根據(jù)韓國媒體 TheElce 的報導(dǎo),三星正在開發(fā)一種新的晶片封裝技術(shù),以防止自研 Exynos 系列手機處理器 (AP) 過熱的情況。
報導(dǎo)引用知情人士的說法指出,三星新的封裝技術(shù)將在手機處理器的頂部附加了一塊散熱塊(HPB),這樣的技術(shù)被稱之為晶圓級扇出型 HPB 封裝 (FOWLP-HPB) 技術(shù),由三星晶片部門旗下的先進封裝 (AVP) 業(yè)務(wù)部門開發(fā),預(yù)計未來用于的 Exynos 系列手機處理器上,目標是在 2024 年第四季完成開發(fā),并開始大量生產(chǎn)。
另外,該公司還正在開發(fā)一種可以安裝多個晶片的晶圓級扇出型 FOWLP 封裝技術(shù),該技術(shù)則是將于 2025 年第四季推出。預(yù)計,新的兩種封裝技術(shù)都將把 HPB 安裝在 SoC 頂部,而記憶體則放置在 HPB 的旁邊。
報導(dǎo)表示,事實上目前 HPB 已經(jīng)在服務(wù)器和 PC 的處理器中使用。由于智能手機的外形尺寸較小,使得技術(shù)現(xiàn)在才被導(dǎo)入。而相較于當前的智能手機,大多使用均熱片透過容納冷媒來冷卻處理器和其他核心營組件,HPB 則是僅作用在處理器的散熱上。
現(xiàn)階段,三星正在考慮采用 2.5D 或 3D 封裝來將該技術(shù)進一步導(dǎo)入,這是因為人工智慧應(yīng)用的日益普及,也增加了人們對晶片繞量增加的憂慮。對此,三星以往的經(jīng)驗感受甚深,因為兩年前推出的 Galaxy S22 智能手機就因為處理器過熱問題飽受使用者的批評。
而相較于現(xiàn)在希望藉由 HPB 來進行手機處理器的散熱,當時三星則是試圖透過其游戲的優(yōu)化服務(wù) (GOS) 應(yīng)用程式來阻止這種情況。也就是該應(yīng)用程式在不通知客戶的情況下,強制降低手機處理器的效能,以防止過熱的情況發(fā)生。不過,在三星提出 HPB 機制來降低手機處理器過熱的情況之后,預(yù)計在后續(xù)的手機處理器設(shè)計上都將采用這樣的做法。
審核編輯 黃宇
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