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大摩預(yù)測(cè)明年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將迎來(lái)“大好”

芯存社 ? 來(lái)源:芯存社 ? 2023-12-18 16:36 ? 次閱讀

摩根士丹利(簡(jiǎn)稱(chēng)‘大摩’)在最新報(bào)告中再次上調(diào)了存儲(chǔ)芯片漲價(jià)預(yù)期。報(bào)告指出,目前市場(chǎng)供需情況呈現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,下游客戶(hù)已經(jīng)開(kāi)始補(bǔ)充庫(kù)存,中國(guó)智能手機(jī) OEM 廠(chǎng)明年第一季訂單量將大幅增加,電腦 ODM/ OEM 也在建立庫(kù)存。大摩此次的預(yù)估是, DRAM 和 NAND 價(jià)格將在明年第一季上漲 20%,最新的預(yù)期較此前增幅翻倍,此前的預(yù)期是 DRAM 價(jià)格漲幅為 8% 至 13%,NAND 價(jià)格漲幅為 5% 至 10%。

其中,智能手機(jī)制造商重新補(bǔ)庫(kù)存將帶來(lái)價(jià)格的上漲,庫(kù)存將恢復(fù)到正常水準(zhǔn) (移動(dòng) DRAM 需要 4 至 6 周,NAND 需要 6 至 7 周)。在供需方面層面,存儲(chǔ)芯片商在大幅減產(chǎn)、積極去庫(kù)存之后,產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于需求,隨著需求的改善,明年的價(jià)格上漲前景將更加明確。人工智能需求將進(jìn)一步提振存儲(chǔ)芯片價(jià)格,大摩指出,“我們還需要考慮到明年 HBM 芯片100 億美元市場(chǎng)規(guī)模長(zhǎng)的影響,以及 AI 需求的突然出現(xiàn)將導(dǎo)致供應(yīng)短缺延長(zhǎng)?!贝送猓m然 AI 應(yīng)用程序大部分都部署在云端,但從 2024 年開(kāi)始,邊緣計(jì)算需求將變得越來(lái)越普遍 (移動(dòng) AI),并可能逐漸進(jìn)入智能手機(jī)升級(jí)周期。

根據(jù)集邦咨詢(xún)近期的報(bào)告預(yù)測(cè),存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將在第四季度迎來(lái)近20%的成長(zhǎng)。集邦咨詢(xún)調(diào)查顯示,在2023Q3的DRAM產(chǎn)業(yè)合計(jì)營(yíng)收達(dá)134.80億美金,季成長(zhǎng)率約18.0%。一方面是,買(mǎi)方重啟備貨動(dòng)能,使得各原廠(chǎng)營(yíng)收皆有所成長(zhǎng),但另一方面是,買(mǎi)方雖有備貨需求,但以目前來(lái)說(shuō),服務(wù)器領(lǐng)域因庫(kù)存水位仍高,拉貨態(tài)度仍顯得被動(dòng)。因此,預(yù)測(cè)第四季DRAM合約價(jià)上漲約13~18%。

三星、SK海力士、美光三大原廠(chǎng)的營(yíng)收都有多成長(zhǎng)。AI話(huà)題的熱度帶動(dòng)高容量產(chǎn)品需求的穩(wěn)定,加上1alpha nm DDR5量產(chǎn)后,量?jī)r(jià)齊升,帶動(dòng)三星(Samsung)第三季DRAM營(yíng)收季增幅度約15.9%,約52.50億美元。SK海力士的營(yíng)收成長(zhǎng)更是突飛猛進(jìn),該季度的全球DRAM市占率與三星的差距僅縮小至不及5%,受惠于HBM、DDR5產(chǎn)品的質(zhì)量相對(duì)穩(wěn)定,SK海力士的出貨量已連續(xù)三個(gè)季度成長(zhǎng),加上平均銷(xiāo)售單價(jià)季增約10%,營(yíng)收約46.26億美元,季增幅度達(dá)34.4%。美光(Micron)平均銷(xiāo)售單價(jià)小幅下跌,然因需求回溫,出貨量增加,支撐營(yíng)收季增幅度約4.2%,達(dá)30.75億美元。

產(chǎn)能規(guī)劃方面,第三季底,三星為有效減緩庫(kù)存壓力而擴(kuò)大減產(chǎn),主要針對(duì)庫(kù)存偏高的DDR4產(chǎn)品,第四季減產(chǎn)幅度會(huì)擴(kuò)大至30%,總投片量下滑,三星認(rèn)為2024下半年旺季需求將有所回溫,故投片將于明年第二季開(kāi)始提升。

SK海力士受惠于HBM及DDR5出貨增長(zhǎng),產(chǎn)能小幅回升,投片量至今年底會(huì)小幅上升,搭配明年DDR5于終端滲透提升,預(yù)期總投片量將逐季上升。

美光因減產(chǎn)較早,庫(kù)存水位相對(duì)健康,今年第四季投片已開(kāi)始回升,主要增加在1beta nm先進(jìn)制程,2024年的投片量預(yù)估仍會(huì)小幅上升,產(chǎn)能擴(kuò)張重心將落于制程轉(zhuǎn)進(jìn)。

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NAND Flash的合約議價(jià)方向在今年第三季季底時(shí)已朝向止跌甚至漲價(jià)發(fā)展,促使第三季NAND Flash的出貨量環(huán)比增長(zhǎng)3%,NAND Flash的整體合并營(yíng)收達(dá)到92.29億美元,環(huán)比增長(zhǎng)幅度約2.9%。第四季度,NAND Flash產(chǎn)品將量?jī)r(jià)齊漲,預(yù)估全產(chǎn)品平均銷(xiāo)售單價(jià)漲幅將來(lái)到13%,整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)幅度預(yù)估將逾兩成。

在營(yíng)收方面,三星第三季NAND Flash營(yíng)收為29.0億美元,持平第二季,平均銷(xiāo)售單價(jià)止跌回升1~3%,出貨環(huán)比減少1~3%;美光第三季營(yíng)收小幅下滑至11.5億美元,環(huán)比減少5.2%,平均銷(xiāo)售單價(jià)則環(huán)比減少15%,出貨與第二季持平;鎧俠(Kioxia)第三季NAND Flash營(yíng)收下跌至13.4億美元,環(huán)比減少8.6%,平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲3%,出貨環(huán)比減少10~15%。SK集團(tuán)方面,由于PC和智能手機(jī)應(yīng)用對(duì)高容量產(chǎn)品需求回溫,支撐第三季NAND Flash營(yíng)收約18.6億美元,環(huán)比增長(zhǎng)11.9%。西部數(shù)據(jù)表示,第三季PC需求超乎預(yù)期,且移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用(Mobile)和游戲(Gaming)類(lèi)別需求具韌性,顯示降價(jià)仍有效帶動(dòng)出貨,進(jìn)而推升NAND Flash部門(mén)營(yíng)收達(dá)15.56億美元,環(huán)比增長(zhǎng)13.0%。

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整體來(lái)看,大摩認(rèn)為,隨著每股獲利年增加速,存儲(chǔ)股往往表現(xiàn)優(yōu)異,現(xiàn)在剛剛進(jìn)入周期中期階段,DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格年增為-16%,距離峰值水準(zhǔn)仍有距離。而拋開(kāi)估值不談,存儲(chǔ)芯片周期已經(jīng)從今年第一季的低點(diǎn)恢復(fù),進(jìn)入明年將進(jìn)一步改善。根據(jù)最新的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù),大摩上調(diào)三星和 SK 海力士的每股獲利預(yù)期,并預(yù)估海力士將在第四季實(shí)現(xiàn)獲利,并在 HBM 市占增長(zhǎng)和大宗商品價(jià)格大幅改善的推動(dòng)下,進(jìn)入獲利周期,到明年底 / 2025 年初將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的水準(zhǔn)。三星則將通過(guò)存儲(chǔ)漲價(jià)快速提高利潤(rùn)率,同時(shí)或?qū)娜谌?AI 技術(shù)的 S24 edge 產(chǎn)品中受惠,該產(chǎn)品將在明年第一季推出。

三星在2023第三季度財(cái)報(bào)上表示,將繼續(xù)減產(chǎn)以緩解芯片供應(yīng)過(guò)剩,并為 2024 年做好準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)全行業(yè)投資和生產(chǎn)將集中在高用于生成人工智能的終端芯片。

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原文標(biāo)題:大摩預(yù)測(cè)明年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將迎來(lái)“大好”

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