揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約
總投資5億！揚(yáng)杰科技，SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
近日，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡稱揚(yáng)杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。
該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7164瀏覽量
213287 -
新能源車
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
614瀏覽量
23810 -
SiC模塊
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
16瀏覽量
6039 -
揚(yáng)杰科技
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
96瀏覽量
10677
原文標(biāo)題：總投資5億！揚(yáng)杰科技，SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
文章出處：【微信號(hào)：today_semicon，微信公眾號(hào)：今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
中恒微發(fā)布Mini Z3功率模塊：750V新技術(shù)車規(guī)級(jí)芯片引領(lǐng)新能源變革
在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的背景下，電力電子組件的高效性與可靠性已成為推動(dòng)整個(gè)行業(yè)不斷前行的重要基石。作為業(yè)界的領(lǐng)航者，中恒微半導(dǎo)體積極響應(yīng)市場(chǎng)需求，隆重推出了Mini Z3封裝的車用
新能源車用IGBT模塊：封裝技術(shù)如何塑造未來出行
的關(guān)鍵組件，對(duì)車輛的續(xù)航能力、動(dòng)力響應(yīng)及整體效率具有決定性影響。IGBT模塊的封裝技術(shù)直接關(guān)系到其熱管理、電氣性能、可靠性及使用壽命，是新能源汽車技術(shù)發(fā)展的重要研
IGBT和SiC封裝用的環(huán)氧材料
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析：1.熱管理導(dǎo)熱性能：環(huán)
揚(yáng)杰科技發(fā)布高效SJ MOSFET，賦能新能源市場(chǎng)
在新能源市場(chǎng)迅猛發(fā)展的浪潮中，功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件，其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求，揚(yáng)杰科技近日隆重推出了一系列新型SJ
TMC2024丨車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新
制造技術(shù)瓶頸，梳理SiC功率模塊封裝技術(shù)路線迫在眉睫。第三屆新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇將于7月4-5日在青島召開（與TMC年會(huì)同期同地召開），內(nèi)容涵蓋全球技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，功率
發(fā)表于 06-18 15:26
?3476次閱讀
派恩杰半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)推出多款模塊產(chǎn)品，助力新能源！
派恩杰半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)推出多款模塊產(chǎn)品，助力新能源！
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)
新能源汽車蓬勃發(fā)展，IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張
IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，對(duì)新能源汽車的性能有著直接影響，尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT模塊約占
揚(yáng)杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管
近日，國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要？
作為電力電子行業(yè)里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT
揚(yáng)杰科技又新增5億元車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目
近日，據(jù)邗江發(fā)布消息，在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤信心滿滿地告訴記者，“去年
碳化硅模塊使用燒結(jié)銀雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢(shì)與實(shí)現(xiàn)方法
碳化硅模塊使用燒結(jié)銀雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢(shì)與實(shí)現(xiàn)方法 新能源車的大多數(shù)最先進(jìn) (SOTA)?電動(dòng)汽車的牽引逆變器體積功率密度范圍從基于 SSC-I
晶能微電子10億元SiC半橋模塊制造項(xiàng)目簽約嘉興
近日，浙江晶能微電子有限公司與嘉興國家高新區(qū)成功簽約，共同打造一項(xiàng)總投資約人民幣10億元的SiC半橋模塊制造項(xiàng)目。該項(xiàng)目由晶能微電子攜手星驅(qū)
《新能源車維修技術(shù)自學(xué)，鏈接匯總AI智能分類》超4000案例
收藏欄鏈接共享-新能源車維修自學(xué)-超4000案例 -html文件
詳細(xì)見附件
[*附件：收藏欄鏈接共享-新能源車維修自學(xué)-超4000案例.zip]
（注：可導(dǎo)入瀏覽器，在瀏覽器的收藏欄
發(fā)表于 02-18 03:30
揚(yáng)杰科技兩個(gè)產(chǎn)品獲得江蘇省重點(diǎn)創(chuàng)新項(xiàng)目支持計(jì)劃
揚(yáng)杰科技再創(chuàng)輝煌，其“高壓大功率IGBT”產(chǎn)品成功入選省重點(diǎn)推廣應(yīng)用的新技術(shù)新產(chǎn)品目錄。這一突破性的成就彰顯了揚(yáng)杰科技在電力電子領(lǐng)域的領(lǐng)先地
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論