2025年全球Micro LED市場規(guī)模將達35億美元

Micro LED市場空間有望進一步打開。

高工產研LED研究所（GGII）預計，隨著技術的逐步發(fā)展和成本的降低，2025年全球Micro LED市場規(guī)模將達35億美元。2027年有望達到100億美元大關。

在這個過程中，核心技術的攻破成為Micro LED大規(guī)模量產以及成本下降的關鍵。為此，產業(yè)鏈企業(yè)紛紛強化Micro LED技術布局。

12月9日，芯元基宣布公司在其獨有的化學剝離Micro LED的技術基礎上，成功開發(fā)出了晶圓級印章巨量轉移工藝，達到了轉移芯片位置零偏差。

芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半導體氮化鎵（GaN）材料自主研發(fā)、設計、生產藍寶石基GaN高端薄膜結構芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。該公司于2021年10月正式進入Micro LED領域，發(fā)展至今取得不少突破。

2022年1月，芯元基全屏點亮5μm Micro LED芯片陣列；7月27日，點亮0.12英寸、pitch 3.75μm Micro LED芯片陣列；8月29日，點亮InGaN基紅光Micro LED芯片陣列；10月13日，實現0.41英寸單色Micro LED微顯示屏視頻顯示。

今年1月，芯元基實現0.39英寸單色Micro LED顯示屏視頻顯示；5月16日，成功開發(fā)出了矩陣車燈用的薄膜Micro LED芯片；7月5日，實現了高良率、高效純紅光倒裝結構和正裝結構的量子點MiniLED芯片。

技術方面，芯元基已形成了以藍寶石復合圖形襯底技術（DPSS）、晶面輔助側向外延生長技術、化學剝離藍寶石襯底技術和晶圓級批量轉移技術等為核心的技術體系，該技術的主要應用方向有高端的垂直結構薄膜LED芯片、電子功率器件及Micro LED。

12月11日，外媒也傳來消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。

實驗結果表明，微盤陣列表現出了優(yōu)異的結晶度，并可發(fā)出平面內方向一致且亮度較強的藍光。

據悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設備中。

值得注意的是，首爾國立大學的研究團隊近年正在深入進行Micro LED技術的研究，并通過與韓國知名顯示企業(yè)之間的合作，陸續(xù)開發(fā)出先進的Micro LED制造技術。

此外，近日廣東科學院團隊也傳出最新進展，其研究人員發(fā)展了一種簡單且具有良好兼容性的圖案化方法來制備厚度超過10μm的量子點光轉換薄膜，該方法結合了復制成型、等離子蝕刻和轉印三種工藝的優(yōu)勢，簡稱為RM-PE-TP圖案化技術。

該技術使用到的量子點聚合物材料制備簡單易得，很好地避免了在其他圖案化方法中所必需的復雜的量子點表面改性和用料組成等問題。

此外，復制成型的工藝十分有利于得到厚度超過10μm以上的量子點薄膜，且量子點陣列的分辨率和厚度也易于調節(jié)?？偟膩碚f，整個圖案化方法對量子點材料的光學性能基本沒有損傷，便于多色量子點圖案化的集成，甚至可通過單色集成進一步提高量子點圖案的分辨率。

因此，基于上述RM-PE-TP圖案化技術，研究團隊最終制備出分辨率最高為669 ppi、薄膜厚度最高達19.74μm的圖案化量子點聚合物薄膜，并在柔性襯底上得到了大面積高分辨率的量子點厚膜，說明該技術在大規(guī)模柔性量子點圖案化集成方面具有巨大的應用潛力。

此外，團隊還初步驗證了將上述量子點聚合物薄膜作為光轉換層簡單集成到藍光Micro LED器件來實現光轉換應用的可行性，并發(fā)現增加量子點薄膜的厚度可以提高光轉換的效率。

審核編輯：劉清