DDR5 MRDIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將發(fā)，存儲(chǔ)廠商方案先行

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）最近，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)即將推出。在標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布之前，SK海力士、三星、美光等廠商已經(jīng)著手DDR5 MRDIMM產(chǎn)品的研發(fā)，并發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品方案。DDR5 MRDIMM將為下一代高性能計(jì)算、AI應(yīng)用提供動(dòng)力。

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)提到，DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（Multiplexed Rank DIMM），提供創(chuàng)新、高效的新模塊設(shè)計(jì)，可提高數(shù)據(jù)傳輸速率和整體系統(tǒng)性能。多路復(fù)用允許在單個(gè)通道上組合和傳輸多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)，無(wú)需額外的物理連接即可有效增加帶寬，并提供無(wú)縫帶寬升級(jí)，使應(yīng)用能夠超過(guò) DDR5 RDIMM 數(shù)據(jù)速率。另外，JEDEC預(yù)計(jì)MRDIMM的速度將從8800MT/s開(kāi)始，到該技術(shù)的第三代將擴(kuò)展到 17,600 MT/S。

在MRDIMM之前，AMD和英特爾都提出了相關(guān)的內(nèi)存方案。AMD提出HBDIMM方案、英特爾提出MCR-DIMM，后來(lái)JEDEC與AMD合作將HBDIMM開(kāi)發(fā)成MRDIMM 的標(biāo)準(zhǔn)。 早在兩年前，SK海力士與英特爾、瑞薩電子的合作成功開(kāi)發(fā)出MCR DIMM。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá)8Gbps，較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。

MCR DIMM是一種模塊產(chǎn)品，將多個(gè)DRAM組合在一塊主板上，能夠同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列。內(nèi)存列(RANK)是從DRAM模塊向CPU傳輸數(shù)據(jù)的基本單位。一個(gè)內(nèi)存列通常可向CPU傳送64字節(jié)(Byte)的數(shù)據(jù)。而在MCR DIMM模塊中，兩個(gè)內(nèi)存列同時(shí)運(yùn)行可向CPU傳輸128個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個(gè)DRAM的兩倍。

要做到傳輸128個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，SK海力士以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列。緩沖器(Buffer)安裝在內(nèi)存模塊上的組件，用于優(yōu)化DRAM與CPU之間的信號(hào)傳輸性能。

這個(gè)模組的成功設(shè)計(jì)離不開(kāi)SK海力士的DRAM模塊設(shè)計(jì)能力、英特爾的Xeon處理器，以及瑞薩電子的緩沖器技術(shù)。因此是三家廠商合作的成果。

最新消息，SK海力士將2024年下半年推出適用于服務(wù)器的32Gb DDR5 DRAM和用于高性能計(jì)算的MCRDIMM產(chǎn)品。

今年6月，三星宣布開(kāi)發(fā)了MRDIMM，無(wú)需增加服務(wù)器主板上的內(nèi)存插槽即可提供更多內(nèi)存和帶寬。該模塊通過(guò)組合兩個(gè)DDR5 組件，使現(xiàn)有DRAM組件的帶寬翻倍，提供高達(dá) 8.8 Gb/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度。預(yù)計(jì) MRDIMM 將積極用于需要高性能計(jì)算 (HPC) 來(lái)處理數(shù)據(jù)并高速執(zhí)行復(fù)雜計(jì)算的 AI 應(yīng)用。

美光科技近日也宣布已出樣MRDIMM，將于2024 年下半年批量出貨。 與RDIMM 相比，MRDIMM有效內(nèi)存帶寬提升高達(dá)39%，總線效率提升超過(guò)15%（注：這兩個(gè)數(shù)據(jù)基于英特爾 Memory Latency Checker（MLC）工具，對(duì) 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比測(cè)試），延遲降低高達(dá)40%（注：這個(gè)數(shù)據(jù)基于經(jīng)驗(yàn)得出 Stream Triad 數(shù)據(jù)，對(duì) 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進(jìn)行對(duì)比）。美光表示，后續(xù)幾代 MRDIMM 產(chǎn)品將繼續(xù)提供比同代 RDIMM高45%的單通道內(nèi)存帶寬。

MRDIMM支持容量從32GB 到256GB，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)型和高型外形規(guī)格（TFF），適用于高性能的 1U和2U服務(wù)器。得益于 TFF 模塊優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì)，在同等功耗和氣流條件下，DRAM 溫度可降低高達(dá) 20 攝氏度。 在256GB TFF MRDIMM上采用 32Gb DRAM芯片，實(shí)現(xiàn)了與采用16Gb芯片的128GB TFF MRDIMM 相同的功耗表現(xiàn)。在最大數(shù)據(jù)傳輸速率下，256GB TFF MRDIMM 的性能比相同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。與 TSV RDIMM 相比，使用 256GB TFF MRDIMM，數(shù)據(jù)中心可以獲得前所未有的總體擁有成本（TCO）優(yōu)勢(shì)。

作為美光MRDIMM 系列的首代，目前僅兼容英特爾至強(qiáng)6處理器。英特爾副總裁兼數(shù)據(jù)中心至強(qiáng)6產(chǎn)品管理總經(jīng)理 Matt Langman 表示，借助 DDR5 接口和技術(shù)，MRDIMM 實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有英特爾至強(qiáng)6 處理器平臺(tái)的無(wú)縫兼容，為客戶(hù)帶來(lái)了更高的靈活性和更多選擇。