近日,英飛凌連續(xù)發(fā)布兩則碳化硅創(chuàng)新產(chǎn)品和新一代技術(shù)的重磅消息,引起業(yè)界的關(guān)注和熱議。憑借著在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域技術(shù)和創(chuàng)新的雙輪驅(qū)動,英飛凌始終站在技術(shù)前沿。本期“零碳故事”特邀英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級技術(shù)總監(jiān)陳立烽先生淺談英飛凌的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力,深挖創(chuàng)新背后的故事。
1
新一代CoolSiC MOSFET G2技術(shù),到底“新”在哪里?
“英飛凌不斷突破可能性的邊界,在充滿活力的碳化硅創(chuàng)新浪潮中保持著領(lǐng)軍者的位置。”
英飛凌碳化硅單管有650V、1200V、1700V、2000V四個(gè)電壓等級。就主流電壓等級而言,英飛凌可以說是業(yè)內(nèi)碳化硅產(chǎn)品最齊全的半導(dǎo)體企業(yè)。
最新發(fā)布的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件,基于第一代的碳化硅技術(shù),在電壓等級上實(shí)現(xiàn)向上拓展,成為市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件。
而新一代CoolSiC MOSFET Gen2的技術(shù)亮點(diǎn)紛呈:它具有業(yè)界最低的Rdson導(dǎo)通電阻,單個(gè)單管封裝可低至7毫歐。同時(shí),該技術(shù)在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),承諾2微秒的短路能力,這在業(yè)界遙遙領(lǐng)先。此外,新一代CoolSiC MOSFET Gen2的最大工作結(jié)溫直接提升到200攝氏度,相較于第一代產(chǎn)品有了顯著的提升。
2
英飛凌如何保持在碳化硅技術(shù)的創(chuàng)新優(yōu)勢?
“創(chuàng)新不是速度與激情,而是長期耕耘的“細(xì)水長流”。
英飛凌這么多年在碳化硅的技術(shù)積累為今天在產(chǎn)品上的發(fā)力提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),從晶圓制成到芯片設(shè)計(jì),封裝都有著深厚的技術(shù)實(shí)力:
我們在2018年獲得的冷切割技術(shù),大幅減少SiC生產(chǎn)過程中的原材料損耗,確保質(zhì)量的同時(shí),從容面對不斷增長的碳化硅市場需求;
我們的優(yōu)勢還在于早期就決定采用溝槽MOSFET技術(shù)。憑借25年的經(jīng)驗(yàn)積累,英飛凌掌握了溝槽柵生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)和挑戰(zhàn)。越來越多公司將溝槽技術(shù)概念納入其SiC產(chǎn)品路線圖,也證明了我們的技術(shù)戰(zhàn)略是正確的。
英飛凌在封裝技術(shù)方面持續(xù)創(chuàng)新,大家熟悉的Easy 1B/2B,Ecoco都是英飛凌的原創(chuàng)設(shè)計(jì)。最近屢獲殊榮的.XT互連技術(shù),也英飛凌的一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),與傳統(tǒng)封裝相比,能進(jìn)一步提升基于碳化硅設(shè)計(jì)的優(yōu)化潛力。
3
碳化硅在不久的將來是否會取代硅基功率半導(dǎo)體?
“Si和SiC將會是一個(gè)共存的狀態(tài),會各自在最能發(fā)揮他們產(chǎn)品性能的應(yīng)用中繼續(xù)扮演關(guān)鍵的角色?!?/p>
英飛凌在功率半導(dǎo)體保持連續(xù)20年市占率第一的成績,以英飛凌為代表的IGBT技術(shù)也在不斷進(jìn)步,從整體發(fā)展趨勢來看,呈現(xiàn)出大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性的特點(diǎn)。我們?nèi)ツ晖瞥龅腎GBT7單管系列正是符合這一趨勢。其中,1200V/140A的規(guī)格為市場上第一款大電流的1200V IGBT單管。
此外,英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),從Si、SiC到GaN,英飛凌掌握所有的關(guān)鍵材料和技術(shù),擁有最廣泛的產(chǎn)品組合,客戶可以根據(jù)系統(tǒng)優(yōu)化的不同需求,進(jìn)行靈活的方案配置。
4
英飛凌如何把創(chuàng)新力轉(zhuǎn)化成產(chǎn)品力?
“創(chuàng)新力:源頭在“創(chuàng)”,核心在“新”,成果在“力””。
我們從一開始在工業(yè)應(yīng)用、基建以及汽車領(lǐng)域做好全面的市場布局,專注于Mobility, Energy Efficiency以及IoT的技術(shù)創(chuàng)新以及產(chǎn)品開發(fā)。因此,我們在市場上提供了更廣泛、細(xì)致的產(chǎn)品組合,使得客戶能夠根據(jù)自身需求,選擇最適合、成本效益最高的產(chǎn)品。
同時(shí),英飛凌始終與富有創(chuàng)新精神的客戶并肩前行。通過交流所積累的知識和經(jīng)驗(yàn),成為了我們始終站在技術(shù)前沿的寶貴財(cái)富,為日后市場的騰飛奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
此外,針對應(yīng)用,我們?yōu)榭蛻魟?chuàng)新設(shè)計(jì)定制功率模塊,產(chǎn)品定制化已經(jīng)成為了我們非常重要的業(yè)務(wù)模塊。通過縮短設(shè)計(jì)周期,加速產(chǎn)品上市時(shí)間,為客戶搶得市場先機(jī)。而在定制化成功的背后,完善的定制化服務(wù)管理體系以及專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)提供了堅(jiān)實(shí)的保障。
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
66文章
2190瀏覽量
138764 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7178瀏覽量
213413 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27390瀏覽量
219085
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論