AM在生產(chǎn)線或應(yīng)用時(shí)，造成EOS破壞的原因

AMAZINGIC晶焱科技：在生產(chǎn)線或應(yīng)用時(shí)，造成EOS破壞的原因

隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)、操作電壓越來(lái)越低以及系統(tǒng)功能越來(lái)越復(fù)雜，導(dǎo)致EOS (Electrical Over Stress，過(guò)度電性應(yīng)力) 更容易竄到系統(tǒng)內(nèi)部，使得損壞面積加大。多年來(lái)，EOS一直是科技產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品故障率最高的原因之一。但就解決時(shí)間和成本而言，發(fā)生EOS的代價(jià)過(guò)于昂貴，因此在大多數(shù)的應(yīng)用中，會(huì)提供產(chǎn)品中的失效元件給供應(yīng)商，供應(yīng)商利用專(zhuān)業(yè)的量測(cè)與分析來(lái)判斷失效現(xiàn)象并尋找出失效的根本原因，以此實(shí)施有效的解決方案，否則極可能會(huì)影響整個(gè)產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性。

如圖一所示，造成EOS破壞的原因可以分為三大類(lèi)。第一類(lèi)為自然環(huán)境的EOS事件：主要發(fā)生在戶外或有連接戶外線纜的產(chǎn)品。如連接室外網(wǎng)路線的路由器、連接室外攝影機(jī)的DVR監(jiān)控主機(jī)或連接室外天線的電視機(jī)等等，在天氣不佳時(shí)可能直接遭受雷擊的攻擊，亦或因間接雷擊感應(yīng)至線材而竄進(jìn)產(chǎn)品內(nèi)部，皆是造成EOS損毀的原因之一。此外，雖然很多系統(tǒng)會(huì)針對(duì)室外電纜接口完成EOS防護(hù)設(shè)計(jì)，但若系統(tǒng)接地不良造成雷擊能量宣泄不及，可能透過(guò)與其他系統(tǒng)連接的介面(如HDMI)宣泄到相連接的系統(tǒng)，此時(shí)極可能造成此連接兩系統(tǒng)的介面發(fā)生EOS損毀。

第二類(lèi)為系統(tǒng)操作時(shí)的EOS事件：這一類(lèi)的事件除了在消費(fèi)者使用系統(tǒng)時(shí)可能發(fā)生，亦有可能出現(xiàn)在工廠生產(chǎn)線測(cè)試或組裝階段。常見(jiàn)的現(xiàn)象包括：測(cè)試電流或電壓不穩(wěn)定、測(cè)試治具破損、接頭排針或觸點(diǎn)歪斜導(dǎo)致錯(cuò)孔、接頭反接、帶電切換開(kāi)關(guān)、熱插拔…等等。熱插拔意味著在帶電的情況下，突然改變電流，因此可能產(chǎn)生危險(xiǎn)的感應(yīng)電壓影響系統(tǒng)運(yùn)作。而且在插拔時(shí)，極易造成線纜中電源或訊號(hào)發(fā)生overshoot或undershoot的不穩(wěn)定現(xiàn)象。更嚴(yán)重的情況可能發(fā)生在連接兩個(gè)接地電位不同的設(shè)備時(shí)，極可能因過(guò)大電壓差或大電流而發(fā)生EOS損毀，此時(shí)甚至可以觀察到火花。為了避免熱插拔造成的 EOS 損壞，許多行業(yè)會(huì)在連接器上使用先插后斷 (First Mate Last Break, FMLB) 的接地點(diǎn)，執(zhí)行上只需延長(zhǎng)接地觸針即可。使用這樣的連接器時(shí)，接地觸針會(huì)先觸碰系統(tǒng)的地，在拔出過(guò)程中最后斷開(kāi)，從而確保有100%可靠的接地電位可以參考。

此外，還需要特別注意電源端是否有電壓不穩(wěn)定的狀況，在開(kāi)發(fā)中國(guó)家的電源基礎(chǔ)設(shè)施可能不夠健全，因此容易有電源電壓不穩(wěn)定的情形，導(dǎo)致大能量的突波，造成EOS破壞。上述系統(tǒng)工作期間可能遭遇的EOS事件，可以透過(guò)系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)、穩(wěn)壓設(shè)計(jì)、有效的OVP或TVS防護(hù)方案來(lái)減低EOS對(duì)產(chǎn)品造成的破壞。

第三類(lèi)是因瞬態(tài)雜訊 (transient noise) 所引起的EOS事件：這樣的現(xiàn)象可能存在于系統(tǒng)耦合RF、雜散EMI或電磁脈沖…等，而發(fā)生EOS現(xiàn)象。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用天線或雷達(dá)時(shí)，若有雜訊被天線接收，系統(tǒng)中需要設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)電路及濾波電路，否則經(jīng)由電路放大后的雜訊可能造成探測(cè)器的電路永久損壞。而在配電箱電源或電路中的繼電器開(kāi)關(guān)切換時(shí)，高頻的突波亦可能直接損壞系統(tǒng)。因此在負(fù)載較大的電路中或設(shè)備較敏感時(shí)，應(yīng)考量添加防護(hù)元件或使用穩(wěn)壓設(shè)備。此外，若系統(tǒng)中存在馬達(dá)或逆變器等容易產(chǎn)生雜訊的部件，若未經(jīng)適當(dāng)?shù)钠帘位蚋綦x，原有的高頻突波透過(guò)線纜的電感和電容效應(yīng)，亦可能在后端轉(zhuǎn)變成低頻的EOS突波[1]，進(jìn)而導(dǎo)致后端產(chǎn)品受到EOS損壞。

圖一、造成EOS的根本原因

根據(jù)統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)，最常見(jiàn)的EOS原因包含熱插拔、過(guò)電壓、電源突波和元件焊接錯(cuò)誤，大部分損壞不是發(fā)生在元件制造過(guò)程中，而是發(fā)生在PCB/模組組裝過(guò)程中(約30 %)或應(yīng)用過(guò)程中(約40%) [2]。另外在分析EOS問(wèn)題時(shí)，最重要的是充分描述發(fā)生情況以及量化數(shù)據(jù)，包括異常是如何被發(fā)現(xiàn)？是否可以復(fù)現(xiàn)？應(yīng)用場(chǎng)景？突波可能的路徑與能量大小，甚至是IC損壞的情形(封裝熔化/打線燒斷/晶片燒毀)等等，這些資訊可以讓EOS分析變得更加準(zhǔn)確。如以下實(shí)際案例，搜集損毀的樣品，發(fā)現(xiàn)大多IC燒毀的情況皆為單一元件被熔毀所造成的損害，使用surge設(shè)備復(fù)現(xiàn)出相同的燒毀現(xiàn)象后，進(jìn)而得知是遭受7A左右的8/ 20?s突波能量導(dǎo)致?lián)p壞，因此可以建議使用IPP大于7A的防護(hù)元件提供系統(tǒng)保護(hù)，能夠改善當(dāng)前60%以上的EOS問(wèn)題，如圖二。這就是譬如把TVS想像成保險(xiǎn)絲的概念，萬(wàn)一TVS損毀時(shí)，可以使用復(fù)現(xiàn)的方法得知遭遇多大的突波能量，進(jìn)而選擇更加正確的TVS。只要設(shè)計(jì)時(shí)在端口或是電源加入適當(dāng)?shù)腡VS防護(hù)元件，既可以在事前做好防護(hù)的工作，避免系統(tǒng)產(chǎn)品損壞或死機(jī)，導(dǎo)致?lián)p耗提高成本，也可以減少客退問(wèn)題，提升公司的品牌形象。

圖二、使用Surge機(jī)臺(tái)復(fù)現(xiàn)出EOS損毀現(xiàn)象

晶焱科技有先進(jìn)的靜電放電防護(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)，特別針對(duì)需要EOS防護(hù)的產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)出不同封裝且多種規(guī)格的突波防護(hù)元件，可供客戶依照產(chǎn)品需求做選用，如圖三。晶焱科技利用自有的專(zhuān)利技術(shù)推出一系列保護(hù)元件，對(duì)應(yīng)不同的應(yīng)用提供0603的方案，單體ESD耐受度皆超過(guò)30kV且具有EOS防護(hù)的能力。其中0603封裝大小只有1.6 mm x 1.0mm，厚度只有0.5 mm，可滿足新產(chǎn)品對(duì)于小封裝的需求。隨著未來(lái)的新科技走向，晶焱科技將持續(xù)開(kāi)發(fā)出更加符合市場(chǎng)客戶需求的防護(hù)元件，亦可提供客制化產(chǎn)品的完美方案。

圖三、晶焱科技在DFN1610包裝的EOS防護(hù)方案列表