2018年，DRAM市場走勢究竟如何？

DRAM在2017的成長主要來自于服務(wù)器內(nèi)容的成長，這個成長趨勢并沒有減緩。

2016年底看到幾份存儲器市場年度回顧與展望報告時，看到「惟3Q后存儲器市場可能開始進入存儲器市場長周期景氣循環(huán)的供過于求區(qū)段…」這等字眼時不覺莞爾，頗有今夕是何夕的感覺。

存儲器市場景氣循環(huán)是在近乎完全競爭市場、摩爾定律以及以計算機為中心需求三大支柱所塑造的市場粗略模型，現(xiàn)在很多條件已不復存在，再沿用這樣的模型實在危險。

2018的幾份預測報告出乎意料外的一致：DRAM續(xù)強，而NAND則在有些應用上價格稍為疲弱，我的預期相似，但稍為樂觀些。

DRAM在2017的成長主要來自于服務(wù)器內(nèi)容的成長，這個成長趨勢并沒有減緩。而且5G在2019會于中、韓等提前實施，2018就會有網(wǎng)絡(luò)布建先期需求，這也是2018冬奧韓國要展示的亮點之一。高帶寬就要更多的緩沖，而服務(wù)器不是消費產(chǎn)品，對價格比較不敏感。另外在實驗場起跑的AI對DRAM的需求也很大，從第二代TPU的systolic設(shè)計就知道資料從AI處理器經(jīng)DRAM到NAND之間反復傳遞造成多大的負擔，需要專用的設(shè)計來減輕負擔。這些都是持續(xù)的硬需求。

供給面方面去年半導體設(shè)備銷售大成長，韓國市場躍居世界第一，以NAND為主，DRAM設(shè)備的投資還遠不如2015年的峰值。為什么市場看俏而公司如此吝于投資？站在公司經(jīng)營的立場容易了解。機器設(shè)備的投資已經(jīng)快享受不到摩爾定律的紅利，而費用攤提得在5年內(nèi)完成，這是一組完全不一樣的財務(wù)規(guī)則。至于國內(nèi)想投入生產(chǎn)，由于市場已成寡占，幾乎沒有并購、聯(lián)合開發(fā)、授權(quán)移轉(zhuǎn)的可能，每一步都有侵權(quán)的疑慮，所以要進入量產(chǎn)恐怕還有一些時日。

NAND的價格在4Q有些跌落，主要原因在于現(xiàn)在正處于SSD與HDD的交叉期，NAND的價格上漲，HDD自然趁勢回籠，牽制SSD在數(shù)據(jù)中心應用的市占率。這個因素短期間內(nèi)還在，但是當制程持續(xù)演進，HDD每位元單位成本被遠遠拋開后，這個因素就消失了。另一個令人比較難樂觀的原因是去年存儲器公司資本支出大幅成長的是3D NAND制程設(shè)備，并且還有QLC(四位元)和9X L的位元成長空間，類摩爾定律的效益還在，這也是為什么存儲器公司設(shè)備投資如此慷慨的原因，而且3D的技術(shù)可能還有后續(xù)效益，譬若用之于MRAM。

不過那些令DRAM需求暢旺的理由－內(nèi)容、帶寬、物聯(lián)網(wǎng)、機器學習對NAND無一不適用，而且乘數(shù)更大，這是我之所以比一般報告樂觀一點的原因！