逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)及保護(hù)

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　　大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同?a href="http://wenjunhu.com/tags/電流/" target="_blank">電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機(jī)帶載就炸了。這一點(diǎn)很多人估計(jì)都深有體會。當(dāng)時(shí)我看到做魚機(jī)的哥們用FGH25N120AND這個(gè)，反映很容易就燒了，當(dāng)時(shí)不以為然。

　　只到我在工作中遇到，一定要使用IGBT的時(shí)候，我才發(fā)現(xiàn)我錯(cuò)了，當(dāng)初我非常天真的認(rèn)為，一個(gè)IRFP460,20A/500V的MOSFET，我用個(gè)SGH40N60UFD40A/600V的IGBT上去怎么樣也不會炸的吧，實(shí)際情況卻是，帶載之后，突然加負(fù)載和撤銷負(fù)載，幾次下來就炸了，我以為是電路沒有焊接好，然后同樣的換上去，照樣炸掉，這樣白白浪費(fèi)了好多IGBT。

　　后來發(fā)現(xiàn)一些規(guī)律，就是采用峰值電流保護(hù)的措施就能讓IGBT不會炸，下面我就會將這些東西一起詳細(xì)的說一說，說的不好請大家見諒，這個(gè)帖子會慢慢更新，也希望高手們多多提出意見。

　　我們將這個(gè)問題看出幾個(gè)部分來解決：

　　1，驅(qū)動(dòng)電路;

　　2，電流采集電流;

　　3，保護(hù)機(jī)制;

　　一、驅(qū)動(dòng)電路

　　這次采用的IGBT為IXYS的，IXGH48N60B3D1，詳細(xì)規(guī)格書如下：IXGH48N60B3D1

　　驅(qū)動(dòng)電路如下：

　　這是一個(gè)非常典型的應(yīng)用電路，完全可以用于IGBT或者M(jìn)OSFET，但是也有些不一樣的地方。

　　1，有負(fù)壓產(chǎn)生電路，

　　2，隔離驅(qū)動(dòng)，

　　3，單獨(dú)電源供電。

　　首先我們來總體看看，這個(gè)電路沒有保護(hù)，用在逆變上100%炸，但是我們可以將這個(gè)電路的實(shí)質(zhì)摸清楚。

　　先講講重點(diǎn)：

　　1：驅(qū)動(dòng)電阻R2，這個(gè)在驅(qū)動(dòng)里頭非常重要，圖上還有D1配合關(guān)閉的時(shí)候，讓IGBT的CGE快速的放電，實(shí)際上看需要，這個(gè)D1也可以不要，也可以在D1回路里頭串聯(lián)一個(gè)電阻做0FF關(guān)閉時(shí)候的柵極電阻。