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英特爾CEO:中國(guó)芯片制造將落后10年

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2024-01-29 10:03 ? 次閱讀

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的不確定性依然存在。

美國(guó)多年來一直試圖通過制裁和出口管制來減緩中國(guó)在半導(dǎo)體和人工智能等領(lǐng)域的進(jìn)步。英特爾首席執(zhí)行官評(píng)論說,這一戰(zhàn)略正在影響中國(guó)的半導(dǎo)體制造能力,并強(qiáng)調(diào)了日本和荷蘭等國(guó)的合作。這些言論與臺(tái)積電和 NVIDIA 的聲明不謀而合,盡管在這個(gè)高度互聯(lián)的行業(yè)中,供應(yīng)鏈的不確定性依然存在。

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格在達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇上發(fā)表講話時(shí)斷言,由于美國(guó)對(duì)關(guān)鍵芯片制造零部件的制裁,中國(guó)的半導(dǎo)體發(fā)展將落后于領(lǐng)先國(guó)家十年。

為了應(yīng)對(duì)中國(guó)在該行業(yè)的快速增長(zhǎng),美國(guó)制定了控制措施,阻止中國(guó)獲得最新芯片技術(shù)所需的工具。然而,美國(guó)并沒有獨(dú)自阻止中國(guó),而是聯(lián)合了盟友日本和荷蘭的合作,這是該政策取得成效的關(guān)鍵因素。

荷蘭公司 ASML 是全球最大的生產(chǎn) 14 納米以下半導(dǎo)體所必需的光刻工具供應(yīng)商。最近向英特爾發(fā)貨了其最新的高端 EUV機(jī)器。此舉是英特爾努力重新奪回其在芯片制造領(lǐng)域領(lǐng)先地位(落后于臺(tái)積電和三星)的一部分。

在達(dá)沃斯論壇上,基辛格討論了全球供應(yīng)鏈的脆弱性,這一擔(dān)憂在疫情期間變得更加明顯。他指出,幾十年的產(chǎn)業(yè)政策使芯片制造集中在亞洲國(guó)家,美國(guó)現(xiàn)在正試圖通過《芯片法案》扭轉(zhuǎn)這一趨勢(shì),該立法旨在增強(qiáng)美國(guó)的技術(shù)自給自足。

去年,臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀承認(rèn),美國(guó)制裁可能暫時(shí)使臺(tái)積電受益,但對(duì)此類措施的長(zhǎng)期有效性表示懷疑。他預(yù)測(cè)制裁將使中國(guó)在芯片制造技術(shù)方面落后數(shù)年。不過,他也指出,美國(guó)等國(guó)家需要大量時(shí)間來發(fā)展其芯片制造能力。

美國(guó)官員樂觀地認(rèn)為,美國(guó)可以在十年內(nèi)開始生產(chǎn)和封裝最先進(jìn)的半導(dǎo)體。相比之下,Nvidia的首席執(zhí)行官認(rèn)為這一目標(biāo)可能需要接近10年或20年的時(shí)間。

全球最先進(jìn)的1.5納米芯片工廠

英特爾位于德國(guó)馬格德堡附近的工廠不僅將成為歐洲最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠,而且根據(jù)首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 的說法,一旦投產(chǎn),它將成為世界上最先進(jìn)的工廠。該晶圓廠將使用 18A 后工藝技術(shù)處理晶圓,并將用于為英特爾及英特爾代工服務(wù)客戶生產(chǎn)產(chǎn)品。

基辛格在瑞士達(dá)沃斯舉行的世界經(jīng)濟(jì)論壇上表示:“這不僅是德國(guó)最先進(jìn)的制造工廠,馬格德堡工廠還將擁有世界上最先進(jìn)的芯片制造工廠。我們對(duì)這項(xiàng)工作的開展感到非常興奮?!?/p>

英特爾負(fù)責(zé)人并未具體說明其馬格德堡工廠將采用英特爾的哪些后18A工藝技術(shù),只是含糊地表示將采用1.5納米的量級(jí)。

英特爾將于 2 月底公布其 18A 后制造工藝路線圖,屆時(shí)該公司可能還會(huì)概述其哪些晶圓廠(或更確切地說是站點(diǎn))將首先采用一個(gè)節(jié)點(diǎn)或另一個(gè)節(jié)點(diǎn)。目前,我們只能推測(cè) Intel 18A 之后的繼任者。

英特爾決心將其領(lǐng)先的制造技術(shù)帶到歐洲,這在半導(dǎo)體行業(yè)是罕見的。目前,位于愛爾蘭萊克斯利普附近的英特爾 Fab 34 工廠正在采用英特爾 4 納米級(jí)工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片,預(yù)計(jì)將在未來幾個(gè)季度開始生產(chǎn)英特爾 3 納米級(jí)處理器。雖然目前 Intel 4 和 Intel 3 是該公司最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn),但它們落后于臺(tái)積電的 N3(3 納米級(jí))。相比之下,英特爾預(yù)計(jì)其 18A 及其后續(xù)產(chǎn)品將在功耗、性能和面積特性方面領(lǐng)先于行業(yè)。

在晶圓廠方面,在臺(tái)積電召開法說會(huì)后表示,預(yù)計(jì)將推遲正在亞利桑那州建設(shè)的兩家半導(dǎo)體工廠中的第二座工廠的生產(chǎn),并稱早些時(shí)候有關(guān)該工廠將生產(chǎn)一種先進(jìn)制程芯片的聲明存在不確定性。

臺(tái)積電曾于2022年12月表示,第二座工廠計(jì)劃于2026年開始生產(chǎn)3納米芯片。但近日,臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音在新聞發(fā)布會(huì)上的發(fā)言進(jìn)一步證明,這個(gè)耗資400億美元的亞利桑那州項(xiàng)目在實(shí)現(xiàn)激進(jìn)的時(shí)間表目標(biāo)方面遇到了挑戰(zhàn)。

第二座工廠的建設(shè)仍在繼續(xù),但臺(tái)積電目前考慮將2027年或2028年作為量產(chǎn)的時(shí)間表。具體的芯片類型尚未確定,將受到客戶需求和政府激勵(lì)措施的影響。劉德音表示,該公司正與美國(guó)政府就亞利桑那州的激勵(lì)措施和稅收減免支持進(jìn)行持續(xù)溝通。




審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:英特爾CEO:中國(guó)芯片制造將落后10年

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