0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

群英講堂 | 英飛凌PA柵壓管理解決方案助力新一代通訊基礎設施

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-04-19 14:49 ? 次閱讀

新一代移動通信技術,是在4G的基礎上進化而來的一項全新技術。它具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,更低的延遲和更廣的覆蓋范圍,可以實現(xiàn)更加安全、可靠、高效的通信體驗。相較于4G,新一代通訊網(wǎng)絡不僅能夠為人們帶來更好的通信體驗,也將推動物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市等領域的發(fā)展,成為未來數(shù)字化社會的基礎設施之一。

隨著全球進入新一代網(wǎng)絡時代,針對新一代移動通信技術MIMO基站射頻端子系統(tǒng),英飛凌推出一片式高集成度PA控制解決方案——BGMC1210 PA柵壓管理芯片

1BGMC1210 功能框圖

wKgaomYiE_GACPw8AAThpdgmMY8077.png

BGMC1210框圖

BGMC1210是英飛凌推出的一款高集成度的功放柵壓管理芯片,主要應用于RF PA的柵壓管理。芯片內部集成8路高精度DAC,可通過編程提供精確的正電壓或負電壓,適用于LDMOS和GaN類PA;集成開關,實現(xiàn)PA TDD模式控制,(找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城)并提供PA多種關斷電壓模式選擇;集成電壓電流檢測功能,可支持最高60V供電的電壓和電流檢測;集成溫度傳感器,溫度補償表;支持I2C和I3C 通信模式。

2BGMC1210功能特點

2.1支持LDMOS 和GaN PA

wKgaomYiE_KACrtPAAK-MS2qIW4916.png

BGMC1210 典型應用電路

BGMC1210 提供2組共8路12bit DAC輸出,能滿足兩路Doherty PA driver級和final級的柵壓需求??商峁┱妷汉拓撾妷?,支持LDMOS和GaN PA應用。

2.2 TDD 控制和關斷電壓

wKgZomYiE_OAAY3_AAM6gkLXeK0920.png

TDD開關控制和關斷電壓

BGMC1210集成TDD控制開關,實現(xiàn)PA 柵壓的TDD切換??商峁┤N關斷電壓選擇,如內部buffer電壓,奇數(shù)路DAC電壓和Vref電壓。

2.3集成PA電壓電流檢測功能

wKgaomYiE_SAd5W1AAIWYnyFYKI716.png

BGMC1210電壓電流檢測框圖

BGMC1210 可同時檢測PA供電電壓和電流,內部集成12bit ADC用于檢測PA電流,11bit ADC用于檢測PA電壓,最高可支持60V。12bit ADC 提供不同量程選擇,用戶可根據(jù)具體不同Rshunt電阻值,靈活選擇量程。

2.4集成溫度傳感器和溫度補償表

wKgaomYiE_SAXyoYAAHXsFWjyfQ681.png

BGMC1210 DAC 溫度補償示例

BGMC1210內部集成溫度傳感器,可提供-40℃~+160℃的溫度檢測。

BGMC1210同時集成溫度補償表,用戶可根據(jù)需要,對DAC電壓進行補償,以滿足PA柵壓的溫補需求。

2.5支持I2C和I3C通信模式

wKgZomYiE_WAR2eaAAJLHnbg8lU043.pngwKgaomYiE_WAUV8iAAJLMW1oeGA444.png

I2C 地址選擇

BGMC1210支持I2C通信模式,一組I2C總線可掛載最多8片BGMC1210。

wKgZomYiE_mABy05AAJS6t89UAo244.png

I3C DDR模式時序圖

BGMC1210支持I3C 通信模式,SDR模式最高支持12.5Mbit/s,DDR模式最高支持25Mbit/s。

3BGMC1210主要參數(shù)

wKgZomYiE_qAS4ZRAAMitun3HSU703.png

BGMC1210主要參數(shù)參見上表

4結語

英飛凌提供全面的半導體解決方案,實現(xiàn)高效的能源管理、智能出行以及安全、無線通信,連接現(xiàn)實與數(shù)字世界。英飛凌擁有全球領先的半導體制造工藝和設計能力,將會在新一代移動通信技術基站射頻領域持續(xù)發(fā)力,并計劃推出更多,更好的產品,助力新一代移動通信技術基站建設。


審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    66

    文章

    2188

    瀏覽量

    138743
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    27367

    瀏覽量

    218823
  • 通訊
    +關注

    關注

    9

    文章

    903

    瀏覽量

    34912
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    BAW電網(wǎng)基礎設施振蕩器解決方案應用簡介

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BAW電網(wǎng)基礎設施振蕩器解決方案應用簡介.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-09 14:49 ?0次下載
    BAW電網(wǎng)<b class='flag-5'>基礎設施</b>振蕩器<b class='flag-5'>解決方案</b>應用簡介

    BAW用于電網(wǎng)基礎設施的振蕩器解決方案應用簡介

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BAW用于電網(wǎng)基礎設施的振蕩器解決方案應用簡介.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-09 14:32 ?0次下載
    BAW用于電網(wǎng)<b class='flag-5'>基礎設施</b>的振蕩器<b class='flag-5'>解決方案</b>應用簡介

    適用于電網(wǎng)基礎設施的BAW振蕩器解決方案

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于電網(wǎng)基礎設施的BAW振蕩器解決方案.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 08-27 11:14 ?0次下載
    適用于電網(wǎng)<b class='flag-5'>基礎設施</b>的BAW振蕩器<b class='flag-5'>解決方案</b>

    重磅!英飛凌發(fā)布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和數(shù)字化目標達成

    7月8日到10日,在慕尼黑上海電子展E4館內,英飛凌展示了第三半導體的產品解決方案。記者探訪展臺的時候,看到如下方案
    的頭像 發(fā)表于 07-22 09:10 ?3287次閱讀
    重磅!<b class='flag-5'>英飛凌</b>發(fā)布<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅器件<b class='flag-5'>方案</b>,<b class='flag-5'>助力</b>低碳化和數(shù)字化目標達成

    圖看懂華為新一代網(wǎng)絡人才培養(yǎng)解決方案

    圖看懂華為新一代網(wǎng)絡人才培養(yǎng)解決方案
    的頭像 發(fā)表于 05-27 11:40 ?465次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>圖看懂華為<b class='flag-5'>新一代</b>網(wǎng)絡人才培養(yǎng)<b class='flag-5'>解決方案</b>

    英飛凌攜手ETAS提升新一代AURIX微控制器的安全性

    隨著汽車行業(yè)邁向軟件定義汽車及新型E/E架構,市場對高性能硬件與先進網(wǎng)絡安全方案的需求日益凸顯。為響應這趨勢,全球半導體巨頭英飛凌科技股份公司與汽車軟件專家ETAS攜手合作,共同研發(fā)新一代
    的頭像 發(fā)表于 05-15 10:04 ?389次閱讀

    英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽技術

    英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽技術,開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比,英飛凌全新的 CoolSiC?
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:41 ?1074次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>科技推出<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅(SiC)MOSFET溝槽<b class='flag-5'>柵</b>技術

    英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽技術

    英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽技術,無疑為功率系統(tǒng)和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和
    的頭像 發(fā)表于 03-20 10:32 ?961次閱讀

    全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC MOSFET G2

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽SiC MOSFET技術,相比上一代產品也就是CoolSiC MOS
    的頭像 發(fā)表于 03-19 18:13 ?3015次閱讀
    全面提升!<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅技術CoolSiC MOSFET G2

    英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽技術

    在全球電力電子領域,英飛凌科技以其卓越的技術創(chuàng)新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽技術,標志著功率系統(tǒng)和能量轉換領域邁入了新的發(fā)展階段。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:53 ?663次閱讀

    英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2

    在電力電子領域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這創(chuàng)新技術的
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:43 ?707次閱讀

    供水管網(wǎng)監(jiān)測遠程管理解決方案

    供水管網(wǎng)監(jiān)測遠程管理解決方案 供水管網(wǎng)作為城市基礎設施的重要組成部分,其運行狀況直接影響到居民的飲用水安全和城市的水資源利用。然而,傳統(tǒng)供水管網(wǎng)管理存在管理效率低、漏損率高、故障排查困
    的頭像 發(fā)表于 02-23 16:20 ?375次閱讀
    供水管網(wǎng)監(jiān)測遠程<b class='flag-5'>管理解決方案</b>

    KVM矩陣系統(tǒng)助力企業(yè)構建高效、安全的IT基礎設施

    隨著企業(yè)信息化程度的不斷提高,IT基礎設施的重要性日益凸顯。如何構建高效、安全的IT基礎設施成為了企業(yè)面臨的重要挑戰(zhàn)。KVM矩陣系統(tǒng)作為種先進的遠程管理解決方案,以其高效、靈活、安全
    的頭像 發(fā)表于 02-18 14:53 ?565次閱讀

    英飛凌PA管理解決方案助力5G基站建設

    隨著全球進入5G網(wǎng)絡時代,針對5G MIMO基站射頻前端子系統(tǒng),英飛凌推出片式高集成度PA控制解決方案-----BGMC1210 PA
    的頭像 發(fā)表于 01-19 11:17 ?608次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>PA</b><b class='flag-5'>柵</b><b class='flag-5'>壓</b><b class='flag-5'>管理解決方案</b><b class='flag-5'>助力</b>5G基站建設

    商湯科技聯(lián)合發(fā)布《新一代人工智能基礎設施白皮書》

    近日,商湯科技智能產業(yè)研究院攜手中國信息通信研究院云計算與大數(shù)據(jù)研究所、中國智能算力產業(yè)聯(lián)盟以及人工智能算力產業(yè)生態(tài)聯(lián)盟,共同發(fā)布了《新一代人工智能基礎設施白皮書》(以下簡稱《白皮書》)。
    的頭像 發(fā)表于 01-03 14:28 ?823次閱讀