美國KRi射頻離子源RFICP 220助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展

上海伯東美國KRi 高能量射頻離子源RFICP 220 應(yīng)用于光學(xué)鍍膜機(jī), 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率, 助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展.

KRi射頻離子源在光學(xué)鍍膜機(jī)中的作用

設(shè)備: 客戶自主搭建光學(xué)鍍膜機(jī), 光學(xué)薄膜強(qiáng)激光裝置組成部分之一

美國原裝進(jìn)口高能射頻離子源: RFICP 220

作用: 通過玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率. 從而加強(qiáng)激光束, 對薄膜內(nèi)部進(jìn)行雜質(zhì)和缺陷消除, 解決光學(xué)薄膜內(nèi)部因存在雜質(zhì)與缺陷導(dǎo)致的激光損傷問題.

真空環(huán)境下,KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實現(xiàn)薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料.

同時KRi 射頻離子源可以對工藝過程優(yōu)化, 無需加熱襯底,對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

上海伯東美國 KRi射頻離子源RFICP 220 :高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻.滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用.射頻離子源RFICP 220 可以很好的控制離子束沉積或濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

審核編輯：劉清