美國政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片

全球領先的半導體制造商GlobalFoundries已從美國政府獲得3500萬美元的聯(lián)邦資金，以加速GF位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導體上制造差異化氮化鎵（GaN）。這筆資金使GF更接近于GaN芯片的大規(guī)模生產(chǎn)，這些芯片在處理高電壓和高溫的能力方面是獨一無二的。這些芯片旨在為基礎設施和手機、汽車和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IoT）、電網(wǎng)和其他關鍵基礎設施的 5G 和 6G 蜂窩通信提供改變游戲規(guī)則的性能和效率。

隨著國防部Trusted Access Program Office（TAPO）授予的35萬美元新資金，GF計劃購買額外的工具，以擴大開發(fā)和原型設計能力，更接近大規(guī)模的200毫米硅基氮化鎵半導體制造。作為投資的一部分，格芯計劃實施新的能力，以減少格芯及其客戶對鎵供應鏈限制的影響，同時提高美國制造的氮化鎵芯片的開發(fā)速度、供應保證和競爭力。

這筆資金建立在與美國政府多年的合作之上--包括2020-2022年的400萬美元支持--利用格芯佛蒙特州團隊的才能和他們的200毫米半導體制造經(jīng)驗，并將其應用于硅基氮化鎵制造。200mm是最先進的 GaN 芯片技術。

“佛蒙特州是半導體創(chuàng)新的領導者。這筆聯(lián)邦資金是可喜的消息，將鞏固我們州作為制造下一代芯片前沿的領導者的地位，“參議員彼得韋爾奇說：“至關重要的是，我們支持佛蒙特州和美國對這個行業(yè)的投資——無論是為了我們當?shù)氐慕?jīng)濟增長，還是為了我們的國家安全。我期待繼續(xù)在參議院為我們國內(nèi)的半導體和芯片制造商而戰(zhàn)。”

“這項戰(zhàn)略投資繼續(xù)加強我們國內(nèi)關鍵軍民兩用商業(yè)技術的生態(tài)系統(tǒng)，確保它們隨時可用并安全地供國防部使用。我們正在與主要合作伙伴合作，積極塑造我們國防系統(tǒng)的未來，“負責維持的助理國防部長Christopher J. Lowman說。

GF總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield博士表示：“硅基氮化鎵是新興市場高性能射頻、高壓功率開關和控制應用的理想技術，對6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車非常重要。GF與美國政府有著長期的合作伙伴關系，這筆資金對于使硅芯片上的GaN更接近批量生產(chǎn)至關重要。這些芯片將使我們的客戶能夠?qū)崿F(xiàn)大膽的新設計，從而突破我們每天所依賴的關鍵技術的能效和性能極限。”

GF位于佛蒙特州伯靈頓附近Essex Junction的工廠是美國最早的主要半導體制造基地之一。如今，約有1,800名GF員工在現(xiàn)場工作。這些GF制造的芯片建立在格芯的差異化技術之上，被用于世界各地的智能手機、汽車和通信基礎設施應用。該工廠是DMEA認證的可信晶圓代工廠，與美國國防部合作生產(chǎn)安全芯片，用于美國一些最敏感的航空航天和國防系統(tǒng)。