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使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)

CHANBAEK ? 來源: ARK micro ? 作者:ARK(方舟微) ? 2023-11-08 11:30 ? 次閱讀

前言

盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制器供電范圍,同時(shí)現(xiàn)有的同步整流控制器,也無法應(yīng)用在高輸出電壓下,令工程師的選型很是頭疼。

為了應(yīng)對PD3.1升級輸出電壓后,寬電壓輸出導(dǎo)致開關(guān)電源初級電壓供電范圍變動(dòng)較大的問題,ARK(方舟微)推出了一系列具有特殊功能的MOSFET,可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)多顆元件組成的供電穩(wěn)壓電路,從而簡化電源中對于控制器的供電設(shè)計(jì),并優(yōu)化待機(jī)功耗表現(xiàn)。在缺貨的大背景下,拓展現(xiàn)有芯片的供電范圍,保證產(chǎn)品出貨。

ARK(方舟微)

ARK(方舟微)自主研發(fā)的專利產(chǎn)品100V、150V、600V等系列耗盡型MOSFET受到市場廣泛歡迎,成為眾多高端品牌充電設(shè)備首選器件。目前,已被PI、IWATT、ON等多家主IC方案商普遍選用。

DMZ1015E/DMX1015E

ARK(方舟微)DMZ1015E/DMX1015E是一顆耐壓100V的耗盡型NMOS,是原DMZ0615E/DMX0615E的升級版本,采用特有超高閾值“UItraVt”技術(shù)(ARK專利),可為負(fù)載提供穩(wěn)定的供電,且輸出電壓可由內(nèi)部鉗位,無需穩(wěn)壓管,簡化電路設(shè)計(jì)。

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電源電路更加簡化

DMX1015E (SOT-89封裝),耗散功率1W,能承受更寬的輸入電壓,適合單繞組的VCC供電;DMZ1015E (SOT-23封裝) 耗散功率0.5W,適合雙繞組的VCC供電;可根據(jù)耗散功率靈活選用。

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DMZ1315E(L)/ DMX1315E (L)****

Type-C/PD充電器中,ARK(方舟微)研發(fā)的DMZ1315E(L)/DMX1315E(L)可作為高壓線性穩(wěn)壓源,特有超高閾值 “UItraVt”技術(shù)(ARK專利) ,利用其亞閾值特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓或電流輸出,PWM IC電源電路更加簡化。

DMZ(X)1015E升級版

DMX1315E(L) (SOT-89封裝) 耗散功率1W,能承受更寬的輸入電壓,適合單繞組的VCC供電,DMZ1315E(L) (SOT-23封裝)耗散功率為0.5W,適合雙繞組的VCC供電。

該系列屬于DMZ(X)1015E的升級版,耐壓提高至130V,不僅適用于原DMZ(X)1015E的所有應(yīng)用方案,還可用于對電壓有更高要求的方案(如PD3.1中新增的28V/5A輸出)。

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節(jié)約成本

ARK(方舟微)推出的一系列耗盡MOSFET,適配絕大多數(shù)開關(guān)電源控制器供電需求,利用耗盡型MOSFET的亞閾值特性,能夠簡化傳統(tǒng)控制器用于高壓以及寬電壓輸出的供電電路設(shè)計(jì),降低研發(fā)難度的同時(shí),降低整體物料成本。

國產(chǎn)替代

ARK(方舟微)作為快充領(lǐng)域電路穩(wěn)壓與保護(hù)器件的供應(yīng)商,陪伴充電設(shè)備14年,從摩托羅拉到華為;從三星到Google;從手機(jī)充電到汽車充電,幾乎覆蓋所有充電產(chǎn)品!

ARK(方舟微)產(chǎn)品以高品質(zhì)、高性能、低成本對標(biāo)國外同類產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代,被國內(nèi)外客戶廣泛采用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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