簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)發(fā)射極關(guān)斷晶閘管

發(fā)射極關(guān)斷 (Emitter Turn-Off， ETO）晶閘管具有柵極截止晶閘管的耐高電壓和高電流的能力．以及易于控制 MOS 柵極的優(yōu)點(diǎn)，其他功能包括高電壓電流整流能力和器件電流檢測(cè)能力。ETO 晶閘管的結(jié)構(gòu)原理圖與電路符號(hào)如圖 2-92 所示。

VQ?充當(dāng)柵極開關(guān)并與柵極 1相連。ETO 晶閘管是由發(fā)射極開關(guān)即低壓MOSFET( VQ?是pMOSFET， VQ?是nMOSFET）和 GTO 晶閘管串聯(lián)組成的功率器件。在柵極 2 和柵極3 上施加正電壓就打開器件，此時(shí) VQ?關(guān)斷，VQ?開啟，陰極電壓通過(guò) VQ?,加到 GTO 晶閘管上使 GTO 晶閘管開始導(dǎo)通。在柵極2 和柵極3上施加負(fù)電壓則關(guān)斷器件，此時(shí) VQ?關(guān)斷而 VQ?打開，GTO 晶閘管的電流全部經(jīng)由柵極 1和VQ?流至陰極。因?yàn)閺年?yáng)極流人的電流只流經(jīng) pnp 晶體管而不流過(guò)第一個(gè)pn 結(jié)J1，GTO 晶閘管的正反饋環(huán)路就被破壞，使器件得以關(guān)斷。在開放式pnp 模式下，關(guān)斷npn 晶體管是實(shí)現(xiàn)高速和大截止電流能力的關(guān)鍵。ETO晶閘管使用陽(yáng)極電流來(lái)提供關(guān)斷能量，與 IGCT 的技術(shù)相比，ETO 晶閘管大大節(jié)省了高頻操作所需的驅(qū)動(dòng)功率，其開啟與關(guān)斷都是通過(guò)低電壓MOS管的柵極電壓來(lái)控制的。

審核編輯：湯梓紅