新型鍺晶體管面世，速度是當(dāng)今晶體管的4倍
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管，新的晶體管通過(guò)材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來(lái)讓電流通過(guò)，速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。為了能夠提升速度，科學(xué)家們將鍺放置在不同的硅層上和硅符合產(chǎn)品上，隨后鍺原子將與硅層結(jié)合起來(lái)，拉緊材料迫使最上層材料結(jié)構(gòu)比它們的原始結(jié)構(gòu)更加緊湊。聽(tīng)起來(lái)有點(diǎn)像我們用藤條改變植物的生長(zhǎng)形狀一樣。
緊湊的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致鍺材料之間的洞孔更加緊密，晶體管的速度達(dá)到當(dāng)今大部分實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的2倍，市場(chǎng)上晶體管速度的 4 倍。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9693瀏覽量
138204 -
鍺晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1瀏覽量
5580
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)
晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過(guò)控制基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
晶體管的輸出特性是什么
晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對(duì)外部負(fù)載的特性表現(xiàn)，這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響，包括輸入信號(hào)、電源電壓、溫度以及
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別
CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
晶體管處于放大狀態(tài)的條件是什么
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有三個(gè)主要的引腳：基極（B）、發(fā)射極（E）和集電極（C）。晶體管的工作原理是通過(guò)控制基極和發(fā)射極之間的電流，來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。晶體管
什么是NPN晶體管？NPN晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
NPN晶體管是最常用的雙極結(jié)型晶體管，通過(guò)將P型半導(dǎo)體夾在兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間而構(gòu)成。 NPN 晶體管具有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和基極。 NPN晶體管的行為類似于兩個(gè)背對(duì)背連接的PN
PNP晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu) 晶體管測(cè)試儀電路圖
PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開(kāi)關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（P型）、負(fù)極（N型）、正極（P型
晶體管功率繼電器的基本介紹
晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開(kāi)關(guān)元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應(yīng)速度快、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用
如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度，讓晶體管快如閃電
咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手，開(kāi)關(guān)的速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么，如何才能提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度呢？來(lái)一探究竟。如果把
什么是達(dá)林頓晶體管？達(dá)林頓晶體管的基本電路
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流
晶體管的偏置定義和方式
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當(dāng)?shù)碾妷?，從而?b class='flag-5'>晶體管的工作點(diǎn)處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么？
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R
發(fā)表于 01-26 23:07
有什么方法可以提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度呢？
有什么方法可以提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度呢？ 電子行業(yè)一直在尋求提高晶體管速度的方法，以滿足高速和高性能計(jì)算需求。下面將詳細(xì)介紹幾種可以提高晶體管
如何根據(jù)管腳電位判斷晶體管
晶體管是一種常用的電子器件，用于放大和控制電信號(hào)。判斷晶體管的一種常見(jiàn)方法是根據(jù)管腳電位來(lái)識(shí)別晶體管的類型和狀態(tài)。本文將詳細(xì)介紹如何根據(jù)管腳電位來(lái)判斷晶體管，分為以下幾個(gè)部分進(jìn)行闡述：
FET晶體管電路設(shè)計(jì)參數(shù)
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論