昨天金譽半導體提到過,由于場效應管具有功耗低的特點,伴隨著對產品低功耗的重視,場效應管應用越來越廣泛。而作為產品生產過程中測試主要分為兩個過程:芯片封裝前測試和芯片封裝后測試。這兩個測試過程更費時,測試成本也大。而對于芯片封裝后測試的產品電參數(shù)測試,對保障產品的功能,質量具有重要作用。以下是一些常用的場效應管測量方法:
1、場效應管的管腳識別:
場效應管的柵極相當于晶體管的基極,源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時,則這兩個管腳為漏極D和源極S(可互換),余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結型場效應管,另外一極是屏蔽極(使用中接地)。
2、判定柵極
用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。
制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測量時只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。
3、估測場效應管的放大能力
將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,相當于給場效應管加上1。5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用,UDS和ID都將發(fā)生變化,也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小,說明管子的放大能力較弱;若表針不動,說明管子已經損壞。
由于人體感應的50Hz交流電壓較高,而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同,因此用手捏柵極時表針可能向右擺動,也可能向左擺動。少數(shù)的管子RDS減小,使表針向右擺動,多數(shù)管子的RDS增大,表針向左擺動。無論表針的擺動方向如何,只要能有明顯地擺動,就說明管子具有放大能力。
本方法也適用于測MOS管。不同的是為了保護MOS場效應管,必須用手握住螺釘旋具絕緣柄,用金屬桿去碰柵極,以防止人體感應電荷直接加到柵極上,將管子損壞。MOS管每次測量完畢,G-S結電容上會充有少量電荷,建立起電壓UGS,再接著測時表針可能不動,此時將G-S極間短路一下即可。
審核編輯 黃宇
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