它是由兩個(gè)IR2101
    發(fā)表于 11-15 06:31

    MOS/IGBT電路搭建的介紹

    本篇博客是MOS/IGBT電路搭建的介紹,想了解電路的驅(qū)動(dòng)部分請(qǐng)看博主的單元一:
    發(fā)表于 11-16 06:14

    IGBT式主電路的仿真研究

     通過(guò)對(duì)IGBT 主電路的研究,論述了CAD 技術(shù)在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用前景,介紹IGBT
    發(fā)表于 09-07 15:57 ?83次下載

    三相IGBT隔離驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)

    本文針對(duì)10 kW三相IGBT變換器設(shè)計(jì)了一種隔離驅(qū)動(dòng)電源,提供4路相互
    發(fā)表于 08-19 11:35 ?1.2w次閱讀
    三相<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b><b class='flag-5'>電源</b>設(shè)計(jì)

    緊湊型DC-DC隔離電源設(shè)計(jì)

     針對(duì)半IGBT 集成驅(qū)動(dòng)板上隔離電源驅(qū)動(dòng)板負(fù)載的特點(diǎn),設(shè)計(jì)了一種兩組磁芯共用一組高頻
    發(fā)表于 10-11 16:36 ?4257次閱讀
    緊湊型<b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b>DC-DC<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>電源</b>設(shè)計(jì)

    關(guān)于三相的原理分析

    在變頻控制中,目前常用的是三相,就像下面的圖中一樣。三相中的U1, U2, V1,
    發(fā)表于 06-10 01:04 ?4.9w次閱讀
    <b class='flag-5'>關(guān)于</b>三相<b class='flag-5'>逆</b><b class='flag-5'>變</b><b class='flag-5'>橋</b>的原理分析

    HIGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)

    ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?,同樣電流容量?/div>
    發(fā)表于 11-08 14:21 ?29次下載
    <b class='flag-5'>逆</b><b class='flag-5'>變</b>H<b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>IGBT</b>單管<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>+保護(hù)

    單元二:MOS/IGBT電路(后端電路的搭建)

    本篇博客是MOS/IGBT電路搭建的介紹,想了解電路的驅(qū)動(dòng)部分請(qǐng)看博主的單元一:
    發(fā)表于 11-09 12:51 ?69次下載
    單元二:<b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b>MOS/<b class='flag-5'>IGBT</b>電路(后端<b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>橋</b>電路的搭建)

    戶(hù)外儲(chǔ)能電源模塊的變電路方案

    戶(hù)外儲(chǔ)能電源模塊的變電路具體的應(yīng)用方案:使用在300W戶(hù)外儲(chǔ)能
    發(fā)表于 11-25 16:37 ?2890次閱讀

    simulink單相仿真

    matlab 仿真單相
    發(fā)表于 02-24 11:07 ?26次下載