0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶體管的輸出特性是什么

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-09-24 17:59 ? 次閱讀

晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對(duì)外部負(fù)載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括輸入信號(hào)電源電壓、溫度以及晶體管自身的結(jié)構(gòu)參數(shù)等。

一、晶體管輸出特性的基本概念

晶體管的輸出特性指的是在給定輸入信號(hào)和電源電壓的條件下,晶體管輸出端電壓與輸出電流之間的關(guān)系。這種關(guān)系通常通過輸出特性曲線來表示,該曲線反映了晶體管在不同工作狀態(tài)下的輸出性能。

二、晶體管輸出特性的主要區(qū)域

對(duì)于共射接法的晶體管(以雙極型晶體管為例),其輸出特性曲線主要分為三個(gè)區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。這三個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)著晶體管不同的工作狀態(tài)和輸出特性。

  1. 截止區(qū)
    • 定義 :在截止區(qū)內(nèi),晶體管的基極電流幾乎為零,集電極電流也非常小(通常只有極微小的反向穿透電流),此時(shí)晶體管處于不導(dǎo)通狀態(tài)。
    • 特點(diǎn) :晶體管集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均處于反向偏置狀態(tài),因此幾乎沒有電流通過。該區(qū)域?qū)?yīng)的輸出特性曲線位于橫軸附近,表示集電極電流隨集射電壓的變化非常小。
  2. 放大區(qū)
    • 定義 :在放大區(qū)內(nèi),晶體管的發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,此時(shí)晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的線性放大。
    • 特點(diǎn) :在集射電壓一定的范圍內(nèi),集電極電流與基極電流之間呈線性關(guān)系,即集電極電流的變化量與基極電流的變化量成正比。這一特性使得晶體管能夠作為放大器使用,在模擬電路和數(shù)字電路中都有廣泛應(yīng)用。
    • 放大作用 :通過調(diào)整基極電流的大小,可以控制集電極電流的變化,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。放大區(qū)的晶體管具有較高的電流增益和電壓增益。
  3. 飽和區(qū)
    • 定義 :在飽和區(qū)內(nèi),晶體管的集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正偏,此時(shí)集電極電流不再受基極電流的控制,而是趨于飽和狀態(tài)。
    • 特點(diǎn) :在飽和區(qū)內(nèi),即使基極電流繼續(xù)增大,集電極電流也幾乎不再增加。這是因?yàn)榧娊Y(jié)的正偏使得集電極對(duì)發(fā)射區(qū)電子的吸引力減弱,導(dǎo)致集電極電流飽和。飽和區(qū)的晶體管通常用于開關(guān)電路中,通過控制基極電流來實(shí)現(xiàn)晶體管的導(dǎo)通和截止。

三、晶體管輸出特性的影響因素

  1. 電源電壓
    電源電壓是影響晶體管輸出特性的重要因素之一。電源電壓的變化會(huì)直接影響晶體管的偏置狀態(tài)和工作區(qū)域。例如,在電源電壓過高的情況下,晶體管可能進(jìn)入擊穿區(qū)而損壞;而在電源電壓過低的情況下,晶體管可能無法正常工作或處于截止?fàn)顟B(tài)。
  2. 輸入信號(hào)
    輸入信號(hào)的大小和波形也會(huì)影響晶體管的輸出特性。在放大區(qū)內(nèi),輸入信號(hào)的變化會(huì)直接影響集電極電流的變化,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。而在截止區(qū)和飽和區(qū)內(nèi),輸入信號(hào)的變化對(duì)集電極電流的影響較小或幾乎沒有影響。
  3. 溫度
    溫度是影響晶體管輸出特性的另一個(gè)重要因素。隨著溫度的升高,晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)速度加快,導(dǎo)致集電極電流增大。這種溫度變化對(duì)晶體管的影響需要在實(shí)際應(yīng)用中加以考慮和補(bǔ)償。
  4. 晶體管自身參數(shù)
    晶體管的自身參數(shù)如電流放大系數(shù)、飽和壓降等也會(huì)影響其輸出特性。這些參數(shù)在不同類型的晶體管中可能有所不同,需要根據(jù)具體型號(hào)進(jìn)行選擇和調(diào)整。

四、晶體管輸出特性的應(yīng)用

晶體管的輸出特性在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。例如:

  • 放大器 :在放大電路中,晶體管工作在放大區(qū),通過調(diào)整基極電流來實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的線性放大。
  • 開關(guān)電路 :在開關(guān)電路中,晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)之間切換,通過控制基極電流來實(shí)現(xiàn)電路的通斷。
  • 振蕩器 :在振蕩電路中,晶體管可以與其他元件(如電感、電容等)一起構(gòu)成反饋回路,產(chǎn)生穩(wěn)定的振蕩信號(hào)。
  • 穩(wěn)壓電源 :在穩(wěn)壓電源中,晶體管可以作為調(diào)整管使用,通過調(diào)整其導(dǎo)通程度來穩(wěn)定輸出電壓。

綜上所述,晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對(duì)外部負(fù)載的特性表現(xiàn)的重要參數(shù)。它受到多種因素的影響并表現(xiàn)出不同的工作區(qū)域和特性。在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)具體需求選擇合適的晶體管型號(hào)和工作狀態(tài)以實(shí)現(xiàn)所需的電路功能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 負(fù)載
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    566

    瀏覽量

    34348
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9692

    瀏覽量

    138178
  • 輸出特性
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    7261
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    雪崩晶體管電路圖

    晶體管輸出特性曲線中有四個(gè)區(qū):飽和區(qū),線性區(qū),截止區(qū)和雪崩區(qū).晶體管在前三個(gè)區(qū)的工作狀態(tài)在許多電路中
    發(fā)表于 11-13 17:16 ?1577次閱讀
    雪崩<b class='flag-5'>晶體管</b>電路圖

    NMOS特性曲線(一)— 輸出特性曲線詳解

    輸出特性曲線:固定VGS值,且數(shù)值大于閾值電壓時(shí),MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。
    的頭像 發(fā)表于 12-01 14:13 ?1.5w次閱讀
    NMOS<b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>特性</b>曲線(一)— <b class='flag-5'>輸出特性</b>曲線詳解

    26 NPN晶體管輸出特性Output characteristics of NPN transistor

    三極元器件IC設(shè)計(jì)TransistorTPU行業(yè)芯事芯片驗(yàn)證板
    以夢(mèng)為馬
    發(fā)布于 :2021年08月05日 15:24:22

    #硬聲創(chuàng)作季 #半導(dǎo)體器件 微電子器件-03.04.03 晶體管輸出特性

    IC設(shè)計(jì)電子器件半導(dǎo)體器件
    水管工
    發(fā)布于 :2022年10月17日 17:36:08

    #硬聲創(chuàng)作季 微電子器件:34.3晶體管輸出特性

    元器件電子器件微電子
    Mr_haohao
    發(fā)布于 :2022年10月22日 13:26:39

    晶體管相關(guān)資料下載

    ,晶體管的輸入特性類似于二極的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 (以 NPN 為例) 共
    發(fā)表于 05-13 06:43

    晶體三極管放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的重要性講解(一)

    使動(dòng)態(tài)參數(shù)不穩(wěn)定,有時(shí)電路無法正常工作。在引起Q點(diǎn)諸多不穩(wěn)定因素當(dāng)中,溫度對(duì)晶體管的參數(shù)的影響是最為重要的。綠線是20℃時(shí)的輸出特性曲線,藍(lán)線為40℃時(shí)的輸出特性曲線,從圖可知,當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),
    發(fā)表于 12-14 09:27

    晶體三極管放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的重要性講解(二)

    工作點(diǎn)的不穩(wěn)定,從而使動(dòng)態(tài)參數(shù)不穩(wěn)定,有時(shí)電路無法正常工作。在引起Q點(diǎn)諸多不穩(wěn)定因素當(dāng)中,溫度對(duì)晶體管的參數(shù)的影響是最為重要的。綠線是20℃時(shí)的輸出特性曲線,藍(lán)線為40℃時(shí)的輸出特性曲線,從圖可知,當(dāng)
    發(fā)表于 12-21 10:30

    絕緣門/雙極性晶體管介紹與特性

    晶體管晶體管輸出特性,但是像金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管,MOSFET 一樣被控制。IGBT 晶體管的主要優(yōu)點(diǎn)之一是簡(jiǎn)單,通過施加一個(gè)正的柵極電
    發(fā)表于 04-29 10:55

    關(guān)于晶體管及其功能和特性的常見問題

    正電壓,以產(chǎn)生從發(fā)射極到集電極的電流。7.如何測(cè)量晶體管特性?晶體管輸出特性是通過檢查不同基極電流下屬于集電極電流的集電極-發(fā)射極端子之間的電壓變化來確定的。通過按下移動(dòng)設(shè)備上的“
    發(fā)表于 02-03 09:32

    PNP晶體管的工作原理,如何識(shí)別PNP晶體管

    ,因?yàn)殡娏鞅仨氹x開基極。通常,PNP晶體管可以替代大多數(shù)電子電路中的NPN晶體管;主要區(qū)別在于電壓和電流流向的極性。七、PNP晶體管電路PNP 晶體管
    發(fā)表于 02-03 09:44

    模擬與數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)(上)-現(xiàn)代測(cè)量方法實(shí)驗(yàn)室

    1、實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備及常規(guī)儀器設(shè)備使用 2、分立元件及負(fù)反饋放大電路設(shè)計(jì) 3、運(yùn)放基本應(yīng)用電路 4、測(cè)量放大器 5、晶體管輸出特性曲線測(cè)試電路 6、LC三點(diǎn)式振蕩器 7、模擬乘法器及調(diào)幅與檢
    發(fā)表于 04-08 15:40 ?70次下載

    晶體管圖示儀的設(shè)計(jì)與制作,Transistor characteristic exhibit instrument

    作者:杜智銓 王虹 薛云 任維政 晶體管圖示儀器是用來測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀,可以獲得晶體管的實(shí)際
    的頭像 發(fā)表于 09-20 19:18 ?2238次閱讀

    達(dá)林頓晶體管輸出特性仿真過程

    硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),可改善大電流情況下的飽和壓降,降低其通態(tài)損耗。
    發(fā)表于 07-13 09:59 ?429次閱讀
    達(dá)林頓<b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>輸出特性</b>仿真過程

    CB晶體管特性曲線解析

    在本文中,我們將討論CB晶體管特性曲線,如 CB晶體管的靜態(tài)輸入和靜態(tài)輸出特性曲線(共基)。
    的頭像 發(fā)表于 05-05 15:47 ?872次閱讀
    CB<b class='flag-5'>晶體管</b>的<b class='flag-5'>特性</b>曲線解析