英特爾希望在2024年超越其芯片制造競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯

過(guò)去五年來(lái)，英特爾在先進(jìn)芯片制造方面一直落后于臺(tái)積電和三星?，F(xiàn)在，為了重新奪回領(lǐng)先地位，該公司正在采取大膽且冒險(xiǎn)的舉措，在其臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦Arrow Lake處理器中引入兩項(xiàng)新技術(shù)，該處理器將于2024年末推出。英特爾希望憑借新的晶體管技術(shù)和首創(chuàng)的電力輸送系統(tǒng)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

英特爾技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁兼高級(jí)晶體管開(kāi)發(fā)總監(jiān)Chris Auth表示，在過(guò)去的二十年里，英特爾在晶體管架構(gòu)的重大變革方面處于領(lǐng)先地位。然而，公司的芯片生產(chǎn)卻有著一段坎坷的過(guò)去：2018年，英特爾未能按時(shí)交付首款10納米CPU，該芯片的生產(chǎn)被推遲了一年，導(dǎo)致使用其14納米制造的CPU出現(xiàn)短缺。2020年，7納米節(jié)點(diǎn)（更名為Intel 4）再次出現(xiàn)延遲。從那時(shí)起，公司就一直處于追趕狀態(tài)。

英特爾的納米片晶體管RibbonFET將取代當(dāng)今的FinFET技術(shù)。FinFET晶體管通過(guò)將晶體管的柵極從三側(cè)（而不是一側(cè)）纏繞在溝道區(qū)域周圍，為CPU提供了低功耗要求和更高的邏輯電路密度。但隨著FinFET尺寸的縮小，這些器件已接近其柵極控制電流能力的極限。納米片晶體管（例如三星的多橋通道FET）可以提供更好的控制，因?yàn)樗鼈兊臇艠O完全包圍通道區(qū)域。英特爾預(yù)計(jì)，在即將推出的英特爾20A處理節(jié)點(diǎn)（該公司最新的半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)）中引入RibbonFET后，能源效率將提高高達(dá)15%。20A中的“A”指的是埃（angstrom），不過(guò)，就像之前芯片命名約定中的“納米”一樣，它不再指產(chǎn)品中的特定測(cè)量值。

引入新的供電方案（通常稱為背面供電，英特爾稱之為PowerVia）是一個(gè)更加重大的變化。Chris Auth表示：“自從Robert Noyce制造出第一個(gè)集成電路以來(lái)，一切都在互連的前端”，這將是制造商首次使用晶圓另一側(cè)的表面，將功率與處理分開(kāi)。這種去耦很重要，因?yàn)?a target="_blank">電源線和信號(hào)線有不同的優(yōu)化：雖然電源線在低電阻、高規(guī)格的電線上表現(xiàn)最佳，但信號(hào)線之間需要更多的空間，以確保最小的干擾。

Imec邏輯技術(shù)副總裁Julien Ryckaert說(shuō)道：“這是一個(gè)新的領(lǐng)域，”轉(zhuǎn)向納米片技術(shù)是一種傳統(tǒng)做法，但Ryckaert預(yù)計(jì)將有機(jī)會(huì)通過(guò)背面電源實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新的新功能。

同時(shí)使用兩種技術(shù)

大約五年前，英特爾決定同時(shí)推出這兩種技術(shù)，大約在同一時(shí)間它失去了對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。通常，這些類型的項(xiàng)目需要長(zhǎng)達(dá)十年的時(shí)間。隨著英特爾越來(lái)越接近實(shí)施新的晶體管和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)，其高管發(fā)現(xiàn)這些時(shí)間表將發(fā)生交叉。因此，為了領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并避免等待下一個(gè)節(jié)點(diǎn)引入其中一種，公司決定將這些技術(shù)配對(duì)。Auth表示，兩者都被視為實(shí)現(xiàn)英特爾雄心勃勃的目標(biāo)（到2025年重新奪回處理技術(shù)領(lǐng)先地位）的“重要關(guān)鍵點(diǎn)”。

TechInsights副主席Dan Hutcheson表示：“英特爾曾經(jīng)是保守派?！贝饲?，臺(tái)積電的冒險(xiǎn)精神更加激進(jìn)，失敗的幾率也更高。Hutcheson解釋說(shuō)，現(xiàn)在情況發(fā)生了轉(zhuǎn)變?！霸噲D同時(shí)實(shí)施兩項(xiàng)重大技術(shù)變革是一個(gè)非常冒險(xiǎn)的舉動(dòng)，而在過(guò)去，這往往會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難”。

Hutcheson補(bǔ)充道，英特爾的創(chuàng)新需要通過(guò)可靠的生產(chǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)，以吸引和留住客戶，特別是當(dāng)它繼續(xù)通過(guò)分離制造和產(chǎn)品組將其業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體代工模式時(shí)。他說(shuō)，在代工模式中，客戶信任制造商至關(guān)重要。由于從開(kāi)發(fā)到交付產(chǎn)品的長(zhǎng)期投資，客戶“基本上是把賭注壓在兩年以后”。

鑒于英特爾在10納米節(jié)點(diǎn)上遇到的挫折和延遲，公司高管非常清楚他們所承擔(dān)的風(fēng)險(xiǎn)。Auth說(shuō)，雖然這個(gè)行業(yè)“建立在承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)的基礎(chǔ)上”，但“在這個(gè)經(jīng)歷中，我們承擔(dān)了太多的風(fēng)險(xiǎn)，我們肯定也認(rèn)識(shí)到了這個(gè)錯(cuò)誤?！?/p>

因此，為了降低即將推出的20A節(jié)點(diǎn)所涉及的風(fēng)險(xiǎn)，英特爾添加了一個(gè)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)，將PowerVia與當(dāng)前一代FinFET配對(duì)。根據(jù)2023年6月發(fā)布的測(cè)試結(jié)果，僅添加PowerVia就帶來(lái)了6% 的性能提升。這一內(nèi)部踏腳石使公司能夠測(cè)試背面電力傳輸并解決工藝和設(shè)計(jì)方面的所有問(wèn)題。

例如，在工藝方面，英特爾需要弄清楚如何利用稱為硅通孔的納米尺寸垂直連接器正確對(duì)齊和連接芯片的正面和背面，該連接器的尺寸是以前連接器的1/500。Auth表示，另一個(gè)挑戰(zhàn)是在處理硅晶圓的兩面時(shí)保持芯片圖案化所需的光滑表面。

斯坦福大學(xué)電氣工程教授Mark Horowitz表示，考慮到對(duì)制造精度的要求更高，因此要考慮預(yù)計(jì)成本。從歷史上看，隨著制造商采用更好的技術(shù)，每個(gè)晶體管的成本會(huì)下降。現(xiàn)在，這些成本改進(jìn)總體上已趨于穩(wěn)定。Horowitz說(shuō)，“晶體管的價(jià)格不再像以前變化的那么快了”。

同時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須重新考慮互連線和布局。Auth表示，通過(guò)使用PowerVia將電源線移至芯片背面，“您將抵消大約七年的前端互連學(xué)習(xí)成果?！崩纾?a target="_blank">工程師必須重新學(xué)習(xí)如何發(fā)現(xiàn)缺陷和正確散熱。盡管學(xué)習(xí)曲線陡峭，英特爾預(yù)計(jì)新技術(shù)的組合將帶來(lái)顯著的好處。

Imec的Ryckaert表示，隨著每一項(xiàng)進(jìn)步都解決了縮放的獨(dú)立問(wèn)題，新的晶體管和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)可以被視為互補(bǔ)。他懷疑英特爾在FinFET到納米片過(guò)渡期間引入背面電源的決定是為了吸引客戶，通過(guò)提供比任何一項(xiàng)進(jìn)步本身所能帶來(lái)的更顯著的好處。未來(lái)幾代人可能不會(huì)使用納米片晶體管技術(shù)。Ryckaert預(yù)測(cè)，“很快，我們就會(huì)看到納米片飽和”。

英特爾預(yù)計(jì)將于2024年上半年準(zhǔn)備好生產(chǎn)20A。臺(tái)積電計(jì)劃于2025年初開(kāi)始采用其N2納米片技術(shù)生產(chǎn)芯片。N2P芯片（具有背面供電的版本）預(yù)計(jì)將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)。三星已于2022年在其3納米節(jié)點(diǎn)中引入納米片晶體管，但尚未正式宣布實(shí)施背面供電的時(shí)間表。

Hutcheson認(rèn)為，所有芯片制造商都在走向背面電源的同一道路上。英特爾只是第一個(gè)邁出這一步的人。他說(shuō)，如果公司成功了，這種風(fēng)險(xiǎn)可能會(huì)讓它重新獲得領(lǐng)先地位?！斑@有很多因素?！?/p>

審核編輯：湯梓紅